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一种优化PiN二极管阴极接触的结构，本实用新型涉及功率二极管技术领域；它包含P+阳极区、N‑本征区、N+阴极区、阳极金属和阴极金属；其中P+阳极区的上部设有阳极金属，P+阳极区的底部设有N‑本征区，N+本征区的下方设有N+阴极区，N+阴极区...
该专利属于苏州达晶微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州达晶微电子有限公司授权不得商用。

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