晶圆电镀工艺腔制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体设备制造领域，公开了一种晶圆电镀工艺腔，用于对晶圆进行电镀，包括：腔体，用于容纳电解液；支座，支座沿着腔体的内侧壁的周向设置，用于承托晶圆；阳极电极，阳极电极位于腔体内且与支座所处的平面平行地设置，从而与晶圆相对设置；高电阻虚拟阳极，设置于腔体内，位于阳极电极与支座之间；以及旋转机构，设置阳极电极下方，用于带动阳极电极旋转。本实用新型专利技术通过在腔体内设置旋转机构，并将阳极电极安装在旋转机构上，使腔体内的电解液产生暗流，从而将过量的磷沉淀物带走，控制阳极电极表面的磷膜的厚度在合理范围内波动，保证电解液的纯净度并且减少阻抗的变化，从而确保电镀的效率和质量。

Wafer Electroplating Cavity

The utility model relates to the field of semiconductor equipment manufacturing, and discloses a wafer electroplating process chamber, which is used for electroplating wafers, including: a cavity for containing electrolyte; a support, which is arranged along the circumference of the inner wall of the cavity to support the wafer; an anode electrode, which is located in the cavity and parallel to the plane of the support, is opposite to the wafer. A high resistance virtual anode is arranged in the cavity between the anode electrode and the support, and a rotating mechanism is arranged below the anode electrode for driving the rotation of the anode electrode. By installing a rotating mechanism in the cavity and installing the anode electrode on the rotating mechanism, the electrolyte in the cavity produces dark current, thus removing excessive phosphorus deposits, controlling the fluctuation of the thickness of phosphorus film on the surface of the anode electrode in a reasonable range, ensuring the purity of the electrolyte and reducing the change of impedance, thereby ensuring the efficiency and quality of electroplating.

【技术实现步骤摘要】
晶圆电镀工艺腔
本技术涉及半导体设备制造领域，特别涉及一种晶圆电镀工艺腔。
技术介绍
在半导体制造工艺中，可以通过导电引线电连接至晶圆，采用电镀工艺沉积金属至晶圆上图案化的沟槽内而形成金属层(又称为金属薄膜)中的金属线，例如形成铜金属线(又称为铜金属导线)，或者银金属线(又称为银金属导线)。在现有技术中，为了在晶圆表面形成铜金属线，参见图1所示，通常在电镀液为硫酸铜的环境下进行，外接电源的正极为阳极，放置用于电镀的铜块，电源的负极为阴极，并放置晶圆。为了避免在电镀过程中阳极的铜块消耗过快，并对电镀的速度进行控制，通常会在铜块中掺杂磷，其中磷的含量占铜块的0.01％。添加磷后，在电镀过程中，由于阳极的铜块表面包覆有一层磷膜，因此使得铜块氧化消耗的速度减缓，从而确保了在晶圆上形成的铜金属线的质量。然而在铜块中添加磷也带来了一系列的问题，例如，在硫酸铜溶液和铜块的长期电镀离化的过程中，在腔室的底部和铜块的表面会形成过多的磷沉淀物，影响阳极的铜块发生氧化反应，从而导致硫酸铜溶液的纯净度下降并改变硫酸铜溶液的阻抗，进而影响在晶圆表面形成的铜金属线的质量，降低电镀的良品率。技术内容本技术是鉴于上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆电镀工艺腔，用于对晶圆进行电镀，其特征在于，包括：腔体，用于容纳电解液；支座，所述支座沿着所述腔体的内侧壁的周向设置，用于承托晶圆；阳极电极，所述阳极电极位于所述腔体内且与所述支座所处的平面平行地设置，从而与所述晶圆相对设置；高电阻虚拟阳极，设置于所述腔体内，位于所述阳极电极与所述支座之间；以及旋转机构，设置所述阳极电极下方，用于带动所述阳极电极旋转。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆电镀工艺腔，用于对晶圆进行电镀，其特征在于，包括：腔体，用于容纳电解液；支座，所述支座沿着所述腔体的内侧壁的周向设置，用于承托晶圆；阳极电极，所述阳极电极位于所述腔体内且与所述支座所处的平面平行地设置，从而与所述晶圆相对设置；高电阻虚拟阳极，设置于所述腔体内，位于所述阳极电极与所述支座之间；以及旋转机构，设置所述阳极电极下方，用于带动所述阳极电极旋转。2.根据权利要求1所述的晶圆电镀工艺腔，其特征在于，所述旋转机构包括底盘、转轴以及驱动装置，所述转轴一端固定连接于所述底盘，另一端与所述驱动装置连接。3.根据权利要求2所述的晶圆电镀工艺腔，其特征在于，所述旋转机构还包括密封组件，所述密封组件安装在所述转轴上，能够对所述转轴和所述腔体连接处进行密封。4.根据权利要求3所述的晶圆电镀工艺腔，其特征在于，所述密封组件为安装在所述腔体上的磁流体组件，所述磁流体组件同轴套设在所述转轴上。5.根据权利要求2-4中的任一项所述的晶圆电镀工艺腔，...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦杰，吴孝哲，林宗贤，吴龙江，薛超，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32