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低温多晶硅层及薄膜晶体管制造技术
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文档序号:20845452
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本揭示提供了低温多晶硅层及薄膜晶体管。低温多晶硅层包括基板、至少一缓冲层以及多晶硅层。至少一缓冲层设置在基板上。多晶硅层设置在至少一缓冲层上。多晶硅层包括沟道区域、设置在沟道区域的两侧的两个低掺杂区域、设置在低掺杂区域的外侧的两个高掺杂区域...
该专利属于武汉华星光电技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。
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