半导体器件及其制造方法技术

为了提高半导体器件的可靠性。提供了半导体器件及其制造方法，该半导体包括：焊盘电极，形成在半导体衬底之上，并且包括第一导电膜和形成在第一导电膜之上的第二导电膜；以及镀膜，形成在第二导电膜之上，并且用于耦合至外部连接端子(TR)。第一导电膜和第二导电膜主要包含铝。第一导电膜的表面上的晶体表面不同于第二导电膜的表面上的晶体表面。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法相关申请的交叉引用2017年8月24日提交的日本专利申请第2017-161043号的包括说明书、附图和摘要的公开通过引证引入本文。
本专利技术涉及一种半导体器件及其制造方法，其例如可应用于具有OPM电极的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
近年来，基于提高半导体器件可靠性等的需求，提出了一种通过在半导体衬底上形成主要包含铝的焊盘电极、在焊盘电极上形成称为OPM(焊盘上金属)电极的导电层并将外部耦合端子(诸如夹或接合线)耦合至OPM电极而得到的结构。例如，日本未审查专利申请公开第2000-235964号公开了一种使用化学镀在主要包含铝的焊盘电极上形成由镍膜和金膜制成的OPM电极的技术。此外，日本未审查专利申请公开第2007-227412号公开了一种IGBT模块，其包括相互反平行耦合的二极管和IGBT(绝缘栅型双极晶体管)。此外，“ZincateTreatmentandElectrolessNi-PPlatingonAlSingle-CrystalSurface”(日本JournalofTheSurfaceFinishingSociety，第48卷，第8期，第820本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：焊盘电极，形成在半导体衬底之上，并且包括第一导电膜和形成在所述第一导电膜之上的第二导电膜；以及镀膜，形成在所述第二导电膜之上，并且用于耦合至外部连接端子，其中所述第一导电膜和所述第二导电膜中的每一个均包括主要包含铝的膜，并且其中所述第二导电膜的表面上的晶体表面不同于所述第一导电膜的表面上的晶体表面。

【技术特征摘要】
2017.08.24 JP 2017-1610431.一种半导体器件，包括：焊盘电极，形成在半导体衬底之上，并且包括第一导电膜和形成在所述第一导电膜之上的第二导电膜；以及镀膜，形成在所述第二导电膜之上，并且用于耦合至外部连接端子，其中所述第一导电膜和所述第二导电膜中的每一个均包括主要包含铝的膜，并且其中所述第二导电膜的表面上的晶体表面不同于所述第一导电膜的表面上的晶体表面。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二导电膜与所述镀膜直接接触，并且其中所述第二导电膜的表面上的晶体表面为(111)表面。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中在所述第一导电膜和所述第二导电膜之间形成第一绝缘膜，所述第一绝缘膜包括配置所述第一导电膜的材料的氧化物。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中在所述第一导电膜和所述第二导电膜之间形成非晶膜，所述非晶膜包括与所述第一导电膜和所述第二导电膜不同的材料。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中掺入所述第二导电膜的元素不同于掺入所述第一导电膜的元素。6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述半导体衬底包括形成于其上的二极管，其中所述半导体衬底的设置有所述二极管的表面与所述第一导电膜直接接触，并且其中所述半导体衬底的表面上的晶体表面和所述第一导电膜的表面上的晶体表面是(001)表面。7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二导电膜的表面上的(111)表面的面积比大于所述第一导电膜的表面上的(111)表面的面积比。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述半导体衬底包括形成于其上的功率MOSFET，并且其中所述功率MOSFET的源电极包括所述第一导电膜和所述第二导电膜。9.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)通过溅射在半导体衬底之上形成第一导电膜；(b)通过溅射在所述第一导电膜之上形成第二导电膜；(c)通过图案化所述第一导电膜和所述第二导电膜来提供焊盘电极；以及(d)通过化学镀在所述焊盘电极之上形成用于耦合至外部连接端子的镀膜，其中所述第一导电膜和所述第二导电膜中的每一个均包括主要包含铝的膜，并且其中所述第二导电膜的表面上的晶体表面不同于所述第一导...

【专利技术属性】
技术研发人员：利根川丘，稻川浩巳，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP