单体双金属板封装结构制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种单体双金属板封装结构，包括：第一线路层；电性连接于所述第一线路层上方且与所述第一线路层形成至少一个空腔的第二线路层；叠加设置于所述第一线路层下方的第一阻焊层，所述第一阻焊层设置有若干个开窗区域；开设于单体双金属板封装结构外围并连通所述空腔内部的注塑孔；位于所述空腔内的芯片；植入所述第一阻焊层的开窗区域以连通所述第一线路层的焊球，以及填充所述空腔和所述注塑孔的注塑料。本实用新型专利技术的单体双金属板封装结构，无需使用传统的模具进行封装，节约制造成本，其良率及稳定度均得到大幅提升，且工艺简单。

【技术实现步骤摘要】
单体双金属板封装结构
本技术属于半导体制造领域，尤其涉及一种单体双金属板封装结构。
技术介绍
随着电子产品多功能化和小型化的潮流，高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展，尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展，使得集成电路封装也向微小化、高密度、高功率、高速度的方向发展。而随着电子部件变得更小、并且在工作频率更高，由于高频芯片在运输和传输是会产生很强的电磁波，往往会对封装内的其他芯片或者封装外的电子部件的造成不期望的干扰或噪声。加上电子部件的密度过高，电子部件之间的信号传输线路的距离越来越近，使得来自集成电路封装外部或内部的芯片之间的电磁干扰(Electro-MagneticInterference,EMI)情形也日益严重。同时也会降低集成电路封的电性品质和散热效能。为解决电磁干扰问题，现有技术往往会在封装体外表面粘贴金属盖或是镀上金属层来屏蔽电磁波的发射和接收。然而通过粘贴金属盖来实现电磁屏蔽，其金属盖和封装体的结合性往往存在问题，由于金属盖的尺寸和封装体的尺寸很难完全匹配，金属盖与封装体外表面之间往往会存在空气残留，在电子部件工作升温时往往会造成其可靠性的问题；而通过镀金属层的方式来实现电磁屏蔽，其金属层的接地一般只能辅助导体和元器件来实现接地，其工艺比较复杂，成本较高。所以，如何克服现有技术的种种问题，更方便的提供一种可避免电磁干扰的封装结构和封装工艺，成为业界迫切解决的课题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种单体双金属板封装结构。为了实现上述技术的目的之一，本技术一实施方式提供一种单体双金属板封装结构，其包括：第一线路层；电性连接于所述第一线路层上方且与所述第一线路层形成至少一个空腔的第二线路层；叠加设置于所述第一线路层下方的第一阻焊层，所述第一阻焊层设置有若干个开窗区域；开设于单体双金属板封装结构外围并连通所述空腔内部的注塑孔；位于所述空腔内的芯片；植入所述第一阻焊层的开窗区域以连通所述第一线路层的焊球，以及填充所述空腔和所述注塑孔的注塑料。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述芯片为第二芯片，所述第二芯片电性连接于所述第二线路层。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述芯片为第一芯片，所述第一芯片电性连接于所述第一线路层。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述单体双金属板封装结构还包括：位于所述空腔外的第三芯片，所述第三芯片电性连接所述第二线路层；所述注塑料还用于包封处于空腔外的第三芯片和所述第二线路层的外壁面。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述单体双金属板结构还包括：设置于所述第一阻焊层上方，且依次契合所述第二线路层外壁面设置的第二阻焊层和上金属板，所述第一线路层和第二线路层通过所述第二阻焊层与所述上金属板隔离。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述注塑孔自所述第二线路层的外壁面延伸至空腔内。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述注塑孔自所述上金属板的外壁面，依次通过第二阻焊层以及第二线路层延伸至空腔内。作为本技术一实施方式的进一步改进，沿注塑孔朝向凹槽内部的延伸方向上，所述注塑孔的开口尺寸保持不变。作为本技术一实施方式的进一步改进，沿注塑孔朝向凹槽内部的延伸方向上，所述注塑孔的开口尺寸依次递减。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述芯片采用倒装和/或焊线的方式进行安装。与现有技术相比，本技术的单体双金属板封装结构，通过采用双金属板进行封装来实现EMI屏蔽，而且其无需使用传统的具有型腔模具进行塑封封装，节约制造成本，其良率及稳定度均得到大幅提升，且工艺简单。附图说明图1A为本技术第一实施方式中单体双金属板封装结构的封装方法的流程示意图；图1B对应本技术图1A所示封装方法的步骤示意图；图2A、2B、2C、2D、2E、2F分别是采用图1A所述封装方法封装出的单体双金属板封装结构的结构示意图；图3是本技术一实施方式中上金属板蚀刻完成以形成凹槽后的立体结构示意图；图4A为本技术第二实施方式中单体双金属板封装结构的封装方法的流程示意图；图4B对应本技术图4A所示封装方法的步骤示意图；图5A、5B、5C、5D、5E、5F分别是采用图4A所述封装方法封装出的单体双金属板封装结构的结构示意图；图6A为本技术第三实施方式中单体双金属板封装结构的封装方法的流程示意图；图6B对应本技术图6A所示封装方法的步骤示意图；图7是采用图6A所述封装方法封装出的单体双金属板封装结构的结构示意图。具体实施方式以下将结合附图所示的具体实施方式对本专利技术进行详细描述。但这些实施方式并不限制本专利技术，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本专利技术的保护范围内。需要说明的是，本文使用的例如“上”、“下”等表示空间相对位置的术语是出于便于说明的目的来描述如附图中所示的一个单元或特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以旨在包括封装结构在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如，如果将图中的设备翻转，则被描述为位于其他单元或特征“下表面的单元将位于其他单元或特征“上表面”。因此，示例性术语“下表面”可以囊括上表面和下表面这两种方位。封装结构可以以其他方式被定向(旋转90度或其他朝向)，并相应地解释本文使用的与空间相关的描述语。再者，应当理解的是尽管术语第一、第二等在本文中可以被用于描述各种元件或结构，但是这些被描述对象不应受到上述术语的限制。上述术语仅用于将这些描述对象彼此区分开。例如，第一线路层可以被称作第二线路层，同样，第二线路层也可以被称作第一线路层，这并不背离该申请的保护范围。本专利技术所示的封装方法可用于单颗芯片的封装，也可用于晶圆级芯片的封装方法，下面以单颗芯片的封装方法为例做具体介绍。结合图1A、1B、2A、2B、2C、2D、2E、2F、3所示，具体的，图1A、1B所示本专利技术第一实施方式提供的单体双金属板封装结构的封装方法包括：S11、提供上金属板10和下金属板20。S12、在上金属板10的下表面上蚀刻形成至少一个凹槽11，并在每一所述凹槽11内壁上电镀第二线路层30以形成顶板；在下金属板20的上表面依次电镀第一阻焊层70和第一线路层40以形成底板。S13、在所述第一线路层40远离所述下金属板20的一侧叠装第一芯片51和/或在所述第二线路层30远离所述上金属板10的一侧叠装第二芯片52；S14、结合顶板和底板，以在所述第一阻焊层70和第二线路层30之间形成空腔，使所述第二线路层30与所述第一线路层40导通，使所述第一芯片51设置于所述空腔内和/或使所述第二芯片52设置于所述空腔内。S15、向所述空腔内注入注塑料60以进行注塑包。本专利技术具体示例中，通过所述注塑孔13向所述空腔内注入注塑料60以进行注塑包封。S16、剥离所述下金属板20；剥离下金属板20的方式有多种，本专利技术具体实施方式中，可通过蚀刻或机械剥离的方式剥离下金属板20。S17、在第一阻焊层70上开窗以曝露第一线路层40，并在其开窗区域701植入焊球80。S18、剥离上金属10板，以形成若干个单体双金属板封装结构(100a，100b，100c，100d，100本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单体双金属板封装结构，其特征在于，所述单体双金属板封装结构包括：第一线路层；电性连接于所述第一线路层上方且与所述第一线路层形成至少一个空腔的第二线路层；叠加设置于所述第一线路层下方的第一阻焊层，所述第一阻焊层设置有若干个开窗区域；开设于单体双金属板封装结构外围并连通所述空腔内部的注塑孔；位于所述空腔内的芯片；植入所述第一阻焊层的开窗区域以连通所述第一线路层的焊球，以及填充所述空腔和所述注塑孔的注塑料。

【技术特征摘要】
1.一种单体双金属板封装结构，其特征在于，所述单体双金属板封装结构包括：第一线路层；电性连接于所述第一线路层上方且与所述第一线路层形成至少一个空腔的第二线路层；叠加设置于所述第一线路层下方的第一阻焊层，所述第一阻焊层设置有若干个开窗区域；开设于单体双金属板封装结构外围并连通所述空腔内部的注塑孔；位于所述空腔内的芯片；植入所述第一阻焊层的开窗区域以连通所述第一线路层的焊球，以及填充所述空腔和所述注塑孔的注塑料。2.根据权利要求1所述的单体双金属板封装结构，其特征在于，所述芯片为第二芯片，所述第二芯片电性连接于所述第二线路层。3.根据权利要求1或2所述的单体双金属板封装结构，其特征在于，所述芯片为第一芯片，所述第一芯片电性连接于所述第一线路层。4.根据权利要求1或2所述的单体双金属板封装结构，其特征在于，所述单体双金属板封装结构还包括：位于所述空腔外的第三芯片，所述第三芯片电性连接所述第二线路层；所述注塑料还用于包封处于空腔外的第三芯片和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王孙艳，梁志忠，刘恺，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32