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为了提高半导体器件的可靠性。提供了半导体器件及其制造方法，该半导体包括：焊盘电极，形成在半导体衬底之上，并且包括第一导电膜和形成在第一导电膜之上的第二导电膜；以及镀膜，形成在第二导电膜之上，并且用于耦合至外部连接端子(TR)。第一导电膜和第...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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