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半导体薄膜结构制造技术
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文档序号:20845455
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本实用新型提供一种半导体薄膜结构,包括第一膜层、第二膜层、第三膜层及第四膜层,各膜层的材质相同,其中,第一膜层位于一晶圆表面,第一膜层的厚度自晶圆中心向晶圆边缘逐渐增大;第二膜层位于第一膜层表面,且厚度自晶圆中心向晶圆边缘逐渐减小;第三膜层...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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