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抛光处理晶体硅片表面技术在太阳电池制备中的应用，其特征是在单晶硅或多晶硅太阳电池制备过程中，将清洗制绒工序中的制绒步骤改用抛光。本发明可减少硅片表面的复合损耗、载流子在发射极层或TCO层等中的传输损耗和阻碍，提高太阳电池的开路电压、短路电流...
该专利属于南昌大学所有，仅供学习研究参考，未经过南昌大学授权不得商用。

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