本发明专利技术的目的在于提供一种能够进一步提高光提取效率的发光装置用的引线框架和封装体等。所述引线框架含有由金属构成的母材和层叠于该母材上的2层以上的含Ag层，在该2层以上的含Ag层中，最上层的含Ag层含有硫，下层的含Ag层是不含硒或仅包含不可避免的杂质的层，所述封装体具备将该引线框架的最上层的含Ag层以露出的方式进行填埋的基材，所述发光装置具备所述封装体和发光元件，所述发光元件安装于该封装体的所露出的最上层的含Ag层的上表面。
【技术实现步骤摘要】
引线框架、发光装置用封装体、发光装置及其制造方法
本公开涉及引线框架、发光装置用封装体、发光装置和发光装置的制造方法。
技术介绍
在使用半导体发光元件(以下，也简称为“发光元件”)的发光装置中，大量采用在表面设置有对来自发光元件的光具有高反射率的银(Ag)的封装体(例如，专利文献1～4)。这些发光装置中，通过利用局部或整体地层叠的镀银层或通过层叠结构进行镀银层的组成或光泽度等的调整等，实现光的提取效率的提高。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002－094130号公报专利文献2：日本特开昭61－148883号公报专利文献3：日本特开2010－199166号公报专利文献4：日本特开2014－99496号公报
技术实现思路
然而现状是尚未达到能够满足的充分的光提取效率的提高。鉴于这种状況，本公开的目的在于提供一种能够进一步提高光提取效率的发光装置用引线框架和封装体，并且提供一种这样的发光装置和发光装置的制造方法。本申请专利技术包含以下专利技术。(1)一种引线框架，含有：由金属构成的母材，以及层叠于该母材上的2层以上的含Ag层，该2层以上的含Ag层中，最上层的含Ag层含有硫，下层的含Ag层是不含硒或仅包含不可避免的杂质的层。(2)一种封装体，其具备以本申请中的引线框架的最上层的含Ag层露出的方式填埋的基材。(3)一种发光装置，其具备上述封装体和发光元件，上述发光元件安装在该封装体的所露出的所述最上层的含Ag层的上表面。(4)一种发光装置的制造方法，其包括如下工序：准备母材，在该母材上以镀覆形成底层金属，在该底层金属上以镀覆形成由2层以上的叠层构成且在该2层以上的叠层的最上层含有硫的含Ag层，从而准备引线框架，准备具备该引线框架的封装体，将发光元件安装于该封装体。根据本公开，可以提供能够进一步提高光提取效率的发光装置用的引线框架和封装体。此外，通过使用这种引线框架或封装体，可以提供进一步提高了光提取效率的发光装置和发光装置的制造方法。附图说明图1A是用于说明引线框架的一个实施方式的简要局部放大截面图。图1B是用于说明引线框架的另一个实施方式的简要局部放大截面图。图2A是用于说明使用图1的引线框架的一个实施方式的发光装置的简要俯视图。图2B是图2A的发光装置的II－II’线的简要截面图。图3的A～D是用于说明图2A的发光装置的制造方法的简要截面工序图。图4A是用于说明另一个实施方式的发光装置的简要立体图。图4B是图4A的发光装置的III－III’线的简要截面图。图5A是用于说明具有2层以上的含Ag层的引线框架的一个实施方式的卷对卷(reel-to-reel)镀覆装置的工序图。图5B是用于说明具有2层以上的含Ag层的引线框架的一个实施方式的卷对卷镀覆装置的工序图。图6是表示使用图1A的引线框架的发光装置的蓝色辐射通量的测定结果的坐标图。图7是表示使用图1A的引线框架的发光装置的绿色辐射通量的测定结果的坐标图。图8是表示使用图1A的引线框架的发光装置的红色辐射通量的测定结果的坐标图。图9是表示使用图1A的引线框架的发光装置的白色的全光通量的测定结果的坐标图。符号说明1光反射材料1a母材1b底层镀覆层1c中间镀覆层1c1第1中间镀覆层1c2第2中间镀覆层1d含Ag层1d1第1含Ag层1d2第2含Ag层2发光元件3基材(树脂成型体)31凹部32底面部4接合构件5密封构件6线10、20发光装置100引线框架镀覆前卷取卷101A碱性电解脱脂处理槽101B碱性电解脱脂液储备罐102A酸中和处理槽102B酸中和液体储备罐103A底层镀覆1b处理槽103B底层镀覆1b液体储备罐104A中间镀覆1c1处理槽104B中间镀覆1c1液体储备罐105A中间镀覆1c2处理槽105B中间镀覆1c2液体储备罐106AAg镀覆1d1处理槽106BAg镀覆1d1液体储备罐106CAg镀覆1d1液体储备罐107AAg镀覆1d2处理槽107BAg镀覆1d2液体储备罐108热风干燥处理装置109引线框架镀覆后卷取卷110引线框架具体实施方式以下一边参照附图一边说明用于实施本专利技术的方式。但是，以下所示的方式是将用于使本专利技术的技术思想具体化的引线框架、封装体、发光装置和发光装置的制造方法进行例示，并非是如下限定本专利技术。此外，实施方式所记载的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等只要没有特定的记载，则并不是将本专利技术的保护范围仅限定于其的意思，只是例示而已。应予说明，各附图示出的构件的大小、位置关系等有时为了明确地说明而进行放大。实施方式1：引线框架该实施方式的引线框架含有母材以及层叠于该母材上的2层以上的特定的含Ag层，即，最上层的含Ag层含有硫，下层含Ag层不含硒或仅包含不可避免的杂质的层而构成。作为高效地制造含Ag层的方法，优选为电镀法，而在以电镀法制作含有硫的含Ag层时，在所使用的电镀液中，除了Ag金属络合物以外，为了使含Ag层的表面平滑而制成光反射率高的表面，还少量添加各种有机硫化合物。如此，从添加了有机硫化合物的Ag镀覆液电镀析出的含Ag层可得到反射率高、平滑的析出结晶粒子，但镀覆时含有微量有机硫成分。这里所说的硫为有机硫，与作为变黑的现象的原因的硫化银不同，已知Ag通常与空气中的硫化氢反应，生成硫化银(I)而发生变黑的现象。H2S+Ag→Ag2S+H2因此，即使在含Ag层中微量存在硫，也不会如同硫化银那样加速因黑色变色所致的反射率的下降。应予说明，在对引线框架中的母材的表面实施有银的镀层时，若银变黑则反射率大幅降下降，因此通常将银载置于不进行硫化的环境。通常，若提升引线框架等光反射构件表面的光泽度，则光的反射率提高，通过其反射光可以提高发光装置的亮度。但是，由于基于光泽度的提升的光反射为正反射，因此虽然发光装置的中央整面明亮，可得到强光，但在其周边部光变弱，成为指向性高、光分布性低的发光装置。这种发光装置适合作为聚光灯，但很难说适合于室外广告显示板、发光显示板、信号机等乃至一般照明等。这种发光装置中，若在光的射出部位配置光扩散材料，则可以实现发光装置的整面的出射光的均匀性。另一方面，因光扩散材料产生光吸收，导致光提取效率的下降，并且难以调整其分散形态和分量等，产生亮度或颜色偏差。因此，如上所述，通过选择性地配置2层以上的特定的含Ag层，可以在不提高光泽度的情况下使亮度提高，即，可实现高的全光通量，可得到能够显著提高光的提取效率的引线框架以及发光装置。并且，通过选择性地组合这种特定的含Ag层，可以通过比较简便的制造装置、制造工序，在不增大制造成本的情况下实现能得到这种有利的特性的引线框架和发光装置等。因此，能够提供一种引线框架，其不使用难以调整其分散形态和分量等的光扩散材料就能够构成发光装置。如下所述，引线框架除了这些母材、2层以上的含Ag层以外，还可以进一步含有1个以上的层，例如中间层、底层等。具体而言，如图1A所示，引线框架1可以进一步具有层叠于母材1a上的底层1b和层叠于其上的中间层1c。中间层1c例如具有第1中间层1c1和第2中间层1c2等，2层以上的含Ag层1d的下层层叠于第2中间层1c2上。这些层只要层叠于母材1a的一面即可，但若考虑到这些层的形成方法，优选层叠于母材1a的整个表面，即，表面、背面和侧面的整面。另外，本申请中本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种引线框架，其特征在于，含有：由金属构成的母材，以及层叠于该母材上的2层以上的含Ag层；该2层以上的含Ag层中，最上层的含Ag层含有硫，下层的含Ag层是不含硒或仅包含不可避免的杂质的层。
【技术特征摘要】
2017.08.31 JP 2017-167304;2018.07.17 JP 2018-134261.一种引线框架，其特征在于，含有：由金属构成的母材，以及层叠于该母材上的2层以上的含Ag层；该2层以上的含Ag层中，最上层的含Ag层含有硫，下层的含Ag层是不含硒或仅包含不可避免的杂质的层。2.根据权利要求1所述的引线框架，其中，所述最上层的含Ag层的含硫量为20重量ppm～250重量ppm。3.根据权利要求1或2所述的引线框架，其中，所述最上层的含Ag层的光泽度为0.3～1.4。4.根据权利要求1～3中任一项所述的引线框架，其中，所述2层以上的含Ag层的合计厚度为0.05～5μm，且所述最上层的含Ag层与所述下层的含Ag层的厚度的比为1：1～99。5.根据权利要求1～4中任一项所述的引线框架，其中，在所述含Ag层与所述母材之间具有底层。6.根据权利要求5所述的引线框架，其中，所述底层是由选自Cu、Ni、Pd和A...
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤保夫，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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