【技术实现步骤摘要】
TFT阵列基板及其制作方法与OLED显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制作方法与OLED显示面板。
技术介绍
有机发光二极管显示装置(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材...
【技术保护点】
1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(1)，在衬底基板(1)上形成半导体材料膜并图案化，形成第一半导体图案(38)；步骤S2、在第一半导体图案(38)及衬底基板(1)上形成栅极绝缘层(4)；步骤S3、在栅极绝缘层(4)上形成第一金属膜并图案化，形成位于第一半导体图案(38)上方的栅极(5)；所述栅极(5)暴露出第一半导体图案(38)的两端；步骤S4、以栅极(5)为遮挡对第一半导体图案(38)进行掺杂，形成有源图案(31)；步骤S5、在栅极绝缘层(4)上形成导电材料膜并图案化，形成与有源图案(31)在水平方向上相间隔的第一电极(6...
【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(1)，在衬底基板(1)上形成半导体材料膜并图案化，形成第一半导体图案(38)；步骤S2、在第一半导体图案(38)及衬底基板(1)上形成栅极绝缘层(4)；步骤S3、在栅极绝缘层(4)上形成第一金属膜并图案化，形成位于第一半导体图案(38)上方的栅极(5)；所述栅极(5)暴露出第一半导体图案(38)的两端；步骤S4、以栅极(5)为遮挡对第一半导体图案(38)进行掺杂，形成有源图案(31)；步骤S5、在栅极绝缘层(4)上形成导电材料膜并图案化，形成与有源图案(31)在水平方向上相间隔的第一电极(6)；步骤S6、在第一电极(6)、栅极(5)及栅极绝缘层(4)上形成层间绝缘层(7)；对层间绝缘层(7)及栅极绝缘层(4)进行图案化，在第一电极(6)上方形成第一开口(71)，在有源图案(31)的两端上方分别形成第一过孔(72)及第二过孔(73)；步骤S7、在第一电极(6)及层间绝缘层(7)上形成第二金属膜并图案化，形成间隔的源极(81)及漏极(82)；源极(81)及漏极(82)分别经第一过孔(72)及第二过孔(73)与有源图案(31)的两端接触；源极(81)靠近第一电极(6)的一端经第一开口(71)与第一电极(6)靠近源极(81)的一端接触。2.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，在衬底基板(1)上形成半导体材料膜之前还在衬底基板(1)上形成阻隔层(2)，所述半导体材料膜形成在阻隔层(2)上；所述步骤S2中栅极绝缘层(4)形成在第一半导体图案(38)及阻隔层(2)上；所述的TFT阵列基板的制作方法还包括：步骤S8、在层间绝缘层(7)、第一电极(6)、源极(81)及漏极(82)上形成平坦化层(9)，对所述平坦化层(9)进行图案化，形成于第一开口(71)内位于第一电极(6)上方的第二开口(91)；步骤S9、在平坦化层(9)上形成有机材料膜并图案化，形成隔垫物(10)。3.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中在对半导体材料膜图案化形成第一半导体图案(38)的同时还形成与第一半导体图案(38)间隔的第二半导体图案(39)；所述步骤S2中栅极绝缘层(4)还形成在第二半导体图案(39)上；所述步骤S4中，以栅极(5)为遮挡对第一半导体图案(38)进行掺杂形成有源图案(31)的同时，还对第二半导体图案(39)进行掺杂形成第一电容极板(32)；所述步骤S5形成的第一电极(6)与第一电容极板(32)在水平方向上相间隔；所述步骤S6中，对层间绝缘层(7)及栅极绝缘层(4)进行图案化形成第一开口(71)、第一过孔(72)及第二过孔(73)的同时，还在第一电容极板(32)上的栅极绝缘层(4)上方形成第三开口(74)；所述步骤S7中，在对第二金属膜图案化形成源极(81)及漏极(82)的同时还形成与源极(81)及漏极(82)间隔的第二电容极板(83)；所述第二电容极板(83)位于第一电容极板(32)上方，所述第二电容极板(83)覆盖第三开口(74)。4.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述有源图案(31)包括与栅极(5)相对的沟道(311)及分别位于沟道(311)两端的源极接触区(312)及漏极接触区(313)；所述第一过孔(72)及第二过孔(73)分别位于源极接触区(312)及漏极接触区(313)上方；源极(81)及漏极(82)分别经第一过孔(72)及第二过孔(73)与源极接触区(312)及漏极接触区(313)。5.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中采用等离子体增强化学气相沉积的方式在衬底基板(1)上形成阻隔层(2)；所述阻隔层(2)为氧化硅层、氮化硅层或氧化硅层与氮化硅层的叠层结构；所述半导体材料膜为多晶硅膜，所述步骤S1中在阻隔层(2)上形成半导体材料膜的具体过程为：采用等离子体增强化学气相沉积的方式在阻隔层(2)上形成单晶硅膜并对单晶硅膜进行准分子激光退火处理形成多晶硅膜；所述步骤S2中采用等离子体增强化学气相沉积的方式在第一半导体图案(38)及阻隔层(2)上形成栅极绝缘层(4)；所述栅极绝缘层(4)为氧化硅层、氮化硅层或氧化硅层与氮化硅层的叠层结构；所述步骤S3中采用物理气相沉积的方式在栅极绝缘层(4)上形成第一金属膜；所述第一金属...
【专利技术属性】
技术研发人员：余赟，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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