一种优化PiN二极管阴极接触的结构制造技术

一种优化PiN二极管阴极接触的结构，本实用新型专利技术涉及功率二极管技术领域；它包含P+阳极区、N‑本征区、N+阴极区、阳极金属和阴极金属；其中P+阳极区的上部设有阳极金属，P+阳极区的底部设有N‑本征区，N+本征区的下方设有N+阴极区，N+阴极区的下方设有阴极金属；所述的N+阴极区的下表面为波浪形结构；所述的阴极金属与N+阴极区的下表面贴合设置。增加了阴极与阴极金属的欧姆接触，降低了二极管的导通压降，提高了二极管的浪涌电流。从而降低了器件的功耗，提高了二极管对尖峰电流的冗余能力。

【技术实现步骤摘要】
一种优化PiN二极管阴极接触的结构
本技术涉及功率二极管
，具体涉及一种优化PiN二极管阴极接触的结构。
技术介绍
随着半导体器件的发展，各种功率二极管在电路中应用越来越广泛，尤其是整流二极管和快恢复二极管。电路设计者二极管的导通压降以及浪涌电流有着越来越高的要求。二极管的导通压降越高，器件的功耗越大，从而会带来电能的浪费和设备能效等级的降低。二极管的浪涌电流越大，电路设计者在设计时可以允许更高的尖峰电流，从而可以降低电路设计的成本和提高电路的冗余能力。如图1所示，为现有技术的PiN结构的二极管结构：N+阴极区具有较低的电阻率，可与背面金属形成良好的欧姆接触，N+阴极区电阻率为小于0.004Ω·cm；N-本征区应具有较高的电阻率，以允许被N+阴极区和P+阳极区电导调制，N-本征区电阻率为大于10Ω·cm；P+阳极区为通过注入或者扩散的方式形成，其整个区域内电阻率均小于10Ω·cm，上表面电阻率小1Ω·cm，以能够对N-本征区进行电导调制；在完成N+阴极区、N-本征区、P+阳极区区域的制作后，通过蒸发或者溅射的方式在N+阴极区下表面形成阴极金属；在完成N+阴极区、N-本征区、P+本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种优化PiN二极管阴极接触的结构，其特征在于：它包含P+阳极区(1)、N‑本征区(2)、N+阴极区(3)、阳极金属(4)和阴极金属(5)；其中P+阳极区(1)的上部设有阳极金属(4)，P+阳极区(1)的底部设有N‑本征区(2)，N+本征区(2)的下方设有N+阴极区(3)，N+阴极区(3)的下方设有阴极金属(5)；所述的N+阴极区(3)的下表面为波浪形结构；所述的阴极金属(5)与N+阴极区(3)的下表面贴合设置。

【技术特征摘要】
1.一种优化PiN二极管阴极接触的结构，其特征在于：它包含P+阳极区(1)、N-本征区(2)、N+阴极区(3)、阳极金属(4)和阴极金属(5)；其中P+阳极区(1)的上部设有阳极金属(4)，P+阳极区(1)的底部设有N-本征区(2)，N+本征区(2)的下方设有N+阴极区(3)，N+阴极区(3)的下方设有阴极金属(5)；所述的N+阴极区(3)的下表面为波浪形结构；所述的阴极金属(5)与N+阴极区(3)的下表面贴合设置。2.根据权利要求1所述的一种优化PiN二极管阴极接触的结构，其特征在于：所述的N+阴极区(3)的电阻率小于0.004Ω...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖兵，沈礼福，
申请(专利权)人：苏州达晶微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32