一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法技术

本发明专利技术涉及太阳能电池领域，公开了一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法，包括：1）选用P型多晶金刚线硅片，用有机碱溶液和水依次进行清洗，烘干；2）在硅片背面和四周镀上SiON：H膜；3）在硅片正面制作黑硅绒面；4）对硅片正面进行扩散，形成PN结；5）用酸溶液去除硅片正面的磷硅玻璃以及腐蚀硅片背面、四周的SiON：H膜，水洗、烘干；6）在黑硅绒面镀减反射薄膜；7）在硅片正面印刷正电极；8）在硅片背面印刷背电极，烧结。本发明专利技术方法制得的黑硅电池片的转换效率得到了有效的提升，适用于后续多晶电池片例如黑硅+PERC系列电池、黑硅+MWT系列电池等的技术升级。

【技术实现步骤摘要】
一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法
本专利技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法。
技术介绍
太阳能光状发电是目前清洁、环保的可持续能源利用形式之一，近些年在全球得到迅猛发展。当前晶体硅太阳电池片是光伏发电主流领域，但由于其成本太高暂时无法取代传统能源，降低成本增加光电转换效率成为光伏行业最大的问题。现有的常规生产技术中，多晶金刚线硅片采用酸制绒制备微米级蠕虫状结构，多晶反射率较高在24-30％左右，导致电池片无法有效捕捉太阳光，电池片转换效率较低。在众多提高太阳电池转换效率可行量产的方法中，降低硅片表面反射率增强对太阳光吸收，是一种非常有效的方式。而黑硅技术由于陷光效果好，能大幅度降低硅片表面反射率，增强对太阳光的吸收，从而能大幅提升多晶硅片的转化效率，并能解决金刚线切多晶硅片出绒难，以及晶花很明显问题，广受多晶电池厂家的青睐。传统多晶链式湿法黑硅电池片工艺路线是：a)使用链式双面制绒设备，制作出纳米级别绒面，正面反射率为19-23％，背面反射率为21-25％；b)使用黑硅硅片正面扩散制作PN结，方阻控制在90-100R□；c)使用链本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）选用P型多晶金刚线硅片，用有机碱溶液和水依次进行清洗，烘干；2）在硅片背面和四周镀上SiON：H膜；3）在硅片正面制作黑硅绒面；4）对硅片正面进行扩散，在正面形成PN结；5）用酸溶液酸洗去除硅片正面的磷硅玻璃以及腐蚀硅片背面、四周的SiON：H膜，然后水洗、烘干；6）在黑硅绒面镀减反射薄膜，硅片背面不镀减反射薄膜；7）在硅片正面印刷正电极；8）在硅片背面印刷背电极，烧结，制得成品。

【技术特征摘要】
1.一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）选用P型多晶金刚线硅片，用有机碱溶液和水依次进行清洗，烘干；2）在硅片背面和四周镀上SiON：H膜；3）在硅片正面制作黑硅绒面；4）对硅片正面进行扩散，在正面形成PN结；5）用酸溶液酸洗去除硅片正面的磷硅玻璃以及腐蚀硅片背面、四周的SiON：H膜，然后水洗、烘干；6）在黑硅绒面镀减反射薄膜，硅片背面不镀减反射薄膜；7）在硅片正面印刷正电极；8）在硅片背面印刷背电极，烧结，制得成品。2.如权利要求1所述的一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法，其特征在于，步骤1）中，所述有机碱溶液为体积浓度5-20%的为四甲基氢氧化铵溶液，清洗温度为常温，清洗时间为150-300s，清洗完成后硅片正反面反射率为45-60%。3.如权利要求1所述的一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法，其特征在于，步骤2）中，使用低压管式PECVD设备进行镀膜，硅烷流量为500-2000sccm，氨气流量为1000-5000sccm，笑气流量为2000-7000sccm，沉积压力为1300-1800mTorr，沉积总时间为45-90min；SiON：H膜的膜厚为100-150nm，折射率为1.85-2.2。4.如权利要求1或3所述的一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法，其特征在于，步骤3）中，采用链式黑硅设备制作绒面，制绒后绒面大小为500-900nm，反射率为18-23%；制绒后硅片背面的SiON：H膜的厚度为5-50nm。5.如权利要求1或3所述的一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法，其特征在于，步骤4）中，扩散后...

【专利技术属性】
技术研发人员：许成德，陈健生，李鑫，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33