一种MSM光电探测器的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种MSM光电探测器的制备方法，属于光电探测器技术领域，本发明专利技术中高速高效率MSM光电探测器的制备方法为：在SOI(Si+SiO2+Si)基片上制备半导体薄膜；在半导体薄膜上制备叉指电极；腐蚀去除SiO2层，使器件脱离硅基底；在器件背面依次刻蚀硅与半导体薄膜形成周期性光陷阱结构，得到高速高效率MSM光电探测器，该制备方法通过在半导体薄膜中集成周期性光陷阱结构，在保证MSM光电探测器的响应速率的同时，有效提高探测器的光探测效率，本发明专利技术用于可见光与红外探测与成像技术。

【技术实现步骤摘要】
一种MSM光电探测器的制备方法
本专利技术涉及见光与红外探测与成像
，具体涉及一种MSM光电探测器的制备方法。
技术介绍
光电探测器(PhotoDetector，PD)是光电检测系统和光纤通信中光信号转换的关键器件。目前，不断提高的光纤通信系统速率对光电探测器的响应速率提出了越来越高的要求，高速光电探测器成为一个重要的研究课题。金属-半导体-金属光电探测器(Metal-Semiconductor-MetalPhotoDetector)即MSM-PD由于其高响应度、高灵敏度、结构简单、易于集成以及成本低等特点，获得了广泛的关注和应用。MSM光电探测器是指在半导体材料表面制作金属电极形成背靠背肖特基二极管，由光敏层和叉指电极组合形成。叉指电极由半导体表面分立的两组金属条构成，叉指电极的间隔即为光敏面。相比于PIN二极管等其它类型光电探测器，MSM-PD器件主要包含以下几个方面的优点：(1)极低的分布电容。MSM-PD器件实际为两个背靠背二极管，工作时一支正偏，另一只反向偏置，所以器件结电容较小，而且随电压变化不大。同时MSM-PD为金属—半导体结构，没有少子效应，串联电阻较小，分布本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在SOI基片上制备半导体薄膜(20)；其中，SOI基片包括从下到上依次电镀形成的硅基片层(10)、二氧化硅层(11)和硅薄膜层(12)，所述半导体薄膜(20)黏附于所述硅薄膜层(12)上表面上；(2)在所述半导体薄膜(20)上电镀并图形化形成若干叉指电极(30)；(3)采用腐蚀法去除二氧化硅层(11)，使得硅基片层(10)和二氧化硅层(11)从硅薄膜层(12)上脱落；(4)在所述半导体薄膜(20)上沿其纵向方向刻蚀若干周期孔且形成周期性光陷阱结构(40)，每一个周期孔向硅薄膜层(12)延伸且伸入硅薄膜层(12)内，每一个周期孔...

【技术特征摘要】
1.一种MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在SOI基片上制备半导体薄膜(20)；其中，SOI基片包括从下到上依次电镀形成的硅基片层(10)、二氧化硅层(11)和硅薄膜层(12)，所述半导体薄膜(20)黏附于所述硅薄膜层(12)上表面上；(2)在所述半导体薄膜(20)上电镀并图形化形成若干叉指电极(30)；(3)采用腐蚀法去除二氧化硅层(11)，使得硅基片层(10)和二氧化硅层(11)从硅薄膜层(12)上脱落；(4)在所述半导体薄膜(20)上沿其纵向方向刻蚀若干周期孔且形成周期性光陷阱结构(40)，每一个周期孔向硅薄膜层(12)延伸且伸入硅薄膜层(12)内，每一个周期孔不贯穿硅薄膜层(12)，周期孔的周期为0.5-13μm。2.根据权利要求1所述的一种MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述半导体薄膜(20)由硅、锗、硫化铅、硒化铅、铟镓砷以及碲镉汞中的一种制成。3.根据权利要求2所述的一种MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，所述半导体薄膜(20)的厚度为0.5～5μm。...

【专利技术属性】
技术研发人员：苟君，牛青辰，于贺，王军，蒋亚东，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51