多刀刀具和被加工物的加工方法技术

提供多刀刀具和被加工物的加工方法，在分割成各个芯片的同时，对芯片侧面赋予倾斜或阶梯差。多刀刀具(40)一边对封装基板进行分割一边将半导体封装加工成期望的形状，该多刀刀具(40)构成为具有：多个切削刀具(44)，它们将封装基板分割成各个半导体封装；以及间隔件(43)，其设置于相邻的两个切削刀具之间，切削刀具和间隔件具有相同的旋转轴心。间隔件的外表面形成为半导体封装的转印形状，并且被磨粒层覆盖，在利用多个切削刀具切入封装基板的同时，利用间隔件的外表面对封装基板的上表面进行磨削。

Processing methods of multi-tool and processed products

Provides a method for processing multi-tool tools and processed products, while dividing into various chips, the side of the chip is given a tilt or step difference. A multi-tool (40) is a multi-tool tool (44) that divides the package substrate into desired shapes while dividing the package substrate. The multi-tool (40) consists of a plurality of cutting tools (44), which divide the package substrate into individual semiconductor packages, and a spacer (43), which is arranged between two adjacent cutting tools, and the cutting tool and spacer have the same rotation axis. The outer surface of the spacer is formed into a transfer printing shape of semiconductor packaging, and is covered by abrasive layer. While several cutting tools are used to cut into the packaging substrate, the outer surface of the spacer is used to grind the upper surface of the packaging substrate.

【技术实现步骤摘要】
多刀刀具和被加工物的加工方法
本专利技术涉及多刀刀具和被加工物的加工方法。
技术介绍
在器件制造步骤中，利用切削刀具沿着间隔道将晶片或半导体封装基板等各种基板切断，从而形成各个器件芯片。作为这样的加工方法，公知有使用两种刀具对基板阶段性地增加切入深度的阶梯式切割。在阶梯式切割中，利用宽幅的直刀具或V刀具沿着基板的间隔道形成第一层的浅槽，利用窄幅的直刀具深深地切入浅槽的底面而将基板完全切断(例如，参照专利文献1)。专利文献1：日本特开2015-018965号公报但是，根据基板的种类，有时希望对分割后的芯片赋予倾斜或阶梯差等各种形状。通过采用专利文献1所述的阶梯式切割，能够对芯片赋予各种形状，但存在下述问题：必须使用两种刀具阶段性地对基板进行切削，从而作业工时增加并且作业时间变长。
技术实现思路
由此，本专利技术的目的在于提供多刀刀具和使用了该多刀刀具的被加工物的加工方法，能够在分割成各个芯片的同时对芯片侧面赋予倾斜或阶梯差。根据本专利技术的一个方式，提供多刀刀具，其一边对被加工物进行分割一边将被加工物加工成期望的形状，其中，该多刀刀具具有：被旋转驱动的轴；多个切削刀具，它们安装于该轴，将被加工物分割成各个芯片；以及间隔件，其在相邻的两个切削刀具之间安装于所述轴，从该切削刀具之间露出的该间隔件的外表面形成为能够在该芯片的外周形成期望的形状的转印形状，并且该间隔件的外表面被磨粒层覆盖。根据该构成，在多刀刀具中设置有多个切削刀具，因此利用多个切削刀具沿着多条分割预定线同时切入被加工物而进行单片化。另外，两个切削刀具之间的间隔件的外表面被磨粒层覆盖，因此利用间隔件的外表面对被加工物进行磨削而将间隔件的外表面形状转印在芯片的外表面上。这样，沿着分割预定线对被加工物进行分割，并且在分割的同时对芯片的外表面赋予各种形状，因此能够降低作业工时，并且能够大幅缩短作业时间。根据本专利技术的另一方式，提供被加工物的加工方法，使用技术方案1所述的多刀刀具进行如下的加工：对在正面上形成有交叉的多条分割预定线的被加工物一边沿着该分割预定线进行分割一边将分割后的芯片加工成期望的形状，其中，该加工方法具有如下的步骤：保持步骤，利用保持治具或保持带对该被加工物的背面进行保持；以及分割步骤，在实施了该保持步骤之后，利用该多刀刀具的该切削刀具沿着该分割预定线切入至该保持带中途或该保持治具内，将被加工物分割成各个芯片，在该分割步骤中，在分割成各个芯片时，利用该间隔件的外表面的该磨粒层在各芯片上表面和/或侧面上形成期望的形状。优选该被加工物是利用树脂层对布线基材上的半导体部件进行了密封而得的封装基板，该芯片是对封装基板进行了分割而得的半导体封装，该多刀刀具的该间隔件在与该切削刀具接触的端部形成有倾斜面或阶梯部，在该分割步骤中，利用该间隔件的外表面的该倾斜面或该阶梯部按照各半导体封装的下表面侧比上表面侧大的方式在封装侧面形成倾斜或阶梯差。优选加工方法还具有如下的屏蔽层形成步骤：在多个该半导体封装的该上表面和倾斜面上形成屏蔽层。根据本专利技术，利用磨粒层覆盖多个切削刀具之间的间隔件的外表面，从而能够在分割成各个芯片的同时对芯片的外表面赋予各种形状。附图说明图1是本实施方式的半导体封装的剖视示意图。图2的(A)和(B)是示出比较例的半导体封装的制造方法的剖视示意图。图3是本实施方式的多刀刀具的分解立体图。图4是本实施方式的多刀刀具的剖视示意图。图5的(A)～(C)是示出本实施方式的半导体封装的制造方法的剖视示意图。图6的(A)～(C)是示出本实施方式的半导体封装的制造方法的剖视示意图。图7是示出设置于试验体的屏蔽层的厚度的剖视图。图8是示出试验体的侧面的倾斜角与屏蔽层的厚度之间的关系的图。图9的(A)～(C)是示出分割步骤的变形例的剖视示意图。图10是示出分割步骤的其他变形例的剖视示意图。图11是示出半导体封装的变形例的剖视示意图。图12是示出半导体封装的其他变形例的剖视示意图。图13的(A)和(B)是示出基板的变形例的剖视图。标号说明10：半导体封装(芯片)；11：布线基板(布线基材)；12：半导体芯片(半导体部件)；15：封装基板(被加工物)；16：屏蔽层；25：倾斜面；35：保持带；40：多刀刀具；43：间隔件；44：切削刀具；45：磨粒层；66：阶梯部；108、109：晶片(被加工物)。具体实施方式以下，参照附图对本实施方式的加工方法进行说明。另外，在以下的说明中，作为基板例示出封装基板并进行说明，但基板的种类并不限于封装基板。图1是本实施方式的半导体封装的剖视示意图。图2是示出比较例的半导体封装的制造方法的剖视示意图。另外，以下的实施方式只是示出了一例，可以在各步骤之间具有其他步骤，也可以适当更换步骤的顺序。如图1所示，半导体封装10是因所谓的EMI(Electro-MagneticInterference：电磁干扰)而需要隔断的全部的封装的半导体装置，半导体封装10构成为通过外表面的屏蔽层16抑制电磁噪声向周围泄漏。在屏蔽层16的内侧，安装在布线基板(中介层基板)11的上表面上的半导体芯片(半导体部件)12被树脂层(密封剂)13密封，在布线基板11的下表面上配设有凸块14。在布线基板11上形成有包含与半导体芯片12连接的电极及接地线17在内的各种布线。半导体芯片12是按照半导体基板上的每个器件对半导体晶片进行单片化而形成的，其安装于布线基板11的规定的位置。另外，在封装侧面(芯片侧面)23形成有倾斜面25，其从封装上表面(芯片上表面)22朝向下方向外侧扩展，对于该倾斜面25通过溅射法等从上方形成有屏蔽层16。与通常的半导体封装的铅垂的封装侧面不同，封装侧面23的倾斜面25相对于屏蔽层16的形成方向倾斜地交叉，因此容易在倾斜面25上形成屏蔽层16。但是，通常如图2的(A)的比较例所示，使用前端为V字形状的切削刀具(以下称为V刀具)111对利用树脂层13将布线基板11上的半导体芯片12密封而得的封装基板15进行全切割，从而使半导体封装的封装侧面倾斜。但是，在布线基板11中包含各种布线(金属)，因此在布线基板11的切削时，V刀具111的消耗剧烈，V刀具111的前端的V字形状容易被破坏。由此，对封装基板15的切入深度会产生偏差，并且V刀具111的寿命变短。另外，如图2的(B)的比较例所示，考虑了利用使用有V刀具111和通常的切削刀具(以下称为直刀具)112的阶梯式切割对封装基板15进行分割的构成。即，利用V刀具111对树脂层13进行半切割而赋予倾斜，接着利用直刀具112对布线基板11进行全切割而分割成各个半导体封装10。由此，能够抑制V刀具111对布线基板11的切入，能够减少V刀具111的前端的V字形状的消耗。但是，必须按照两个阶段进行切削，作业工时和作业时间增加，生产率劣化。因此，在本实施方式中，使用由多个切削刀具44和带磨粒的间隔件43构成的多刀刀具40(参照图3)对封装基板15(参照图6的(A))进行加工。利用间隔件43的外表面的倾斜面46切入封装基板15而赋予倾斜，并利用多个切削刀具44沿着分割预定线切入封装基板15，从而将封装基板15分割成各个半导体封装10。由此，能够一边对封装侧面23(参照图6的(A))赋予倾斜一边对封装基板15进行分割，减少本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多刀刀具，其一边对被加工物进行分割一边将被加工物加工成期望的形状，其中，该多刀刀具具有：被旋转驱动的轴；多个切削刀具，它们安装于该轴，将被加工物分割成各个芯片；以及间隔件，其在相邻的两个切削刀具之间安装于所述轴，从该切削刀具之间露出的该间隔件的外表面形成为能够在该芯片的外周形成期望的形状的转印形状，并且该间隔件的外表面被磨粒层覆盖。

【技术特征摘要】
2017.08.30 JP 2017-1659631.一种多刀刀具，其一边对被加工物进行分割一边将被加工物加工成期望的形状，其中，该多刀刀具具有：被旋转驱动的轴；多个切削刀具，它们安装于该轴，将被加工物分割成各个芯片；以及间隔件，其在相邻的两个切削刀具之间安装于所述轴，从该切削刀具之间露出的该间隔件的外表面形成为能够在该芯片的外周形成期望的形状的转印形状，并且该间隔件的外表面被磨粒层覆盖。2.一种被加工物的加工方法，使用权利要求1所述的多刀刀具进行如下的加工：对在正面上形成有交叉的多条分割预定线的被加工物一边沿着该分割预定线进行分割一边将分割后的芯片加工成期望的形状，其中，该加工方法具有如下的步骤：保持步骤，利用保持治具或保持带对该被加工物的背面进...

【专利技术属性】
技术研发人员：张秉得，金永奭，石井隆博，坂井真树，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP