存储器控制器的操作方法、以及存储器件及其操作方法技术

一种用于控制非易失性存储器件的存储器控制器的操作方法包括：从非易失性存储器件接收关于操作失败的信息，从非易失性存储器件接收锁出状态信息，基于锁出状态信息确定是否输出了锁出信号，以及根据确定结果将与关于操作失败的信息相对应的失败块确定为正常块或坏块。

The Operation Method of Memory Controller, Memory Device and Its Operation Method

An operation method for a memory controller for controlling non-volatile memory devices includes receiving information about operation failure from non-volatile memory devices, receiving lock-out status information from non-volatile memory devices, determining whether the lock-out signal has been output based on lock-out status information, and determining failure blocks corresponding to information about operation failure according to the determined results. Normal block or bad block.

【技术实现步骤摘要】
存储器控制器的操作方法、以及存储器件及其操作方法相关申请的交叉引用本公开要求于2017年9月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0117390的优先权，其全部内容通过引用并入本文中。
本文描述的专利技术构思的实施例涉及半导体存储器，并且更具体地，涉及存储器控制器的操作方法、包括存储器控制器的存储器件以及存储器件的操作方法。
技术介绍
半导体存储器件可以被分类为断电时丢失存储在其中的数据的易失性存储器件以及即使断电时也保留存储在其中的数据的非易失性存储器件，易失性存储器件例如是静态随机存取存储器(SRAM)、动态RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)，非易失性存储器件例如是只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存器件、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。闪存器件被广泛用作计算系统的大容量存储器。闪存使用外部提供的外部电源电压来操作。在由于各种因素导致电源电压变得不稳定的情况下，可能无法确保存储在闪存中的数据的可靠性或要存储在闪存中的数据的可靠性。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例提供了能够提高可靠性的存储器控制器的操作方法、包括存储器控制器的存储器件以及存储器件的操作方法。本专利技术构思的实施例提供了一种控制非易失性存储器件的存储器控制器的操作方法。该操作方法包括：存储器控制器从非易失性存储器件接收关于操作失败的信息；存储器控制器将与关于操作失败的信息相对应的非易失性存储器件的存储块确定为失败块；存储器控制器从非易失性存储器件接收锁出(lock-out)状态信息；存储器控制器基于锁出状态信息来确定是否输出了锁出信号；以及存储器控制器根据所述确定是否输出了锁出信号来将失败块确定为正常块或坏块。本专利技术构思的实施例还提供了一种包括控制非易失性存储器件的存储器控制器的存储器件的操作方法。该操作方法包括：存储器控制器对非易失性存储器件的存储块执行编程操作、读取操作和擦除操作中的一个操作；当操作失败时，存储器控制器将存储块确定为失败块；当操作失败时，存储器控制器确定非易失性存储器件是否输出了锁出信号；以及根据所述确定是否输出了锁出信号来将失败块确定为正常块或坏块。本专利技术构思的实施例还提供了一种存储器件，包括包含多个存储块在内的非易失性存储器件；以及存储器控制器，被配置为控制非易失性存储器件。存储器控制器还被配置为：基于来自非易失性存储器件的锁出状态信息来确定非易失性存储器件是否输出了锁出信号；将多个存储块中的与从非易失性存储器件接收的关于操作失败的信息相对应的存储块确定为失败块；以及根据是否输出了锁出信号来将失败块确定为正常块或坏块。附图说明通过参考以下附图的以下描述，上述和其他目的和特征将变得显而易见，其中，除非另有说明，否则相似的附图标记在各个附图中指代相似的部件，并且在附图中：图1示出了根据本专利技术构思的实施例的存储器件的框图；图2示出了图1的存储器控制器的框图；图3示出了图1的非易失性存储器件的框图；图4示出了图3的非易失性存储器件的编程操作的示例性失败的视图；图5示出了图1的存储器控制器的操作的流程图；图6示出了描述根据图5所示的流程图执行的操作的视图；图7示出了图1的存储器控制器的操作方法的流程图；图8示出了描述根据图7的流程图的操作方法的视图；图9示出了图1的存储器件的操作方法的流程图；图10示出了根据本专利技术构思的实施例的存储器件的框图；图11示出了图10的外部电压检测器的框图；图12示出了其中图10的存储器件包括多个非易失性存储器件的例证的框图；图13示出了描述图12的存储器件的复位操作的视图；图14示出了图10的存储器件的操作方法的流程图；图15示出了非易失性存储器件的衬垫的模式如何改变的视图；图16示出了图10的存储器件的操作方法的流程图；图17示出了根据本专利技术构思的实施例的存储器件的框图；图18示出了根据本专利技术构思的实施例的存储器件的框图；图19示出了根据本专利技术构思的实施例的存储器件的框图；以及图20示出了应用根据本专利技术构思的存储器件的固态驱动器系统的框图。具体实施方式现在将参考附图来详细描述本专利技术构思的示例实施例。如在专利技术构思领域中常见的，可以根据执行所描述的一个或多个功能的块来描述和示出实施例。在本文中可以称为单元或模块等的这些块通过诸如逻辑门、集成电路、微处理器、微控制器、存储器电路、无源电子组件、有源电子组件、光学组件、硬连线电路等的模拟和/或数字电路物理地实现，并且可以可选地由固件和/或软件驱动。例如，电路可以实现在一个或多个半导体芯片中，或者在诸如印刷电路板等的衬底支撑件上。构成块的电路可以由专用硬件或处理器(例如，一个或多个编程的微处理器和相关联的电路)来实现，或者由用来执行该块的一些功能的专用硬件和用来执行该块的其他功能的处理器的组合来实现。在不脱离本专利技术构思的范围的情况下，实施例的每个块可以物理地分成两个或更多个交互和分立的块。类似地，在不脱离本专利技术构思的范围的情况下，实施例的块可以物理地组合成更复杂的块。图1示出了根据本专利技术构思的实施例的存储器件100的框图。参考图1，存储器件100包括存储器控制器110和非易失性存储器件120。存储器控制器110可以将数据存储在非易失性存储器件120中，可以读取存储在非易失性存储器件120中的数据，或者可以擦除存储在非易失性存储器件120中的数据。例如，存储器控制器110可以向非易失性存储器件120提供非易失性存储器件120操作所需的电源电压VCC。存储器控制器110可以将命令CMD和地址ADDR发送到非易失性存储器件120以将数据(DATA)存储在非易失性存储器件120中，读取存储在非易失性存储器件120中的数据或者擦除存储在非易失性存储器件120中的数据。存储器控制器110可以将复位命令发送到非易失性存储器件120以复位非易失性存储器件120。复位命令可以被包括在命令CMD中，或者可以通过单独的信号线被提供给非易失性存储器件120。存储器控制器110可以从非易失性存储器件120接收状态信息R/B(例如，就绪/忙碌)，该状态信息指示正在非易失性存储器件120中执行的操作的状态。在非易失性存储器件120处于忙碌状态的情况下，存储器控制器110可以不发送命令CMD或控制信号CTRL。非易失性存储器件120可以从存储器控制器110接收电源电压VCC、命令CMD和地址ADDR。响应于接收到的信号，非易失性存储器件120可以存储来自存储器控制器110的数据，可以将存储在其中的数据提供给存储器控制器110，或者可以擦除存储在其中的数据。非易失性存储器件120可以响应于从存储器控制器110接收的复位命令执行复位操作。在下文中，将在由存储器控制器110提供电源电压VCC的假设下给出描述。然而，本专利技术构思的范围和精神不限于此。例如，在一些实施例中，可以从单独的电源设备(未示出)提供电源电压VCC。非易失性存储器件120包括电压检测器121和锁出(LKO)状态寄存器122。电压检测器121检测来自存储器控制器110的电源电压VCC是否低于参考电压。例如，从存储器控制器110提供的电源电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种控制非易失性存储器件的存储器控制器的操作方法，所述操作方法包括：所述存储器控制器从所述非易失性存储器件接收关于操作失败的信息；所述存储器控制器将非易失性存储器件的与所述关于操作失败的信息相对应的存储块确定为失败块；所述存储器控制器从所述非易失性存储器件接收锁出状态信息；所述存储器控制器基于所述锁出状态信息来确定所述非易失性存储器件是否输出了锁出信号；以及所述存储器控制器根据所述确定是否输出了锁出信号来将所述失败块确定为正常块或坏块。

【技术特征摘要】
2017.09.13 KR 10-2017-01173901.一种控制非易失性存储器件的存储器控制器的操作方法，所述操作方法包括：所述存储器控制器从所述非易失性存储器件接收关于操作失败的信息；所述存储器控制器将非易失性存储器件的与所述关于操作失败的信息相对应的存储块确定为失败块；所述存储器控制器从所述非易失性存储器件接收锁出状态信息；所述存储器控制器基于所述锁出状态信息来确定所述非易失性存储器件是否输出了锁出信号；以及所述存储器控制器根据所述确定是否输出了锁出信号来将所述失败块确定为正常块或坏块。2.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述操作失败包括编程操作失败、擦除操作失败或读取操作失败之一，并且所述失败块来自所述非易失性存储器件中包括的多个存储块。3.根据权利要求1所述的操作方法，其中，当输出了所述锁出信号时，所述失败块被确定为正常块。4.根据权利要求3所述的操作方法，还包括：当所述失败块被确定为正常块时，所述存储器控制器使所述失败块的数据无效。5.根据权利要求3所述的操作方法，还包括：当所述失败块被确定为正常块时，所述存储器控制器执行复位操作，其中，执行所述复位操作包括：将复位信号发送到所述非易失性存储器件。6.根据权利要求1所述的操作方法，其中，当未输出所述锁出信号时，所述失败块被确定为坏块。7.根据权利要求6所述的操作方法，还包括：当所述失败块被确定为坏块时，将与所述失败块相对应的块信息标记为坏块，并将所述块信息存储为元数据。8.根据权利要求1所述的操作方法，还包括：所述存储器控制器从所述非易失性存储器件接收最大循环状态信息，所述最大循环状态信息表示发生操作失败的操作循环是否是最大循环；以及所述存储器控制器基于所述最大循环状态信息确定所述操作循环是否是所述最大循环，其中，所述将所述失败块确定为正常块或坏块包括：基于是否输出了锁出信号以及所述操作循环是否是所述最大循环来将失败块确定为正常块或坏块之一。9.根据权利要求8所述的操作方法，其中，当输出了所述锁出信号并且所述操作循环不是所述最大循环时，将所述失败块确定为正常块。10.一种包括控制非易失性存储器件的存储器控制器在内的存储器件的操作方法，所述操作方法包括：所述存储器控制器对所述非易失性存储器件的存储块执行编程操作、读取操作和擦除操作中的一个操作；当所述操作失败时，所述存储器控制器将所述存储块确定为失败块；当所述操作失败时，所述存储器控制器确定所述非易失性存储器件是否输出了锁出信号；以及所述存储器控制器根据所述确定是否输出了锁出信号来将所述失败块确定为正常块或坏块。11.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：方光奎，沈荣燮，姜熙烨，李庚德，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR