半导体薄膜结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体薄膜结构，包括第一膜层、第二膜层、第三膜层及第四膜层，各膜层的材质相同，其中，第一膜层位于一晶圆表面，第一膜层的厚度自晶圆中心向晶圆边缘逐渐增大；第二膜层位于第一膜层表面，且厚度自晶圆中心向晶圆边缘逐渐减小；第三膜层位于第二膜层表面，且厚度自晶圆中心向晶圆边缘逐渐增大；第四膜层位于第三膜层表面，且厚度自晶圆中心向晶圆边缘逐渐减小。本实用新型专利技术的半导体薄膜结构，各个膜层之间紧密贴合且在各个径向上的厚度形成良好的互补，使得整个半导体薄膜结构非常稳定，有利于后续器件的形成，有助于生产良率的提高。

【技术实现步骤摘要】
半导体薄膜结构
本技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种半导体薄膜结构。
技术介绍
扩散工艺是半导体芯片制造中最主要的掺杂工艺，它是在高温条件下，将磷、硼等原子扩散到晶圆内，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，以便建立起不同的电特性区域。现有技术中常用的扩散设备如图1所示，装载有上百片乃至数百片晶圆11的晶舟12被放置在一反应腔室12内，通过位于反应腔室12外围的加热器给晶圆11进行加热，加热到预设的反应温度后往反应腔室12内通入反应气体以进行扩散沉积，在预定的时间后停止反应气体的供应，之后开始降温直至降到初始温度，整个扩散过程就结束，图2示意了一般的扩散过程。即在现有的扩散工艺中，扩散沉积过程仅在晶圆11升温到反应温度后才真正开始，反应气体仅在沉积阶段通入，在晶圆11的升温过程中以及在完成扩散沉积后的降温过程中是不向反应腔室12内通入反应气体的。这样的扩散过程容易导致沉积出的薄膜20出现如图3中所示的厚度不均匀现象。这是因为现有的加热器一般是电阻型加热器，即利用布置在反应腔室12外围的加热线圈14进行加热，因而晶圆11自边缘向中心距加热线圈14的距离逐渐增加，受到的热辐本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体薄膜结构，其特征在于：所述半导体薄膜结构包括第一膜层、第二膜层、第三膜层及第四膜层，所述第一膜层、所述第二膜层、所述第三膜层及所述第四膜层的材质相同，其中，所述第一膜层位于一晶圆表面，所述第一膜层的厚度自所述晶圆中心向所述晶圆边缘逐渐增大；所述第二膜层位于所述第一膜层表面，且所述第二膜层的厚度自所述晶圆中心向所述晶圆边缘逐渐减小；所述第三膜层位于所述第二膜层表面，且所述第三膜的层厚度自所述晶圆中心向所述晶圆边缘逐渐增大；所述第四膜层位于所述第三膜层表面，且所述第四膜层的厚度自所述晶圆中心向所述晶圆边缘逐渐减小。

【技术特征摘要】
1.一种半导体薄膜结构，其特征在于：所述半导体薄膜结构包括第一膜层、第二膜层、第三膜层及第四膜层，所述第一膜层、所述第二膜层、所述第三膜层及所述第四膜层的材质相同，其中，所述第一膜层位于一晶圆表面，所述第一膜层的厚度自所述晶圆中心向所述晶圆边缘逐渐增大；所述第二膜层位于所述第一膜层表面，且所述第二膜层的厚度自所述晶圆中心向所述晶圆边缘逐渐减小；所述第三膜层位于所述第二膜层表面，且所述第三膜的层厚度自所述晶圆中心向所述晶圆边缘逐渐增大；所述第四膜层位于所述第三膜层表面，且所述第四膜层的厚度自所述晶圆中心向所述晶圆边缘逐渐减小。2.根据权利要求1所述的半导体薄膜结构，其特征在于：所述第一膜层和所述第二膜层在所述晶圆中心的厚度总和与...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34