The present application discloses a cleaning method for silicon carbide wafers, which belongs to the field of semiconductor material preparation. The cleaning method of the silicon carbide wafer includes plasma cleaning and wet cleaning steps. The cleaning method of the silicon carbide wafer makes the surface of the silicon carbide wafer cleaner; reduces the contamination degree of the impurities to the cleaning tank in the wet cleaning step, and reduces the replacement frequency of the cleaning solution; the plasma cleaning operation is simple, environmental protection, and the removal efficiency of impurities is high, which can improve the overall working efficiency.
【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶片的清洗方法
本申请涉及一种碳化硅晶片的清洗方法，属于半导体材料制备领域。
技术介绍
碳化硅作为最重要的第三代半导体材料之一，因其具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、击穿场强大、热导率高等优异性质，而被广泛应用于电力电子、射频器件、光电子器件等领域。由于SiC晶片加工中需要由许多有机物和无机物共同参与完成，且诸多工艺需由人的参与进行，因此产品不可避免的会被一些有机物、颗粒、金属和氧化物等杂质污染。在碳化硅做成的集成电路内，各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到这些杂质污染，很容易造成芯片内电路功能的损坏，形成短路或断路，导致集成电路失效，造成严重损失。因此碳化硅衬底在最终加工完毕后，必须保证其高度的洁净度。目前，行业内大多使用RCA湿式化学清洗技术，该技术中涉及到的溶液有硫酸与双氧水的混合液(简称SPM)、氨水与双氧水的混合液(简称APM)、盐酸和双氧水的混合液(简称HPM)、氢氟酸溶液(简称DHF)通过调整清洗液的配比，清洗温度，清洗时间等工艺，可以使产品达到不同的清洗效果。现有技术清洗后的碳化硅晶片，往往还会有少量的颗粒清除不掉，有些颗粒可以...
【技术保护点】
1.一种碳化硅晶片的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括等离子清洗和湿法清洗的步骤。
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶片的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括等离子清洗和湿法清洗的步骤。2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述等离子清洗中的等离子气体选自空气、氧气、氮气、氩气和氢气中的至少一种。3.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述等离子清洗包括对碳化硅晶片碳面和/或碳化硅晶片硅面进行清洗的步骤。4.根据权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述等离子体清洗步骤包括将碳化硅晶片置于等离子体设备中，用等离子气体清洗碳化硅晶片至少1min；优选地，所述清洗碳化硅晶片的时间为1～15min。5.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗碳化硅晶片的真空度为1-150Pa。6.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗碳化硅晶片的等离子体设备的功率...
【专利技术属性】
技术研发人员：时文灵，梁庆瑞，王含冠，王瑞，
申请(专利权)人：山东天岳先进材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37
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