The invention provides a TFT array substrate and a manufacturing method thereof. The TFT array substrate is fabricated by a double-layer structure in which the first active layer is a novel semiconductor material consisting of carbon nanotubes, graphene, silicon carbide, molybdenum disulfide or organic semiconductor materials, and the second active layer is above the first active layer, which can be used as an etching barrier layer to protect the first active layer of the new semiconductor material from wet etching and C. The damage of VD process can also make the active layer of TFT devices have excellent comprehensive properties of two semiconductor materials.
【技术实现步骤摘要】
TFT阵列基板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制作方法。
技术介绍
液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如:移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，因而具有广阔的应用前景。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。薄膜晶体...
【技术保护点】
1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积第一金属膜并图案化形成栅极(20)，在所述衬底基板(10)上形成覆盖栅极(20)的栅极绝缘层(30)；步骤S2、在所述栅极绝缘层(30)上形成第一半导体膜(410)，所述第一半导体膜(410)的材料为无机半导体材料或有机半导体材料；步骤S3、在所述第一半导体膜(410)上形成第二半导体膜(420)并对该第二半导体膜(420)进行图案化处理，得到对应于栅极(20)上方的第二有源层(42)；所述第二半导体膜(420)为金属氧化物半导体材料；步骤S4、在所述第一...
【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积第一金属膜并图案化形成栅极(20)，在所述衬底基板(10)上形成覆盖栅极(20)的栅极绝缘层(30)；步骤S2、在所述栅极绝缘层(30)上形成第一半导体膜(410)，所述第一半导体膜(410)的材料为无机半导体材料或有机半导体材料；步骤S3、在所述第一半导体膜(410)上形成第二半导体膜(420)并对该第二半导体膜(420)进行图案化处理，得到对应于栅极(20)上方的第二有源层(42)；所述第二半导体膜(420)为金属氧化物半导体材料；步骤S4、在所述第一半导体膜(410)与第二有源层(42)上沉积第二金属膜并图案化形成漏极(51)与源极(52)，所述漏极(51)与源极(52)分别从第二有源层(42)两端延伸至第一半导体膜(410)上；步骤S5、以所述漏极(51)、源极(52)及第二有源层(42)为遮蔽层，对所述第一半导体膜(410)进行蚀刻处理，得到第一有源层(41)，所述第一有源层(41)和第二有源层(42)共同组成有源层(40)。2.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：步骤S6、形成覆盖所述栅极绝缘层(30)、漏极(51)、源极(52)及有源层(40)的钝化层(60)；在所述钝化层(60)上形成对应于漏极(51)上方的通孔(61)；步骤S7、在所述钝化层(60)上沉积第三金属膜并图案化形成像素电极(70)，所述像素电极(70)通过所述通孔(61)与所述漏极(51)相连接。3.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一半导体膜(410)的材料为碳纳米管、石墨烯、碳化硅、二硫化钼或有机半导体材料；所述第二半导体膜(420)的材料为铟镓锌氧化物、氧化铟、氧化锌、硫化铜铟或铟镓砷化物。4.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中，采用等离子干刻法对所述第一半导体膜(410)进行蚀刻处理。5.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，采用磁控溅射或化学气相沉积的方式形成所述第二半导体膜(420)；所述步骤S3中，对第二半导体膜(420)进行图案化处理的具体过程包括依次进行的光刻胶涂布步骤、曝光步骤、显影步骤、蚀刻步骤、去光刻胶步骤；其中，对第二半导体膜(420)的蚀刻步骤采用湿法蚀刻进行蚀刻。6.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，采用涂布的方式形成所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢华飞，陈书志，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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