The invention provides a method for fabricating an array substrate and an array substrate, which includes: a substrate comprising a patterned semiconductor layer; a first gate insulating layer, a first gate insulating layer, a second gate insulating layer and a capacitive metal layer are formed successively on the semiconductor layer; and the first gate insulating layer, a second gate insulating layer and the capacitive metal layer are formed by a mask process. The capacitive metal layer is patterned to form a first gate, a patterned second gate insulating layer and a capacitive metal, wherein the edge position of the patterned second gate insulating layer is fitted to the edge position of the first gate. By changing the structure of the first gate insulating layer, the first gate and capacitive metal are prepared in the same mask process, and the manufacturing efficiency of the array substrate is improved without responding to the performance of the array substrate.
【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制作方法及阵列基板
本专利技术涉及显示领域,具体涉及一种阵列基板的制作方法及阵列基板。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)显示面板因具有因为具备轻薄、节能、宽视角、色域广、对比度高等特性而备受人们的青睐,有机发光二极管显示面板分为被动式有机发光二极管显示面板(PMOLED)和主动式有机发光二极管显示面板(AMOLED)。现有的OLED显示面板通常采用薄膜晶体管驱动有机发光二极管中发光层的电流,通过调整薄膜晶体管的流经有机发光二极管的电流可以将显示光的发光亮度设置为最合适的亮度。通常的,阵列基板包括由栅极金属和设置于所述第一栅极上方的电容金属,所述第一栅极和所述电容金属共同组成阵列基板的电容;所述电容用于存储所在阵列基板的开启电位和补偿电位。阵列基板包括层叠设置的多晶硅层、第一缓冲层、第一栅极、电容金属、第二缓冲层和电容金属;现有阵列基板的制备方法包括:在第一缓冲层表面沉积第一栅极层,并将所述第一栅极层图案化以形成第一栅极;在所述第二缓冲层表面沉积电容金属层,并将所述电容金属层图案化以形成电容金属;其 ...
【技术保护点】
1.一种阵列基板制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S10、提供一基板,所述基板包括经图案化的半导体层;步骤S20、在所述半导体层上依次形成第一栅绝缘层、第一栅极层、第二栅绝缘层和电容金属层;步骤S30、采用一道光罩工艺将所述第一栅极层、第二栅绝缘层和所述电容金属层图案化以形成第一栅极、图案化的第二栅绝缘层和电容金属;其中,所述图案化的第二栅绝缘层的边缘位置与所述第一栅极的边缘位置贴合。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S10、提供一基板,所述基板包括经图案化的半导体层;步骤S20、在所述半导体层上依次形成第一栅绝缘层、第一栅极层、第二栅绝缘层和电容金属层;步骤S30、采用一道光罩工艺将所述第一栅极层、第二栅绝缘层和所述电容金属层图案化以形成第一栅极、图案化的第二栅绝缘层和电容金属;其中,所述图案化的第二栅绝缘层的边缘位置与所述第一栅极的边缘位置贴合。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述步骤S20具体包括:所述第一栅绝缘层、所述第一栅极层、所述第二栅绝缘层和所述电容金属层依次层叠设置。3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述步骤S30具体包括:步骤S301、在所述第二栅绝缘层的上方涂布光阻层,采用预定光罩对所述光阻层进行曝光、显影;步骤S302、对所述第一栅极层、所述第二栅绝缘层和所述电容金属层进形第一次蚀刻;步骤S303、剥离所述光阻层,以形成所述第一栅极、所述图案化的第二栅绝缘层和所述电容金属。4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述步骤S302还包括:采用灰化工艺处理所述光阻层,进而对所述电容金属层进行第二次蚀刻,以在所述电容金属内形成圆孔。5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈彩琴,
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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