【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池用硅片的处理方法
本专利技术属于太阳能电池
，具体涉及一种太阳能电池用硅片的处理方法。
技术介绍
晶体硅太阳能电池要想获得高效率，其晶体硅基体表面必须具有良好的钝化将少数载流子的表面复合速率控制到最小，从而获得较高的开压、电流和填充因子。硅表面钝化的常用手段主要是利用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、多晶硅等单层或多层介质膜结构通过将硅基体表面的悬挂键浓度降低来抑制表面复合速率。而近几年来，多晶硅薄膜备受关注，因为通过在硅基体的背面生长一层超薄的氧化层和一层掺杂的多晶硅薄膜，而多晶硅作为金属电接触的缓冲层，可以实现很好的钝化接触性能，电池效率可达到25.1％。但目前规模化的工业生产都用管式的低压化学气相沉积(LPCVD)或者等离子化学气相沉积(PECVD)的等设备生长多晶硅薄膜。但在生长单面多晶硅薄膜的时候，在另外一面都具有一定的绕镀。通常都是采用湿法化学的方法将其以去除，但湿法化学清洗方法本身就具有工艺稳定性差，可重复性及可控度低等缺陷，一直困扰着整个行业的发展。化学清洗不稳定的原因主要有以下几个方面：1)化学品的稳定性，不同批次的化学品本身...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池用硅片的处理方法，包括以下步骤：a)提供太阳能电池用硅片，所述太阳能电池用硅片包括硅基体(2)、位于所述硅基体(2)的第一主表面(201)的第一多晶硅薄膜(4)以及位于所述硅基体(2)的第二主表面(202)的第二多晶硅薄膜(5)，所述第一多晶硅薄膜(4)的厚度大于所述第二多晶硅薄膜(5)的厚度，所述硅基体(2)的第二主表面(202)与所述硅基体(2)的第一主表面(201)相对；b)对所述太阳能电池用硅片的第二多晶硅薄膜(5)进行离子蚀刻，以除去所述第二多晶硅薄膜(5)且在所述太阳能电池用硅片的第二主表面(202)上形成绒面(1)。
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池用硅片的处理方法，包括以下步骤：a)提供太阳能电池用硅片，所述太阳能电池用硅片包括硅基体(2)、位于所述硅基体(2)的第一主表面(201)的第一多晶硅薄膜(4)以及位于所述硅基体(2)的第二主表面(202)的第二多晶硅薄膜(5)，所述第一多晶硅薄膜(4)的厚度大于所述第二多晶硅薄膜(5)的厚度，所述硅基体(2)的第二主表面(202)与所述硅基体(2)的第一主表面(201)相对；b)对所述太阳能电池用硅片的第二多晶硅薄膜(5)进行离子蚀刻，以除去所述第二多晶硅薄膜(5)且在所述太阳能电池用硅片的第二主表面(202)上形成绒面(1)。2.根据权利要求1所述的太阳能电池用硅片的处理方法，其特征是：在所述硅基体(2)的两个侧面分别具有第三多晶硅薄膜(6)和第四多晶硅薄膜(7)。3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池用硅片的处理方法，其特征是：所述第一多晶硅薄膜(4)的厚度为500nm以下，优选地，所述第三多晶硅薄膜(6)和第四多晶硅薄膜(7)的厚度为500nm以下。4.根据权利要求3所述的太阳能电池用硅片的处理方法，其特征是：离子蚀刻时采用含有氟离子和氧离子的反应离子刻蚀系统，其中SF6的气体流量为5000sccm以下，气体O2的气体流量为10000sccm以下，Cl2的气体流量为2000sccm以下，反应离子刻蚀设备的功率为5000W以下；反应离子刻蚀设备内的压力为100Pa以下；刻蚀时间为500s以下。5.根据权利要求4所述的太阳能电池用硅片的处理方法，其特征是：所述第一多晶硅薄膜(4)为不含掺杂源的多晶硅薄膜、掺杂磷的多晶硅薄膜和掺杂硼的多晶硅薄膜中的一种单层膜或其中几种的叠层膜。6.根据权利要求5所述的太阳能电池用硅片的处理方法，其特征是：所述硅基体(2)与所述第一多晶硅薄膜(4)之间还设有钝化介质层(3)；所述钝化介质层(3)为氧化硅、氧化钛和氮氧化硅中的一种单层膜或几种的叠层膜，其厚度为0.5nm～10nm。7.根据权利要求1所述的太阳能电池用硅片的处理方法，其特征是具体包括以下步骤：S1：选取硅基体(2)，清洗；S2：采用气相沉积法在硅基体(2)的第一主表面(2...
【专利技术属性】
技术研发人员：张俊兵，蒋秀林，孙纤，
申请(专利权)人：晶澳扬州太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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