一种高密度VCSEL阵列结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种高密度VCSEL阵列结构及其制备方法，结构包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化层、第二DBR层和欧姆接触层，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面设有多个相互独立的出光区域，各所述出光区域的周围分别设有由所述欧姆接触层延伸至所述有源层的氧化孔，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面于除所述出光区域以外的区域均设有电极，相邻两个所述出光区域通过所述电极连通。有效地增加了欧姆接触的面积，减少了芯片接触电阻的升高，避免了电压上升、光电转换效率下降等问题。

A High Density VCSEL Array Structure and Its Preparation Method

The invention provides a high-density VCSEL array structure and a preparation method thereof. The structure comprises a successively stacked substrate, a first DBR layer, an active layer, an oxide layer, a second DBR layer and an ohmic contact layer. The ohmic contact layer is separated from the surface of the second DBR layer by a plurality of independent light-emitting regions, and the surrounding light-emitting regions are respectively extended by the ohmic contact layer. The ohmic contact layer is far from the surface of the second DBR layer and an electrode is arranged in an area other than the light-emitting region, and two adjacent light-emitting regions are connected through the electrode. It effectively increases the ohmic contact area, reduces the increase of chip contact resistance, and avoids the problems of voltage rise and photoelectric conversion efficiency decline.

【技术实现步骤摘要】
一种高密度VCSEL阵列结构及其制备方法
本专利技术涉及一种VCSEL芯片
，尤其涉及一种高密度VCSEL阵列结构及其制备方法。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，各种各样的VCSEL芯片已广泛应用于人们的日常生活、工作以及工业中，为人们的生活带来了极大的便利，具有高密度管芯的VCSEL阵列结构也应运而生。如图1和图2所示，VCSEL阵列结构包括GaAs衬底1’和设于GaAs衬底1’上的N型DBR层2’，N型DBR层2’上设有多个独立的氧化台阶，该氧化台阶由依次层叠的MQW层3’、氧化限制层4’、P型DBR层5’、GaAs层6’和环形欧姆电极7’组成，其中MQW层3’靠近N型DBR层2’设置。该环形电极的中央区域形成出光孔8’。然而，当出光孔当阵列密度增大，为确保出光效率，出光孔不能缩小，因此，环形欧姆电极的面积将被压缩，从而导致欧姆接触面积不够，芯片的接触电阻升高，进而造成电压上升及光电转换效率下降。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的为：提供一种能够增大欧姆接触面积的高密度VCSEL阵列结构及其制备方法。本专利技术提供的一个技术方案为：一种高密度VCSEL阵列结构，包括依本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高密度VCSEL阵列结构，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化层、第二DBR层和欧姆接触层，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面设有多个相互独立的出光区域，各所述出光区域的周围分别设有由所述欧姆接触层延伸至所述有源层的氧化孔，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面于除所述出光区域以外的区域均设有电极，相邻两个所述出光区域通过所述电极连通。

【技术特征摘要】
1.一种高密度VCSEL阵列结构，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化层、第二DBR层和欧姆接触层，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面设有多个相互独立的出光区域，各所述出光区域的周围分别设有由所述欧姆接触层延伸至所述有源层的氧化孔，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面于除所述出光区域以外的区域均设有电极，相邻两个所述出光区域通过所述电极连通。2.根据权利要求1所述的高密度VCSEL阵列结构，其特征在于，多个所述出光区域均匀分布。3.根据权利要求1或2所述的高密度VCSEL阵列结构，其特征在于，各所述出光区域与其周围氧化孔的相对位置相同。4.根据权利要求1或2所述的高密度VCSEL阵列结构，其特征在于，所述氧化孔的数量为两个以上，两个以上的所述氧化孔围绕所述出光区域均匀且间隔分布。5.根据权利要求4所述的高密度VCSEL阵列结构，其特征在于，两个以上的所述氧化孔的大小相同。6.根据权利要求1或2所述的高密度V...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭钰仁，贾钊，赵炆兼，郭冠军，曹广亮，赵丽，
申请(专利权)人：厦门乾照半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35