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本发明公开了一种MSM光电探测器的制备方法，属于光电探测器技术领域，本发明中高速高效率MSM光电探测器的制备方法为：在SOI(Si+SiO2+Si)基片上制备半导体薄膜；在半导体薄膜上制备叉指电极；腐蚀去除SiO2层，使器件脱离硅基底；在器...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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