TFT阵列基板及显示面板制造技术

本发明专利技术涉及一种TFT阵列基板及显示面板。该TFT阵列基板包括图案化的金属氧化物主动层、栅极金属层，以及源漏极金属层，进一步包括至少一图案化的吸氢金属层，所述吸氢金属层与图案化的金属氧化物主动层之间设有介电层。本发明专利技术的TFT阵列基板及显示面板，能够减少氢原子与金属氧化物TFT主动层的反应，达到改善TFT信赖性的目的。

TFT Array Substrate and Display Panel

The invention relates to a TFT array substrate and a display panel. The TFT array substrate comprises a patterned metal oxide active layer, a gate metal layer, and a source and drain metal layer, and further comprises at least one patterned hydrogen absorbing metal layer with a dielectric layer between the hydrogen absorbing metal layer and the patterned metal oxide active layer. The TFT array substrate and display panel of the invention can reduce the reaction between hydrogen atom and metal oxide TFT active layer and achieve the purpose of improving the reliability of TFT.

【技术实现步骤摘要】
TFT阵列基板及显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT阵列基板及显示面板。
技术介绍
金属氧化物薄膜晶体管(MetaloxideTFT)(例如IGZO；IGTO…)具有较简略的制造工序,高的载子迁移率、低漏电流以及较佳的电性稳定性,因此被应用于有机发光二极管(OLED)显示器的驱动电路,金属氧化物TFT的缺点是金属氧化物中的氧原子容易被氢原子还原,产生氧空缺,导致TFT的电特性飘移,既有的作法为了减少氢原子的来源,金属氧化物TFT的介电层材料采用SiOx取代SiNx(例如缓冲层(Bufferlayer)，层间绝缘层(ILD)，钝化层(PV)等膜层)，但是依据不同的化学气相沉积(CVD)成膜条件,SiOx薄膜中仍然含有一至十几原子百分比(at％)的氢含量,这些氢原子在后续的高温工艺,或是显示器操作时电流产生的局部高温,都有机会由SiOx薄膜中扩散到金属氧化物TFT的沟道中,使TFT的电特性偏移而造成画面显示异常的现象。参见图1，其为一种现有有机发光显示面板剖面结构示意图，主要包括：包含金属氧化物TFT的TFT阵列基板、以及设置于TFT阵列基板上的OLED器件。TFT阵本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT阵列基板，包括图案化的金属氧化物主动层、栅极金属层、以及源漏极金属层，其特征在于，进一步包括至少一图案化的吸氢金属层，所述吸氢金属层与图案化的金属氧化物主动层之间设有介电层。

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板，包括图案化的金属氧化物主动层、栅极金属层、以及源漏极金属层，其特征在于，进一步包括至少一图案化的吸氢金属层，所述吸氢金属层与图案化的金属氧化物主动层之间设有介电层。2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述吸氢金属为钛金属或镍合金金属。3.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，包括图案化的第一吸氢金属层，第一吸氢金属层与图案化的主动层上下相对设置。4.如权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括设于第一吸氢金属层与图案化的主动层之间作为介电层的缓冲层。5.如权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述图案化的第一吸氢金属层面...

【专利技术属性】
技术研发人员：方俊雄，吴元均，吕伯彦，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44