【技术实现步骤摘要】
抛光处理晶体硅片表面技术在太阳电池制备中的应用
本专利技术属于太阳电池和半导体器件领域。涉及太阳电池的制备技术。
技术介绍
对于现行晶体硅太阳电池制备和研发，为了减少硅片表面的光反射损失，最大程度的提高器件的光生电流，无论是单晶硅还是多晶硅，还是Al背场、PERC、PERT、TOPCON、a-Si:H/c-Si异质结等等各种器件结构，为了获得最佳的对光的减反射效果，其制备过程中均要对硅片表面尤其是主迎光面进行“制绒处理”，即将硅片表面通过化学试剂刻蚀或者其它方法刻蚀，将其做的凹凸不平，然后再结合减反射薄膜，共同作用下使得硅片表面对光的反射损失降到最低。但如此做法，存在以下问题：1）制绒后硅片表面的比表面积增大。以单晶硅为例，其制成的金字塔结构使得硅片实际表面积增大为抛光硅片的约1.3倍。这导致a)硅片表面的复合损耗大大增加，降低了太阳电池的开路电压。b)对于扩散法制备的晶体硅太阳电池，因为发射极层只有两三百纳米，是在硅片绒面的最外层，这导致载流子在被电极收集之前所要迁移过的行程相比于抛光表面增大很多（约为2倍），这导致载流子在发射极中的复合损耗大大增加，串联电阻增...
【技术保护点】
1.抛光处理晶体硅片表面技术在太阳电池制备中的应用，其特征是在单晶硅或多晶硅太阳电池制备过程中，将清洗制绒工序中的制绒步骤改用抛光。
【技术特征摘要】
1.抛光处理晶体硅片表面技术在太阳电池制备中的应用，其特征是在单晶硅或多晶硅太阳电池制备过程中，将清洗制绒工序中的制绒步骤改用抛光。2.根据权利要求1所述的抛光处理晶体硅片表面技术在太阳电池制备中的应用，其特征是包括以下步骤：（1）用氨水与双氧水的混合溶液或其它预清洗剂对硅片表面进行预清洗；（2）采用加热的高浓度的氢氧化钠溶液刻蚀硅片表面，去除硅片表面损伤层；（3）根据晶体硅太阳电池制结...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。