欧姆接触结构及具有此欧姆接触结构的半导体元件制造技术

本发明专利技术实施例公开一种欧姆接触结构及具有此欧姆接触结构的半导体元件。该欧姆接触结构包括半导体层、掩模层、外延层及电极层。半导体层具有设置面。掩模层具有第一侧、第二侧及多个通孔，其中第一侧结合于设置面，第二侧背向设置面，通孔由第二侧延伸至第一侧。外延层位于设置面上，具有多个微结构，外延层覆盖这些通孔且通过各通孔连接半导体层的设置面。电极层位于外延层上，且与外延层的这些微结构的表面相连接。

【技术实现步骤摘要】
欧姆接触结构及具有此欧姆接触结构的半导体元件
本专利技术涉及一种半导体元件，特别是涉及一种具有欧姆接触结构的半导体元件。
技术介绍
随着消费电子产品的快速发展，近年来以IIIA族氮基材料，例如氮化镓等材料为基础的电子元件在许多产业都带来重大影响。例如在光电产业中，发光二极管(LightEmittingDiode,LED)的发展及量产便受惠于氮化镓的宽带隙的特性而让电能转换光能的效率提升。另外在无线通信产业，氮化镓被应用于例如高电子移动率晶体管(HighElectronMobilityTransistor,HEMT)和单片微波芯片(MonolithicMicrowaveIntegratedCircuit,MMIC)等高功率射频装置，也成为重要的研发项目。以HEMT为例，通过两种不同带隙(EnergyGap)材料(例如：氮化镓铝及氮化镓)组成的异质接面(HeteroJunction)，在接面处产生一个位能阱(PotentialWell)，让电子由宽带隙的氮化镓铝流向氮化镓中，形成二维电子气(2DimensionalElectronGas,2DEG)在平行于接面的平面上自由移动。为了完善利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件的欧姆接触结构，包括：半导体层，具有设置面；掩模层，具有第一侧、第二侧及多个通孔，该第一侧结合于该设置面，该第二侧背向该设置面，各该通孔由该第二侧延伸至该第一侧；外延层，位于该设置面上，具有多个微结构，该外延层覆盖各该通孔且通过各该通孔连接该半导体层的该设置面；以及电极层，位于该外延层上，且与该外延层的所述微结构的表面相连接。

【技术特征摘要】
2017.05.31 TW 1061179191.一种半导体元件的欧姆接触结构，包括：半导体层，具有设置面；掩模层，具有第一侧、第二侧及多个通孔，该第一侧结合于该设置面，该第二侧背向该设置面，各该通孔由该第二侧延伸至该第一侧；外延层，位于该设置面上，具有多个微结构，该外延层覆盖各该通孔且通过各该通孔连接该半导体层的该设置面；以及电极层，位于该外延层上，且与该外延层的所述微结构的表面相连接。2.如权利要求1所述的欧姆接触结构，其中各该微结构是棱锥或棱台，该棱锥或该棱台具有多个侧表面，且所述微结构之中的二个相邻微结构的底部于该掩模层上相连接。3.如权利要求1所述的欧姆接触结构，其中各该通孔具有截面形状，该截面形状是圆形、正方形、多边形及不规则形状其中的一者。4.如权利要求3所述的欧姆接触结构，其中该截面形状具有中心点，且该中心点与邻近截面形状的中心点具有图形排列距离。5.如权利要求4所述的欧姆接触结构，其中当该截面形状是圆形时具有半径，该半径介于该图形排列距离的0.1倍至0.5倍之间。6.如权利要求2或权利要求4任一所述的欧姆接触结构，其中该外延层的各该微结构具有高度，该高度与该图形排列距离的比例关系为1:2～5:1。7.如权利要求1所述的欧姆接触结构，其中该掩模层的材质是非晶相化合物、多晶相化合物或金属其中的一者。8.一种半导体元件，包括：半导体层，该半导体层的一侧具有设置面及凸出面，该凸出面具有侧壁且该设置面以邻近的该侧壁连接至该凸出面；阻障层，结合于该凸出面；掩模层，具有第一侧、第二侧及多个通孔，该第一侧结合于该设置面，该第二侧背向该设置面，各该通孔由该第二侧延伸至该第一侧；外延层，位于该设置面上，具有多个微结构，该外延层覆盖各该通孔且通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘学兴，何汉杰，傅毅耕，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71