去除附着于高致密氧化钇涂层表面的二氧化硅薄膜的清洗方法技术

一种去除附着于高致密氧化钇涂层表面的二氧化硅薄膜的清洗方法，包括以下步骤：将料板浸入装有纯水的预处理容器中，预浸1‑5min；将预处理后的料板置入第一处理容器中处理1‑5min，第一处理容器中装有氢氟酸和硝酸的混合溶液，按重量比硝酸与氢氟酸之间比值为1：3‑1：5，氢氟酸与纯水之间的比值为1：20；将料板置入第二处理容器中处理1‑5min，第二处理容器中装有氢氟酸和盐酸的混合溶液，按重量比盐酸与氢氟酸之间比值为1：3‑1：5，氢氟酸与纯水之间的比值为1：7；将料板置入第三处理容器中处理1‑5min，第三容器中装有纯水；在60℃下烘干2‑10min。本发明专利技术技术简单、易于实施，且处理效率更高。

【技术实现步骤摘要】
去除附着于高致密氧化钇涂层表面的二氧化硅薄膜的清洗方法
本专利技术涉及半导体制造的
，具体说是一种去除附着于高致密氧化钇涂层表面的二氧化硅薄膜的清洗方法。
技术介绍
集成电路目前应用于各种电气和电子设备行业。纯半导体材料的晶片是通过电子电路逐渐产生的多个步骤进行加工的。经过这几年小型化发展，对在每个加工步骤的清洁提出了更高的要求。此外，由于目前晶片的特征尺寸低于25nm，高密度等离子体冲蚀条件下处理室的耐腐蚀已成为一个关键问题，因为从设备表面释放的颗粒会在晶片上产生缺陷。这种缺陷会导致晶片报废，影响了设备的产量。采用高纯氧化钇涂层替代原有的铝阳极氧化涂层，能极大地提高抗腐蚀性。氧化钇目前应用于严苛的等离子冲蚀条件下的涂层处理室。然而，尽管这种材料的抗腐蚀性优于铝阳极氧化材料，获得高致密度的涂层仍然是一个首要的目标，因为它直接影响着涂层的抗侵蚀速率和抵抗颗粒释放的能力。在半导体元件的生产过程中，高致密氧化钇涂层表面往往会附着二氧化硅薄膜，而二氧化硅薄膜较难去除，继而会影响整体的生产效率。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种去除附着于高致密氧化钇涂层表面的二氧化硅薄膜的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：A、将料板浸入装有纯水的预处理容器中，预浸1‑5min；B、将预处理后的料板置入第一处理容器中处理1‑5min，第一处理容器中装有氢氟酸和硝酸的混合溶液，其中按重量比硝酸与氢氟酸之间比值为1：3‑1：5，氢氟酸与纯水之间的比值为1：20；C、将料板置入第二处理容器中处理1‑5min，第二处理容器中装有氢氟酸和盐酸的混合溶液，其中按重量比盐酸与氢氟酸之间比值为1：3‑1：5，氢氟酸与纯水之间的比值为1：7；D、将料板置入第三处理容器中处理1‑5min，第三容器中装有纯水；E、在60℃下烘干2‑10min。

【技术特征摘要】
1.一种去除附着于高致密氧化钇涂层表面的二氧化硅薄膜的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：A、将料板浸入装有纯水的预处理容器中，预浸1-5min；B、将预处理后的料板置入第一处理容器中处理1-5min，第一处理容器中装有氢氟酸和硝酸的混合溶液，其中按重量比硝酸与氢氟酸之间比值为1：3-1：5，氢氟酸与纯水之间的比值为1：20；C、将料板置入第二处理容器中处理1-5min，第二处理容器中装有氢氟酸和盐酸的混合溶液，其中按重量比盐...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆帅帅，贺贤汉，
申请(专利权)人：富乐德科技发展天津有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12