Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) wafers may include: a base layer, an epitaxial layer grown on the base layer, and a strain compensation layer for controlling the bending of VCSEL wafers after thinning. The strain compensation layer can be arranged on the epitaxial side of the base layer. The strain compensation layer can control the bending of the thinned VCSEL wafer by at least partially compensating the compressive strain in the epitaxial layer of the VCSEL wafer.
【技术实现步骤摘要】
垂直腔表面发射激光器薄晶片弯曲控制
本公开内容总体上涉及垂直腔表面发射激光器(vertical-cavitysurface-emittinglaser)(VCSEL)，并且更具体地涉及薄的VCSEL晶片(wafer)的弯曲控制(bowingcontrol)。背景垂直发射装置例如VCSEL是其中在垂直于基底的表面的方向上(例如，从半导体晶片的表面垂直地)发射激光束的激光器。典型的VCSEL包括在基底上生长的外延层。外延层可以包括例如一对反射器(例如，一对分布式布拉格反射器(distributedBraggreflector)(DBR))、有源区、氧化层和/或类似物。可以在外延层上或在外延层上方形成其他层，例如一个或更多个介电层、金属层和/或类似层。概述根据某些可能的实施方式，VCSEL晶片可以包括：基底层；外延层，所述外延层在基底层上；以及应变补偿层，所述应变补偿层用于在VCSEL晶片变薄之后控制VCSEL晶片的弯曲，其中应变补偿层可以被布置在基底层的外延侧上，并且其中应变补偿层可以通过至少部分地补偿VCSEL晶片的外延层中的压缩应变来控制变薄的VCSEL晶片的...
【技术保护点】
1.一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)晶片，包括：基底层；外延层，所述外延层在所述基底层上；以及应变补偿层，所述应变补偿层用于在所述VCSEL晶片变薄之后控制所述VCSEL晶片的弯曲，其中所述应变补偿层被布置在所述基底层的外延侧上，并且其中所述应变补偿层通过至少部分地补偿所述VCSEL晶片的所述外延层中的压缩应变来控制变薄的VCSEL晶片的弯曲。
【技术特征摘要】
2017.10.18 US 15/787,0291.一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)晶片，包括：基底层；外延层，所述外延层在所述基底层上；以及应变补偿层，所述应变补偿层用于在所述VCSEL晶片变薄之后控制所述VCSEL晶片的弯曲，其中所述应变补偿层被布置在所述基底层的外延侧上，并且其中所述应变补偿层通过至少部分地补偿所述VCSEL晶片的所述外延层中的压缩应变来控制变薄的VCSEL晶片的弯曲。2.如权利要求1所述的VCSEL晶片，其中所述应变补偿层是具有在从约0.2微米至约0.7微米的范围内的厚度的金属层。3.如权利要求1所述的VCSEL晶片，其中所述应变补偿层是镍-铬(NiCr)层、铂(Pt)层或者铬(Cr)层。4.如权利要求1所述的VCSEL晶片，其中所述应变补偿层被布置在阳极层的部分之间。5.如权利要求4所述的VCSEL晶片，其中粘合层被布置在所述应变补偿层和所述阳极层的至少一部分之间，所述粘合层与促进所述应变补偿层和所述阳极层的所述至少一部分之间的粘合相关。6.如权利要求5所述的VCSEL晶片，其中所述粘合层是具有在从约0.005微米至约0.03微米的范围内的厚度的钛(Ti)层。7.如权利要求4所述的VCSEL晶片，其中所述应变补偿层部分地重叠所述阳极层的一部分，以便减少或者最小化与所述应变补偿层相关的电阻。8.如权利要求1所述的VCSEL晶片，其中所述应变补偿层覆盖所述VCSEL晶片的大部分表面。9.如权利要求1所述的VCSEL晶片，其中所述应变补偿层被至少部分地嵌入在介电钝化/镜层中。10.如权利要求1所述的VCSEL晶片，其中所述应变补偿层被图案化以包括开口，光经由所述开口通过所述VCSEL晶片的VCSEL来发射。11.如权利要求10所述的VCSEL晶片，其中选择所述应变补偿层的...
【专利技术属性】
技术研发人员：埃里克·R·海格布罗姆，
申请(专利权)人：朗美通运营有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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