电阻器、显示设备和电子设备制造技术

本发明专利技术涉及电阻器、显示设备和电子设备。提供一种新电阻器。提供具有能够提高其可靠性的新结构的显示设备。提供具有能够减少静电释放损害的新结构的显示设备。电阻器包括半导体层以及形成于半导体层之上的绝缘层，并且半导体层是以至少含有铟（In）、锌（Zn）和M（M是诸如Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce或Hf之类的金属）的In‑M‑Zn氧化物为代表的氧化物，并且绝缘层至少含有氢。

【技术实现步骤摘要】
电阻器、显示设备和电子设备
本专利技术的一种实施例涉及对象、方法、制造泛法、过程、机器、制造或物质的组成。特别地，本专利技术的一种实施例涉及，例如，半导体设备、显示设备、发光设备、电子设备、它们的驱动方法或者它们的制造方法。特别地，例如，本专利技术的一种实施例涉及每个都包含氧化物半导体的电阻器、半导体设备、显示设备、电子设备或发光设备。注意，术语“显示设备”意指包括显示元件的设备。另外，显示设备还包括用于驱动多个像素的驱动电路等。此外，显示设备还包括形成于另一个基板上的控制电路、电源电路、信号发生电路等。
技术介绍
对于以液晶显示设备为代表的显示设备，元件和布线已经随着新近的技术革新而缩小了尺寸，并且大规模生产技术同样已经得到了大大改进。制造产出率的提高需要在将来实现更低的成本。如果因静电等所致的浪涌电压被施加于显示设备，则元件会被损坏而产生异常的显示。因而，制造产出率很可能会被降低。为了克服这点，用于将浪涌电压释放到另一个布线的保护电路被设置于显示设备内（例如，参见专利文献1至7）。[参考文献][专利文献1]日本公开专利申请No.2010-92036[专利文献2]日本公开专利申请N本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电阻器，包括：在基板之上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层之上的第二绝缘层；在所述第二绝缘层之上的半导体层；在所述半导体层之上的一对电极层；在所述一对电极层之上的包含开口的第三绝缘层；以及在所述第三绝缘层之上的第四绝缘层，其中所述半导体层是含有铟、锌与选自Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce和Hf中的金属的氧化物，其中所述第四绝缘层包含氢，并且其中所述第四绝缘层通过所述开口与所述半导体层接触。

【技术特征摘要】
2012.12.25 JP 2012-2818731.一种电阻器，包括：在基板之上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层之上的第二绝缘层；在所述第二绝缘层之上的半导体层；在所述半导体层之上的一对电极层；在所述一对电极层之上的包含开口的第三绝缘层；以及在所述第三绝缘层之上的第四绝缘层，其中所述半导体层是含有铟、锌与选自Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce和Hf中的金属的氧化物，其中所述第四绝缘层包含氢，并且其中所述第四绝缘层通过所述开口与所述半导体层接触。2.根据权利要求1所述的电阻器，其中所述半导体层包括微晶区，其中在利用以上且以下的射束直径的所述微晶区的电子衍射图中观察到布置于周边的多个斑点，并且其中在利用以上的射束直径的所述微晶区的电子衍射图中没有观察到斑点。3.根据权利要求1所述的电阻器，其中所述第四绝缘层是氮化硅膜。4.根据权利要求1所述的电阻器，其中所述第四绝缘层与所述半导体层接触。5.根据权利要求1所述的电阻器，其中所述第四绝缘层中所含有的氢浓度为1×1022原子/cm3或更高。6.一种电阻器，包括：半导体层；以及在所述半导体层之上的绝缘层，其中所述半导体层是含有铟、锌与选自Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce和Hf中的金属的氧化物，其中所述绝缘层包含氢，其中所述半导体层包括微晶区，其中在利用以上且以下的射束直径的所述微晶区的电子衍射图中观察到布置于周边的多个斑点，并且其中在利用以上的射束直径的所述微晶区的电子衍射图中没有观察到斑点。7.根据权利要求6所述的电阻器，还包括在所述半导体层之上的一对电极层。8.根据权利要求6所述的电阻器，其中所述绝缘层是氮化硅膜。9.根据权利要求1或6所述的电阻器，其中所述半导体层的电阻率高于或等于1×10-3Ωcm且低于1×104Ωcm。10.根据权利要求6所述的电阻器，其中所述绝缘层与所述半导体层接触。11.根据权利要求6所述的电阻器，其中所述绝缘层中所含有的氢浓度为1×1022原子/cm3或更高。12.一种显示设备，包括：像素部分；在所述像素部分外部的驱动电路部分；以及与所述像素部分和所述驱动电路部分之一或两者电连接的保护电路部分，其中所述像素部分包括像素电极以及与所述像素电极电连接的第一晶体管，其中所述驱动电路部分包括被配置用于控制所述第一晶体管的导通状态或截止状态的第二晶体管，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每个...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP