一种阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法，涉及液晶显示技术领域，该阵列基板的制造方法通过分段刻蚀使像素区域内的第一接触孔处的第一保护层和第二保护层形成不同的坡度角，同时通过分段刻蚀形成端子区域内的端子接触孔，该分段刻蚀工艺可以有效地减少第一接触孔处像素电极和源漏电极层之间的阻抗，提升阵列基板不同像素区域内该阻抗的均一性，并且有效解决了端子接触孔所需刻蚀量比第一接触孔所需刻蚀量更大所导致的像素电极爬坡状况不佳问题。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制造方法
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。
技术介绍
边缘场开关(FringeFieldSwitching，简称FFS)技术，是目前的一种液晶显示器技术，是液晶显示
为实现大尺寸，高清晰桌面显示器和液晶电视应用而开发的一种广视角技术。FFS液晶面板具有响应时间快、光透过率高，宽视角等优点，但是由于FFS液晶面板采用两层氧化铟锡(Indiumtinoxide，简称ITO)来制作，它本身的制作流程要比一般的液晶面板要多一到两道光罩(mask，或称为掩膜版)工艺。为了缩减成本，提升产能，液晶显示行业对减光罩技术进行了开发研究，通过采用背沟道刻蚀(BackCannelEtching，BCE)技术和半透掩膜光罩(HalfToneMask，HTM)技术，可以实现6道光罩的阵列基板制造工序，阵列基板的结构如图1所示，其制造方法具体包括以下步骤：第一步：在衬底基板01上形成第一金属层，对第一金属层进行图案化形成位于像素区域内的栅极02和与栅极02连接的扫描线、以及位于端子区域内的栅极02；第二步：在第一金属层上覆盖并形成栅极绝缘层03，在栅极绝缘层上03沉积半导体材料，在半导体材料上沉积形成第二金属层；通过半透掩膜光罩同时对半导体材料进行图案化形成有源层04，对第二金属层进行图案化形成源漏电极层05；第三步：在上述第二步的基础上覆盖并形成第一保护层06，再在第一保护层06上形成有机绝缘层07，对有机绝缘层07进行图案化形成位于像素区域内的第一开口100和位于端子区域内的第二开口200；第四步：在有机绝缘层07上沉积第一透明导电层，对第一透明导电层进行图案化形成位于像素区域内的公共电极08：第五步：在上述第四步的基础上沉积第二保护层09；在像素区域内，一次性对第二保护层09和第一保护层06进行图案化形成第一接触孔，第一接触孔位于第一开口100内；同时在端子区域内，一次性对第二保护层09、第一保护层06和栅极绝缘层03进行图案化形成端子接触孔，端子接触孔位于第二开口200内；第六步：在第二保护层09上沉积第二透明导电层，对第二透明导电层进行图案化形成像素电极010；在像素区域内，像素电极010通过第一接触孔与源漏电极层05电性连接；在端子区域内，像素电极010通过端子接触孔和栅极02电性连接。在上述第五步中，像素区域内需刻蚀出第一接触孔的第二保护层09和第一保护层06的总膜厚约端子区域内需刻蚀出端子接触孔的第二保护层09、第一保护层09和栅极绝缘层03的总膜厚约因此，相对于端子区域，像素区域相当于存在100％过刻蚀。即当像素区域内的第一接触孔刻蚀完成后，端子区域内的第二接触孔和第三接触孔还需进行栅极绝缘层03的刻蚀，栅极绝缘层03的膜厚约从而导致第一接触孔的侧壁保护层被刻蚀，该侧壁保护层包括第二保护层09和第一保护层06，导致覆盖第一接触孔侧壁的像素电极010爬坡状况不佳，第一接触孔处像素电极010和源漏电极层05之间的阻抗较大，并且显示面板不同像素区域内该阻抗的均一性较差，影响产品品质。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供了一种阵列晶体管的制造方法，能够减少接触孔处像素电极和源漏电极层之间的接触阻抗，并提升阻抗的均一性；本专利技术还公开了应用该制造方法制造的阵列基板。本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术公开了一种阵列基板的制造方法，该方法包括以下步骤：第一步：在衬底基板上形成第一金属层，对第一金属层进行图案化形成位于像素区域内的栅极和与栅极连接的扫描线、位于端子区域内的栅极；第二步，在第一金属层上覆盖并形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成有源层，再在有源层上形成源漏电极层；第三步：在上述第二步的基础上覆盖并形成第一保护层，再在第一保护层上覆盖并形成有机绝缘层，对有机绝缘层进行图案化形成位于像素区域内的第一开口和位于端子区域内的第二开口；第一开口暴露出需要形成第一接触孔位置的第一保护层，第二开口用于暴露出需要形成端子接触孔位置的第一保护层；第四步：在有机绝缘层上沉积第一透明导电层，对第一透明导电层进行图案化形成位于像素区域内的公共电极；第五步：在上述第四步的基础上沉积第二保护层；在像素区域内，分两次刻蚀对第二保护层和第一保护层进行图案化形成第一接触孔，第一接触孔位于第一开口内；同时在端子区域内，分两次刻蚀对第二保护层、第一保护层和栅极绝缘层进行图案化形成端子接触孔，端子接触孔位于第二开口内；第六步：在第二保护层上沉积第二透明导电层，对第二透明导电层进行图案化形成像素电极；在像素区域内，像素电极通过第一接触孔与源漏电极层电性连接。优选地，第五步中所述的分两次刻蚀包括一段刻蚀和二段刻蚀，一段刻蚀刻蚀掉第一接触孔内的第二保护层和端子接触孔内的第二保护层，二段刻蚀刻蚀掉第一接触孔内的第一保护层、端子接触孔内第二保护层和栅极绝缘层。优选地，二段刻蚀完成后，第一接触孔侧壁处的第一保护层形成第一坡度角，第一接触孔侧壁处的第二保护层形成第二坡度角，第一坡度角的大小小于第二坡度角的大小。优选地，第一坡度角的大小为20～30°，第二坡度角的大小为65～75°。优选地，所述第二步中在栅极绝缘层上沉积半导体材料，在半导体材料上沉积形成第二金属层，再在第二金属层上形成光阻层，通过半透掩膜光罩同时对半导体材料进行图案化形成半导体层，对第二金属层进行图案化形成源漏电极层，最后对光阻层进行剥离。优选地，所述半透掩膜光罩包括位于端子区域内的全透区、位于像素区域内的半透区以及均位于像素区域内和端子区域内的不透区；像素区域内，半透区位于像素区域的沟道区域上方且位于不透区之间，半透区的透光率为15％～50％；端子区域内，不透区位于栅极的上方且位于全透区之间；所述第二步中栅极绝缘层上沉积半导体材料，在半导体材料上沉积形成第二金属层，再在第二金属层上沉积光阻层，使用所述半透掩膜光罩对光阻层进行曝光和显影，光阻层在半透掩膜光罩的不透区所对应的位置，形成厚光阻层覆盖的像素区域，且形成厚光阻层覆盖的端子区域；光阻层在半透掩膜光罩的半透区所对应的位置，形成薄光阻层覆盖的像素区域；光阻层在半透掩膜光罩的全透区所对应的位置，形成无光阻层覆盖的端子区域；进行第一次刻蚀，使得无光阻层覆盖的端子区域内第二金属层被刻蚀完，同时像素区域内位于沟道区域上方的薄光阻层被灰化干净，暴露出沟道区域的第二金属层；进行第二次刻蚀，使无光阻层覆盖的端子区域内半导体材料被刻蚀完。优选地，半导体材料为金属氧化物半导体，第二次刻蚀使用的刻蚀液只能刻蚀所述半导体材料，而不能刻蚀第二金属层。本专利技术还公开了一种阵列基板，其包括纵横交错的扫描线和数据线、位于扫描线和数据线交错处的TFT开关、由扫描线和数据线交叉限定的多个像素区域、位于每个像素区域内的像素电极以及位于TFT开关和像素电极之间的第一保护层和第二保护层、位于第一保护层和第二保护层之间的有机绝缘层以及第一接触孔；所述第一接触孔贯穿所述第一保护层、有机绝缘层和第二保护层，所述TFT开关包括与扫描线连接的栅极、与数据线连接的源极以及漏极，所述漏极通过所述第一接触孔与像素电极连接；所述第一接触孔侧壁处的第一保护层形成第一坡度角，所述第一接触孔侧壁处的第二保护层形成第二坡度角，所述第一坡度角小于所述第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：第一步：在衬底基板上形成第一金属层，对第一金属层进行图案化形成位于像素区域内的栅极和与栅极连接的扫描线、位于端子区域内的栅极；第二步，在第一金属层上覆盖并形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成有源层，再在有源层上形成源漏电极层；第三步：在上述第二步的基础上覆盖并形成第一保护层，再在第一保护层上覆盖并形成有机绝缘层，对有机绝缘层进行图案化形成位于像素区域内的第一开口和位于端子区域内的第二开口；第一开口暴露出需要形成第一接触孔位置的第一保护层，第二开口用于暴露出需要形成端子接触孔位置的第一保护层；第四步：在有机绝缘层上沉积第一透明导电层，对第一透明导电层进行图案化形成位于像素区域内的公共电极；第五步：在上述第四步的基础上沉积第二保护层；在像素区域内，分两次刻蚀对第二保护层和第一保护层进行图案化形成第一接触孔，第一接触孔位于第一开口内；同时在端子区域内，分两次刻蚀对第二保护层、第一保护层和栅极绝缘层进行图案化形成端子接触孔，端子接触孔位于第二开口内；第六步：在第二保护层上沉积第二透明导电层，对第二透明导电层进行图案化形成像素电极；在像素区域内，像素电极通过第一接触孔与源漏电极层电性连接。...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：第一步：在衬底基板上形成第一金属层，对第一金属层进行图案化形成位于像素区域内的栅极和与栅极连接的扫描线、位于端子区域内的栅极；第二步，在第一金属层上覆盖并形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成有源层，再在有源层上形成源漏电极层；第三步：在上述第二步的基础上覆盖并形成第一保护层，再在第一保护层上覆盖并形成有机绝缘层，对有机绝缘层进行图案化形成位于像素区域内的第一开口和位于端子区域内的第二开口；第一开口暴露出需要形成第一接触孔位置的第一保护层，第二开口用于暴露出需要形成端子接触孔位置的第一保护层；第四步：在有机绝缘层上沉积第一透明导电层，对第一透明导电层进行图案化形成位于像素区域内的公共电极；第五步：在上述第四步的基础上沉积第二保护层；在像素区域内，分两次刻蚀对第二保护层和第一保护层进行图案化形成第一接触孔，第一接触孔位于第一开口内；同时在端子区域内，分两次刻蚀对第二保护层、第一保护层和栅极绝缘层进行图案化形成端子接触孔，端子接触孔位于第二开口内；第六步：在第二保护层上沉积第二透明导电层，对第二透明导电层进行图案化形成像素电极；在像素区域内，像素电极通过第一接触孔与源漏电极层电性连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：第五步中所述的分两次刻蚀包括一段刻蚀和二段刻蚀，一段刻蚀刻蚀掉第一接触孔内的第二保护层和端子接触孔内的第二保护层，二段刻蚀刻蚀掉第一接触孔内的第一保护层、端子接触孔内第二保护层和栅极绝缘层。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：二段刻蚀完成后，第一接触孔侧壁处的第一保护层形成第一坡度角，第一接触孔侧壁处的第二保护层形成第二坡度角，第一坡度角的大小小于第二坡度角的大小。4.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：第一坡度角的大小为20～30°，第二坡度角的大小为65～75°。5.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述第二步中在栅极绝缘层上沉积半导体材料，在半导体材料上沉积形成第二金属层，再在第二金属层上形成光阻层，通过半透掩膜光罩同时对半导体材料进行图案化形成半导体层，对第二金属层进行图案化形成源漏电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：董波，简锦城，杨帆，郑帅，彭云霞，李梦颖，戴超，王志军，
申请(专利权)人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，南京中电熊猫平板显示科技有限公司，南京华东电子信息科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32