【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制作方法及阵列基板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板的制作方法及阵列基板。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。通常液晶显示面板由彩膜基板(CF，ColorFilter)、阵列基板(TFT，ThinFilmTransistor)、夹于彩膜基板与阵列基板之间的液晶(LC，LiquidCrystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制...
【技术保护点】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上形成透明导电薄膜(101)和覆盖所述透明导电薄膜(101)的金属薄膜(102)；步骤S2、在所述金属薄膜(102)上覆盖光阻薄膜(103)；步骤S3、对所述光阻薄膜(103)进行图案化，除去除待形成栅极和阵列基板公共电极(3)的区域以外的光阻薄膜(103)，得到位于待形成栅极的区域上的第一光阻段(104)及位于待形成阵列基板公共电极的区域上的第二光阻段(105)，且所述第一光阻段(104)的厚度大于第二光阻段(105)；步骤S4、以第一光阻段(104)和第二光阻段(1...
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上形成透明导电薄膜(101)和覆盖所述透明导电薄膜(101)的金属薄膜(102)；步骤S2、在所述金属薄膜(102)上覆盖光阻薄膜(103)；步骤S3、对所述光阻薄膜(103)进行图案化，除去除待形成栅极和阵列基板公共电极(3)的区域以外的光阻薄膜(103)，得到位于待形成栅极的区域上的第一光阻段(104)及位于待形成阵列基板公共电极的区域上的第二光阻段(105)，且所述第一光阻段(104)的厚度大于第二光阻段(105)；步骤S4、以第一光阻段(104)和第二光阻段(105)为遮挡，对所述透明导电薄膜(101)和金属薄膜(102)进行蚀刻，除去除待形成栅极和阵列基板公共电极的区域以外的透明导电薄膜(101)和金属薄膜(102)；步骤S5、去除第二光阻段(105)同时减薄第一光阻段(104)，以剩余的第一光阻段(104)为遮挡对金属薄膜(102)进行蚀刻，去除待形成阵列基板公共电极的区域上金属薄膜(102)，得到阵列基板公共电极(3)；步骤S6、去除剩余的第一光阻段(104)，得到栅极(2)；步骤S7、在所述衬底基板(1)、栅极(2)及阵列基板公共电极(3)上形成栅极绝缘层(4)，在所述栅极(2)上的栅极绝缘层(4)上形成有源层(5)，在所述有源层(5)上形成分别位于所述有源层(5)的两端的源极(6)和漏极(7)，在所述栅极绝缘层(4)、有源层(5)、源极(6)和漏极(7)上形成钝化层(8)，并在所述钝化层(8)上形成像素电极(9)。2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中通过一道半色调光罩或灰阶光罩图案化所述光阻薄膜(103)。3.如权利要求1所述的的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中对所述透明导电薄膜(101)和金属薄膜(102)进行蚀刻的过程包括：进行第一次蚀刻，除去除待形成栅极和阵列基板公共电极(...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱茂霞，徐洪远，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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