一种用于硅电池的二氧化硅膜离线生成系统技术方案

技术编号:20223656 阅读:43 留言:0更新日期:2019-01-28 21:42
本发明专利技术提供的一种用于硅电池的二氧化硅膜离线生成系统,包括:臭氧供给系统,用于供给适量浓度的臭氧和空气混合气体;离线氧化腔体,所述离线氧化腔体为封闭容器,与所述臭氧供给系统相连;所述离线氧化腔体用于承载从生产线取下的硅片,通入臭氧后待反应完成,再将带有二氧化硅膜的硅片放至氮化硅膜生产线。通过增加二氧化硅钝化膜,可以有效减少电位诱导衰减,相比在线生成二氧化硅膜,离线氧化腔体可以使覆膜和其他生产线在不同地点分开进行,而不限于在同一生产线即时完成覆膜,且单次覆膜量较大,每个离线氧化腔体可放置400片硅片,每小时可完成氧化覆膜4000片。

【技术实现步骤摘要】
一种用于硅电池的二氧化硅膜离线生成系统
本专利技术涉及硅电池
,具体涉及一种用于硅电池的二氧化硅膜离线生成系统。
技术介绍
太阳能光伏电池(简称光伏电池)用于把太阳的光能直接转化为电能。目前地面光伏系统大量使用的是以硅为基底的硅太阳能电池,可分为单晶硅、多晶硅、非晶硅太阳能电池。在能量转换效率和使用寿命等综合性能方面,单晶硅和多晶硅电池优于非晶硅电池。多晶硅比单晶硅转换效率低,但价格更便宜。但是现有的太阳能电池存在电位诱导衰减的问题,电位诱导衰减PID现象是指在高温多湿环境下,高电压流经太阳能电池单元便会导致输出功率下降的现象,是光伏电池所特有的现象。在过去的几十年里,由于系统偏压而引起组件功率大幅衰减,有的衰减甚至超过50%。PID与环境因素、组件材料以及逆变器阵列接地方式等有关。
技术实现思路
因此,为了克服现有技术中电池电位诱导衰减问题严重的问题,从而提供一种在能够生产具有氧化硅膜的太阳能电池,从而减轻电位诱导衰减问题的一种用于硅电池的二氧化硅膜离线生成系统。本专利技术的设计方案如下:一种用于硅电池的二氧化硅膜离线生成系统,包括:臭氧供给系统,用于供给设定臭氧浓度的臭氧混合气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于硅电池的二氧化硅膜离线生成系统,其特征在于,包括:臭氧供给系统,用于供给设定臭氧浓度的臭氧混合气体;离线氧化腔体(1),为与所述臭氧供给系统相连的封闭容器;所述离线氧化腔体(1)用于承载从生产线取下的硅片,所述硅片在所述离线氧化腔体内反应形成二氧化硅膜。

【技术特征摘要】
1.一种用于硅电池的二氧化硅膜离线生成系统,其特征在于,包括:臭氧供给系统,用于供给设定臭氧浓度的臭氧混合气体;离线氧化腔体(1),为与所述臭氧供给系统相连的封闭容器;所述离线氧化腔体(1)用于承载从生产线取下的硅片,所述硅片在所述离线氧化腔体内反应形成二氧化硅膜。2.根据权利要求1中所述的一种用于硅电池的二氧化硅膜离线生成系统,其特征在于,包括放置所述硅片的承载盒,所述离线氧化腔体(1)设有多个可分别取出的所述承载盒。3.根据权利要求2中所述的一种用于硅电池的二氧化硅膜离线生成系统,其特征在于,所述承载盒在所述离线氧化腔高度方向上分层设置,所述离线氧化腔体(1)从顶部通入所述臭氧混合气体,底部设有过量气体排放管路(2)。4.根据权利要求3中所述的一种用于硅电池的二氧化硅膜离线生成系统,其特征在于,还包括空气...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔水炜万肇勇黄登强吴章平
申请(专利权)人:苏州昊建自动化系统有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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