The invention provides a plating method and a plating device to suppress the formation of poor plating due to the presence of bubbles in the opening of the corrosion inhibitor and the residue of the corrosion inhibitor. A plating method for plating substrates with an anti corrosion openings is provided. The plating method has the following processes: the anti-corrosive residue removal process, the surface spraying of the first treatment liquid at the opening of the anti-corrosive agent for the formation of the substrate, and the removal of the anti-corrosive residue in the opening of the anti-corrosive agent of the substrate; the filling process, so that the substrate after the removal process is impregnated in the second treatment liquid and the anti-corrosive residue opening of the substrate. The second treatment solution is filled in the part, and the plating process is used to coat the substrate which has passed through the liquid filling process.
【技术实现步骤摘要】
镀覆方法和镀覆装置
本专利技术涉及镀覆方法和镀覆装置。
技术介绍
以往，在设置于半导体晶片等的表面上的微细的配线用槽、孔或者抗蚀剂开口部形成配线、或者在半导体晶片等的表面上形成与封装的电极等电连接的凸起(突起状电极)。作为形成该配线和凸起的方法，已知有例如电镀法、蒸镀法、印刷法、滚珠凸起法等，但多数情况下使用伴随着半导体芯片的I/O数的增加、窄间距化，能够实现微细化且性能比较稳定的电镀法。在电镀法中，当在抗蚀剂开口部内残留有气泡时，不对气泡部分进行镀覆，而产生镀覆不良。特别是在凸起等纵横比较高的抗蚀剂开口部容易残留气泡。因此，为了避免镀覆不良，需要加入镀覆液以使得气泡不会残留在抗蚀剂开口部内。以往，为了防止气泡残留在抗蚀剂开口部内，对基板进行亲水处理，在镀覆前进行所谓的预湿处理(例如，参照专利文献1)。具体而言，在预湿处理中使基板浸渍在脱气水中等，而使水充满抗蚀剂开口部。当使在抗蚀剂开口部中充满了水的基板浸渍在镀覆液中时，在抗蚀剂开口部中充满的水与镀覆液进行置换，镀覆液填充到抗蚀剂开口部中。专利文献1：日本特开2012-224944号公报在镀覆的基板上，在镀覆处理...
【技术保护点】
1.一种镀覆方法，对具有抗蚀剂开口部的基板进行镀覆，其特征在于，该镀覆方法具有如下的工序：抗蚀剂残渣去除工序，对所述基板的形成有所述抗蚀剂开口部的面喷射第一处理液而去除所述基板的抗蚀剂开口内的抗蚀剂残渣；填充工序，使经过了所述去除工序的所述基板浸渍在第二处理液中而在所述基板的所述抗蚀剂开口部内填充所述第二处理液；以及镀覆工序，对经过了所述液体填充工序的所述基板进行镀覆。
【技术特征摘要】
2017.03.31 JP 2017-0711601.一种镀覆方法，对具有抗蚀剂开口部的基板进行镀覆，其特征在于，该镀覆方法具有如下的工序：抗蚀剂残渣去除工序，对所述基板的形成有所述抗蚀剂开口部的面喷射第一处理液而去除所述基板的抗蚀剂开口内的抗蚀剂残渣；填充工序，使经过了所述去除工序的所述基板浸渍在第二处理液中而在所述基板的所述抗蚀剂开口部内填充所述第二处理液；以及镀覆工序，对经过了所述液体填充工序的所述基板进行镀覆。2.根据权利要求1所述的镀覆方法，其特征在于，所述抗蚀剂残渣去除工序具有如下的工序：对所述基板的形成有所述抗蚀剂开口部的面的整个面喷射所述第一处理液。3.根据权利要求2所述的镀覆方法，其特征在于，所述抗蚀剂残渣去除工序具有使喷嘴在所述基板上扫掠的工序。4.根据权利要求3所述的镀覆方法，其特征在于，所述喷嘴具有在铅直上下方向上分开的第一喷嘴组和第二喷嘴组，所述抗蚀剂残渣去除工序具有如下的工序：在不同的时机对在铅直方向上配置的所述基板进行来自所述第一喷嘴组的喷射和来自所述第二喷嘴组的喷射。5.根据权利要求4所述的镀覆方法，其特征在于，所述抗蚀剂残渣去除工序具有如下的工序：从所述第一喷嘴组和所述第二喷嘴组中所述喷嘴的行进方向的前头侧的喷嘴组对所述基板喷射所述第一处理液。6.根据权利要求5所述的镀覆方法，其特征在于，所述第一喷嘴组与所述第二喷嘴组相比在铅直方向上位于上方，所述抗蚀剂残渣去除工序具有如下的工序：使构成所述第一喷嘴组的喷嘴的喷嘴口相对于与所述基板的形成有所述抗蚀剂开口部的面垂直的方向向上方倾斜而进行喷射；以及使构成所述第二喷嘴组的喷嘴的喷嘴口相对于与所述基板的形成有所述抗蚀剂开口部的面垂直的方向向下方倾斜而进行喷射。7.根据权利要求2所述的镀覆方法，其特征在于，所述抗蚀剂残渣去除工序具有使所述基板相对于喷嘴移动的工序。8.根据权利要求1所述的镀覆方法，其特征在于，所述抗蚀剂残渣去除工序具有如下的工序：使喷嘴的喷嘴口相对于与所述基板的形成有所述抗蚀剂开口部的面垂直的方向倾斜而进行喷射。9.根据权利要求1所述的镀覆方法，其特征在于，所述抗蚀剂残渣去除工序具有将所述基板铅直配置的工序。10.根据权利要求9所述的镀覆方法，其特征在于，所述抗蚀剂残渣去除工序具有如下的工序：从配置在第一处理槽内的喷嘴喷射第一处理液；以及在从所述喷嘴进行喷射的状态下将所述基板铅直地收纳在所述第一处理槽内。11.根据权利要求1所述的镀覆方法，其特征在于，所述抗蚀剂残渣去除工序具有以0.05MPa以上且0.45MPa以下的压力喷射所述第一处理液的工序。12.根据权利要求1所述的镀覆方法，其特征在于，所述抗蚀剂残渣去除工序具有以2.5m/秒以上且15.0m/秒以下的流速、并且以10L/分以上且20L/分以下的流量喷射所述第一处理液的工序。13.根据权利要求1所述的镀覆方法，其特征在于，所述液体填充工序具有对所述第二处理液进行搅拌的工序。14.根据权利要求1所述的镀覆方法，其特征在于，所述液体填充工序具有对所述基板施加冲击或者振动的工序。15.根据权利要求1所述的镀覆方法，其特征在于，所述液体填充工序具有如下的工序：从收纳了所述基板的第二处理槽的下方供给所述第二处理液；从所述第二处理槽的上方排出所述第二处理液；以及使所述第二处理槽内的所述第二处理液循环。16.根据权利要求1所述的镀覆方法，其特征在于，所述液体填充工序具有如下的工序：以使所述基板的形成有所述抗蚀剂开口部的面朝向上方且所述基板倾斜的方式在第二处理槽内配置所述基板。17.根据权利要求1所述的镀覆方法，其特征在于，所述第一处理液是与所述第二处理液不同的液体。18.根据权利要求1所述的镀覆方法，其特征在于，所述第一处理液由如下物质制成：纯水、包含表面活性剂和柠檬酸中的任意一种的纯水、硫酸、包含表面活性剂和柠檬酸中的任意一种的硫酸、包含CO2离子的离子水、包含来自聚亚烷基二醇组的化合物的液体、包含来自含有氨基的亚烷基二醇组的化合物的液体、甲磺酸、或者以上物质的任...
【专利技术属性】
技术研发人员：藤方淳平，下山正，宫本龙，石本健太郎，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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