低温多晶硅层及薄膜晶体管制造技术

本揭示提供了低温多晶硅层及薄膜晶体管。低温多晶硅层包括基板、至少一缓冲层以及多晶硅层。至少一缓冲层设置在基板上。多晶硅层设置在至少一缓冲层上。多晶硅层包括沟道区域、设置在沟道区域的两侧的两个低掺杂区域、设置在低掺杂区域的外侧的两个高掺杂区域。沟道区域的边缘及至少部分低掺杂区域的厚度小于多晶硅层的其他位置的厚度。本揭示能减少低温多晶硅层对光子的吸收及降低低温多晶硅层的光生漏电流。

【技术实现步骤摘要】
低温多晶硅层及薄膜晶体管
本揭示涉及显示
，特别涉及一种低温多晶硅层及薄膜晶体管。
技术介绍
低温多晶硅(lowtemperaturepolysilicon,LTPS)技术具有高载流子迁移率，被广泛用于具有高分辨率的中小尺寸的薄膜晶体管液晶显示器(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay,TFTLCD)和有源矩阵有机发光二极体(active-matrixorganiclightemittingdiode,AMOLED)面板的制作，因而具有广阔的应用前景。在传统的低温多晶硅技术中，薄膜晶体管通常包括顶栅(topgate)结构及遮光层(lightshieldlayer，LS)，其中遮光层的制备需要增加一道遮光层光罩的制程，因此薄膜晶体管阵列基板制作所需的光罩数量更多及产品制作周期更长。在另一传统的低温多晶硅技术中，薄膜晶体管的沟道容易引起光生漏电流，过大的漏电流将显着影响显示器的光学显示效果，如串扰(crosstalk)、闪烁(flicker)、对比度降低等。故，有需要提供一种低温多晶硅层及薄膜晶体管，以解决现有技术存在的问题。【技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低温多晶硅层，其特征在于，包括:基板；至少一缓冲层，设置在所述基板上；以及多晶硅层，设置在所述至少一缓冲层上，所述多晶硅层包括沟道区域、设置在所述沟道区域的两侧的两个低掺杂区域以及设置在所述低掺杂区域的外侧的两个高掺杂区域，所述沟道区域的边缘及至少部分所述低掺杂区域的厚度小于所述多晶硅层的其他位置的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅层，其特征在于，包括:基板；至少一缓冲层，设置在所述基板上；以及多晶硅层，设置在所述至少一缓冲层上，所述多晶硅层包括沟道区域、设置在所述沟道区域的两侧的两个低掺杂区域以及设置在所述低掺杂区域的外侧的两个高掺杂区域，所述沟道区域的边缘及至少部分所述低掺杂区域的厚度小于所述多晶硅层的其他位置的厚度。2.如权利要求1所述的低温多晶硅层，其特征在于，所述低掺杂区域是N低掺杂区域，所述高掺杂区域是N高掺杂区域。3.如权利要求1所述的低温多晶硅层，其特征在于，所述多晶硅层的所述沟道区域具有不同的厚度，所述多晶硅层的所述沟道区域的所述边缘及至少部分所述低掺杂区域的所述厚度小于所述多晶硅层的所述沟道区域的其他位置的厚度。4.如权利要求1所述的低温多晶硅层，其特征在于，所述多晶硅层的所述高掺杂区域具有不同的厚度，所述多晶硅层的所述高掺杂区域的边缘接触所述低掺杂区域且所述高掺杂区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：李立胜，何鹏，颜源，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42