基板结构及其制法制造技术

一种基板结构及其制法，其于基板本体的线路层的顶面形成有至少一凹部，以供后续结合如焊锡凸块的导电元件，故无需于该线路层上形成凸块底下金属层(UBM)，因而能有效降低制作成本。

Substrate Structure and Its Manufacturing Method

A substrate structure and its fabrication method form at least one concave part on the top surface of the circuit layer of the substrate body for subsequent bonding of conductive components such as solder bumps, so it is not necessary to form a metal layer under the bump (UBM) on the circuit layer, thus effectively reducing the fabrication cost.

【技术实现步骤摘要】
基板结构及其制法
本专利技术有关一种基板结构，尤指一种具线路层的基板结构。
技术介绍
一般电子封装件的基板结构(如晶片、封装基板)为于电性接点上形成焊锡凸块，并经回焊(reflow)后会变成焊锡球，以供外接其它电子装置。图1A至图1D为现有基板结构1的制法的剖面示意图。如图1A所示，于一具有至少一电性接点100的半导体基板10上依序形成一钝化层11及一第一介电层12，再形成一线路层13于该第一介电层12上，并使该线路层13电性连接该电性接点100。接着，如图1B所示，形成一第二介电层14于该线路层13与该第一介电层12上，且该第二介电层14形成有至少一外露该线路层13部分表面的开口140。然后，如图1C所示，形成一凸块底下金属层(UnderBumpMetallurgy，简称UBM)15于该开口140中的线路层13上。之后，如图1D所示，形成一焊锡凸块16于该凸块底下金属层15上以电性连接该线路层13，以供结合半导体元件、封装基板或电路板等电子装置。然而，前述现有基板结构1的制法中，因通过该开口140与该凸块底下金属层15构成金属凹口以利于结合该焊锡凸块16，故需于该线路层13上形成该第二介电层14与该凸块底下金属层15，导致制作成本难以降低。因此，如何克服上述现有技术的问题，实已成目前亟欲解决的问题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的种种缺失，本专利技术提供一种基板结构及其制法，能有效降低制作成本。本专利技术的基板结构，包括：基板本体，其具有至少一电性接点；绝缘层，其形成于该基板本体上，并使该电性接点外露出该绝缘层；以及线路层，其形成于该绝缘层上且电性连接该电性接点，其中，该线路层的顶面形成有至少一凹部。本专利技术亦提供一种基板结构的制法，包括：提供一具有至少一电性接点及绝缘层的基板本体，该电性接点外露出该绝缘层；以及形成线路层于该绝缘层上，以令该线路层电性连接该电性接点，且令该线路层的顶面形成有至少一凹部。前述的基板结构及其制法中，该线路层定义有相连接的垫部与迹线部，其中，该凹部形成于该垫部上。例如，该垫部的宽度大于或等于该迹线部的宽度。前述的基板结构及其制法中，该凹部未贯穿该线路层。前述的基板结构及其制法中，该凹部的制程包括：形成止蚀层于该线路层的顶面上，且令该止蚀层形成有外露出该线路层部分表面的开口；以及形成该凹部于外露出该开口的线路层部分表面上。例如，该止蚀层为金属材质或绝缘材质，如镍层。进一步地，该止蚀层未接触该绝缘层。前述的基板结构及其制法中，还包括形成导电元件于该凹部上。例如，该导电元件未接触该绝缘层、或者该导电元件接触该凹部的侧面与底面。由上可知，本专利技术的基板结构及其制法，主要通过该线路层的顶面形成有至少一凹部，以供后续结合如焊锡凸块的导电元件，故相较于现有技术，本专利技术的制法无需于该线路层上形成现有防焊层与现有凸块底下金属层，因而能有效降低制作成本。附图说明图1A至图1D为现有基板结构的制法的剖面示意图；图2A至图2D为本专利技术的基板结构的制法的剖面示意图；图3A为对应图2D的局部上视平面示意图；以及图3B为对应图3A的另一实施例的局部上视平面示意图。符号说明：1,2基板结构10半导体基板100,200电性接点11钝化层12第一介电层13,23线路层14第二介电层140,240开口15凸块底下金属层16焊锡凸块20基板本体21第一绝缘层210第一开孔22第二绝缘层220第二开孔23a顶面230凹部230a底面231,331垫部232迹线部24止蚀层26导电元件d,h厚度R,t宽度Y箭头方向。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”、及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本专利技术可实施的范畴。图2A至图2D为本专利技术的基板结构2的制法的剖面示意图。如图2A所示，于一具有至少一电性接点200的基板本体20上依序形成一第一绝缘层21及一第二绝缘层22，再形成一线路层23于该第二绝缘层22上。所述的基板本体20为绝缘板、金属板、或如晶圆、晶片、硅材、玻璃等的半导体板材。例如，该基板本体20为硅中介板(ThroughSiliconinterposer，简称TSI)或玻璃基板，其具有硅穿孔(Through-siliconvia，简称TSV)与布线层，如扇出(fanout)型线路重布层(redistributionlayer，简称RDL)，使该硅穿孔的端部或该布线层的电性接触垫可作为该电性接点200；或者，该基板本体20为封装基板，其包含具核心层或无核心层(coreless)的线路构造，该线路构造包含如RDL的布线层，其电性接触垫可作为该电性接点200。所述的第一绝缘层21形成有至少一对应外露该电性接点200部分表面的第一开孔210，且形成该第一绝缘层21的材质可例如为氧化层或氮化层，如氧化硅(SiO2)或氮化硅(SixNy)，以作为钝化层。所述的第二绝缘层22形成于该第一绝缘层21上并形成有至少一对应该第一开孔210并外露该电性接点200部分表面的第二开孔220，且形成该第二绝缘层22的材质为介电材料，例如聚亚酰胺(Polyimide，简称PI)、预浸材(Prepreg，简称PP)、苯并环丁烯(Benezocy-clobutene，简称BCB)或聚对二唑苯(Polybenzoxazole，简称PBO)。所述的线路层23延伸至该第二开孔220中以接触该电性接点200而电性连接该电性接点200。于本实施例中，该线路层23是以RDL制程制作，其材质可例如为钛/铜(Ti/Cu)或其它导电材。如图2B所示，形成一止蚀层24于该线路层23上，且该止蚀层24未接触该第二绝缘层22，并使该止蚀层24形成有至少一外露该线路层23的部分顶面23a的开口240。于本实施例中，该止蚀层24为金属材(如镍(Ni)或其它金属)或绝缘材，且其以电镀制程或其它适当制程制作，并可依据后续蚀刻制程所用的蚀刻液选择所需的材质。如图2C所示，于外露出该开口240的线路层23上形成一凹部230。于本实施例中，该凹部230以蚀刻制程制作。具体地，将蚀刻液沿该线路层23的厚度方向(如图2B所示的箭头方向Y)向下蚀刻至一定深度即可，使该凹部230未贯穿该线路层23，亦即移除该线路层23的部分材质以薄化其厚度(如图2B及图2C所示，未蚀刻处的厚度d为9um，蚀刻后的厚度h为4.5um)，故该凹部230的底面230a为该线路层23的材质，因而该第二绝缘层22不会外露出该凹部230。如图2D所示，形成至少一导电元件26于该线路层23的凹部230上以电性连接该线路层23，以供结合半导体元件、封装基板或电路板等电子装置。于本实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板结构，其特征为，该基板结构包括：基板本体，且具有至少一电性接点；绝缘层，其形成于该基板本体上，并使该电性接点外露出该绝缘层；以及线路层，其形成于该绝缘层上且电性连接该电性接点，其中，该线路层的顶面形成有至少一凹部。

【技术特征摘要】
2017.09.29 TW 1061336571.一种基板结构，其特征为，该基板结构包括：基板本体，且具有至少一电性接点；绝缘层，其形成于该基板本体上，并使该电性接点外露出该绝缘层；以及线路层，其形成于该绝缘层上且电性连接该电性接点，其中，该线路层的顶面形成有至少一凹部。2.根据权利要求1所述的基板结构，其特征为，该线路层定义有相连接的垫部与迹线部，且该凹部形成于该垫部上。3.根据权利要求2所述的基板结构，其特征为，该垫部的宽度大于或等于该迹线部的宽度。4.根据权利要求1所述的基板结构，其特征为，该凹部未贯穿该线路层。5.根据权利要求1所述的基板结构，其特征为，该基板结构还包括形成于该线路层顶面上的止蚀层，其中，该止蚀层具有对应该凹部的开口。6.根据权利要求5所述的基板结构，其特征为，形成该止蚀层的材料为金属材质或绝缘材质。7.根据权利要求5所述的基板结构，其特征为，该止蚀层为镍层。8.根据权利要求5所述的基板结构，其特征为，该止蚀层未接触该绝缘层。9.根据权利要求1所述的基板结构，其特征为，该基板结构还包括形成于该凹部上的导电元件。10.根据权利要求9所述的基板结构，其特征为，该导电元件未接触该绝缘层。11.根据权利要求9所述的基板结构，其特征为，该导电元件接触该凹部的侧面与底面。12.一种基板结构的制法...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹慕萱，王隆源，王愉博，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71