阵列基板制造技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板之上的第一金属设置在所述第一金属之上的第一缓冲层；设置在所述第一缓冲层之上的第二金属；设置在所述第二金属之上的第二缓冲层；设置在所述第二缓冲层之上的第三金属；其中，所述第一缓冲层与所述第二缓冲层之间设置有过孔，所述第一金属通过所述过孔与所述第三金属电连接，所述第一金属、所述第二金属和所述第三金属组成并联电容。本发明专利技术通过将栅极金属与电容金属或源漏极金属相连，使栅极金属、源漏极金属和电容金属之间的电容并联，进而在保持单个像素面积不变的前提下增加补偿电路的电容，以实现显示面板的高清晰度。

Array substrate

The invention provides an array substrate, which includes: a substrate substrate; a first buffer layer on the first metal set on the substrate; a second metal set on the first buffer layer; a second buffer layer set on the second metal set on the second metal; a third metal set on the second buffer layer; and a third metal set on the second buffer layer. A hole is arranged between the buffer layer and the second buffer layer, the first metal is electrically connected with the third metal through the hole, and the first metal, the second metal and the third metal constitute a shunt capacitor. By connecting the gate metal with the capacitive metal or the source-drain metal, the capacitance between the gate metal, the source-drain metal and the capacitive metal is paralleled, and then the capacitance of the compensation circuit is increased without changing the area of a single pixel to achieve high definition of the display panel.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板
本专利技术涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示面板因具有因为具备轻薄、节能、宽视角、色域广、对比度高等特性而备受人们的青睐，有机发光二极管显示面板分为被动式有机发光二极管显示面板(PMOLED)和主动式有机发光二极管显示面板(AMOLED)。然而，AMOLED显示面板仍然有较明显的缺陷。例如：由于面板制作不均匀，各个驱动薄膜晶体管的阈值电压不同，导致像素间发光存在显示差异，现有技术采用补偿电路的方式降低像素之间的发光的显示差异。在像素电路的补偿电路中，电容作为关键部件用来存储薄膜晶体管的开启电位和补偿电位；因此，电容的性能好坏在像素电路的工作过程中起到重要的作用。通常的，为了维护像素中电容一端电位的稳定性，我们需要在像素空间内尽可能的增大存储电容的大小，但是随着显示面板的高清化需要，显示面板的像素清晰度越高，存储电容的面积就变的越小。如图1所示为现有阵列基板中所采用存储电容的结构，其中，第一栅极12和第二栅极13组成的存储电容占据了阵列基板较大的空间，存储电容的大小成为限制显示面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板之上的第一金属；设置在所述第一金属之上的第一缓冲层；设置在所述第一缓冲层之上的第二金属；设置在所述第二金属之上的第二缓冲层；设置在所述第二缓冲层之上的第三金属；其中，所述第一缓冲层与所述第二缓冲层之间设置有过孔，所述第一金属通过所述过孔与所述第三金属电连接，所述第一金属、所述第二金属和所述第三金属组成并联电容。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板之上的第一金属；设置在所述第一金属之上的第一缓冲层；设置在所述第一缓冲层之上的第二金属；设置在所述第二金属之上的第二缓冲层；设置在所述第二缓冲层之上的第三金属；其中，所述第一缓冲层与所述第二缓冲层之间设置有过孔，所述第一金属通过所述过孔与所述第三金属电连接，所述第一金属、所述第二金属和所述第三金属组成并联电容。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属为栅极金属，所述第三金属位于所述阵列基板的源漏极金属层。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板与所述第一金属之间设置有多晶硅层，所述多晶硅层包括中部的沟道区和两端的掺杂区；其中，所述第一金属、所述第二金属和所述第三金属均位于所述沟道区的上方。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔贯穿所述第一缓冲层和所述第二缓冲层；所述过孔将所述第二金属分开，且所述第二金属与所述过孔相离。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏极金属层包括相互绝缘的源漏极金属和所述第三金属；其中，所述源漏机金属与所述薄膜晶体管的多晶硅层相连。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彩琴，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42