一种改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法技术

本发明专利技术提供一种改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法，包括：刻蚀腔体和设于其内部用于固定晶圆的静电吸盘；对静电吸盘定期保养时针对静电吸盘进行多次顺时针擦拭使其表面平整；使刻蚀腔体在其内壁涂SiCl4时，挡片能够更紧密地贴合于静电吸盘，避免SiCl4更多的粘在静电吸盘上，从而污染晶圆背面；对刻蚀后的晶圆背面进行清洗，去掉其背面的聚合物，避免在晶圆进入酸槽进行湿法刻蚀时聚合物被洗入酸槽，在晶圆正面形成棍状缺陷的现象，有效提高半导了体产品的良率。

A Method for Improving the Bar-like Defects in Polycrystalline Silicon Etching Cavity

The invention provides a method for improving the rod-shaped defects of polycrystalline silicon etching cavity, including etching cavity and electrostatic sucker for fixing wafer inside it, cleaning electrostatic sucker clockwise for several times during regular maintenance to make its surface smooth, making the shield more closely adhere to the electrostatic sucker when etching cavity is coated with SiCl4 on its inner wall, and avoiding SiCl4. More stick on the electrostatic sucker, thus polluting the back of the wafer; clean the etched wafer back, remove the polymer on the back, avoid the polymer being washed into the acid tank when the wafer enters the acid tank for wet etching, and form rod defects on the front of the wafer, effectively improve the yield of semi-conductor products.

【技术实现步骤摘要】
一种改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法。
技术介绍
目前在大规模晶圆制造过程中，刻蚀腔体内部的静电吸盘是在真空大气压下保证晶圆固定的最佳部件，因刻蚀腔体的环境需求是要将SiCl4涂在腔体及裸露的静电吸盘上，制程过程中硅片的背面是受静电吸盘的作用固定住的，所涂的SiCl4会有余量粘在硅片背面的现象，刻蚀后的晶片进入酸槽后，粘在背面的聚合物经过氢氟酸清洗后，聚合物被洗入槽中，后经热硫酸清洗后会反粘到晶圆表面，在晶圆的正面形成棍状缺陷，且整片晶圆的缺陷是酸槽制程结束受机械手臂方向往上提的水流方向，因此极大地影响了产品的良率。为此，需要一种可以改善此棍状缺陷的可靠性方法，避免晶圆背面带来的缺陷源而使得晶圆正面被污染从而导致产品良率的下降。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法，用于解决现有技术中由于刻蚀后的晶片进入酸槽后，粘在背面的聚合物经过氢氟酸清洗后，聚合物被洗入槽中，后经热硫酸后会反粘到晶圆表面，形成棍状缺陷的问题。为实现上述目的及其他相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法，其特征在于，该方法至少包括：步骤一、提供一刻蚀腔体，该刻蚀腔体内部设有用于固定晶圆的静电吸盘；步骤二、对所述刻蚀腔体进行定期保养，在进行该定期保养的同时针对所述静电吸盘进行多次顺时针擦拭使所述静电吸盘表面平整；步骤三、对所述刻蚀腔体进行自清洁，提供一控片，将所述控片贴合于所述静电吸盘表面并覆盖所述静电吸盘表面的全部，之后在所述刻蚀腔体内壁涂SiCl4，避免SiCl4直接作用于该静电吸盘表面；步骤四、提供一刻蚀后的晶圆，对该晶圆背面进行清洗，使得该晶圆背面无聚合物的残留。

【技术特征摘要】
1.一种改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法，其特征在于，该方法至少包括：步骤一、提供一刻蚀腔体，该刻蚀腔体内部设有用于固定晶圆的静电吸盘；步骤二、对所述刻蚀腔体进行定期保养，在进行该定期保养的同时针对所述静电吸盘进行多次顺时针擦拭使所述静电吸盘表面平整；步骤三、对所述刻蚀腔体进行自清洁，提供一控片，将所述控片贴合于所述静电吸盘表面并覆盖所述静电吸盘表面的全部，之后在所述刻蚀腔体内壁涂SiCl4，避免SiCl4直接作用于该静电吸盘表面；步骤四、提供一刻蚀后的晶圆，对该晶圆背面进行清洗，使得该晶圆背面无聚合物的残留。2.根据权利要求1所述的改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法，其特征在于：所述步骤一中的刻蚀腔体采用先进腔体环境控制系统。3.根据权利要求2所述的改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法，其特征在于：所述步骤二中对所述静电吸盘进行多次顺时针擦拭的方式为：进行30次规律性的顺时针擦拭。4.根据权利要求3所述的改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法，其特征在于：所述步骤二中对所述静电吸盘进行多次顺时针擦拭的方式为人工擦拭。5.根据权利要求1所述的改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法，其特征在于：所述步骤二中定期保养的周期为500-550小时。6.根据权利要求1所述的改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法，其特征在于：步骤三中在所述刻蚀腔体内壁涂SiCl4使该刻蚀腔体内壁形成一层SiC...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡伟玲，聂钰节，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31