半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：接触栓塞；配线，其与上述接触栓塞电连接；连接图案，其位于上述配线的上部；气隙，其位于相邻的接触栓塞之间，并向相邻的配线之间扩张；及覆盖膜，其位于上述配线及上述连接图案上，以规定上述气隙。

Semiconductor Device and Its Manufacturing Method

The invention relates to a semiconductor device and a manufacturing method thereof. Semiconductor devices include: contact embolism; wiring, which is electrically connected with the contact embolism; connection pattern, which is located at the upper part of the above-mentioned wiring; air gap, which is located between adjacent contact embolism and expands to adjacent wiring; and covering film, which is located on the above-mentioned wiring and connection pattern to specify the above-mentioned air gap.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及电子装置，更具体地涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
非易失性存储器元件是即便切断了电源供给，也仍然能够保持所存储的数据的存储器元件。最近，随着在基板上以单层形成存储单元的二维非易失性存储器元件的集成度提升到极限，提出了在基板上垂直地层叠存储单元的三维非易失性存储器元件。三维非易失性存储器元件包括交替地层叠的层间绝缘膜及栅电极、贯穿它们的沟道膜，沿着沟道膜而层叠存储单元。为了提高具备这样的三维结构的非易失性存储器元件的工作可靠性，研发出各种结构及制造方法。
技术实现思路
本专利技术的一实施例提供制造工序容易且具备稳定的结构及改善的特性的半导体装置及其制造方法。本专利技术的一实施例的半导体装置包括：接触栓塞(Contactplug)；配线，其与上述接触栓塞电连接；连接图案，其位于上述配线的上部；气隙，其位于相邻的接触栓塞之间，并向相邻的配线之间扩张；及覆盖膜，其位于上述配线及上述连接图案上，以规定上述气隙。本专利技术的一实施例的半导体装置包括：配线；第一气隙，其被规定在上述配线之间的空间；第二气隙，其位于上述配线及上述第一气隙的下部，并与上述第一气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：接触栓塞；配线，其与上述接触栓塞电连接；连接图案，其位于上述配线的上部；气隙，其位于相邻的接触栓塞之间，并向相邻的配线之间扩张；及覆盖膜，其位于上述配线及上述连接图案上，以规定上述气隙。

【技术特征摘要】
2017.06.27 KR 10-2017-00813791.一种半导体装置，该半导体装置包括：接触栓塞；配线，其与上述接触栓塞电连接；连接图案，其位于上述配线的上部；气隙，其位于相邻的接触栓塞之间，并向相邻的配线之间扩张；及覆盖膜，其位于上述配线及上述连接图案上，以规定上述气隙。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述气隙中的与上述连接图案非重叠的区域向上述覆盖膜的内部扩张。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述气隙包括与上述连接图案重叠的区域及与上述连接图案非重叠的区域，上述非重叠的区域的高度高于上述重叠的区域的高度。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述气隙中的与上述连接图案非重叠的区域的上部面低于上述连接图案的上部面且高于上述连接图案的下部面。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述气隙中的与上述连接图案非重叠的区域向上述覆盖膜的内部扩张，且包围与上述连接图案非重叠的配线的上部面。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述覆盖膜包括：覆盖上述连接图案的第一部分；及填充上述连接图案之间的空间的第二部分，上述第二部分的底面包括位于相邻的配线之间的槽。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述连接图案包括氮掺杂碳化硅。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述覆盖膜包括氮掺杂碳化硅。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，该半导体装置还包括：层叠物，其位于上述接触栓塞的下部，并包括交替地层叠的导电膜及绝缘膜；沟道膜，其贯穿上述层叠物；及焊盘，其分别将上述沟道膜和上述接触栓塞电连接。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，上述气隙向上述焊盘之间扩张。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述配线为位线。12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述配线向第一方向扩张，上述连接图案向与上述第一方向交叉的第二方向扩张。13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，各个上述连接图案具备比上述配线更宽的宽度。14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，各个上述连接图案至少与两个上述配线重叠。15.一种半导体装置，该半导体装置包括：配线；第一气隙，其被规定在上述配线之间的空间内；第二气隙，其位于上述配线及上述第一气隙的下部，并与上述第一气隙直接连接；及接触栓塞，其贯穿上述第二气隙而与上述配线电连接。16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，该半导体装置还包括：连接图案，其以与上述配线交叉的方式位于上述配线的上部；及覆盖膜，其覆盖上述配线及上述连接图案。17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，由上述连接图案及上述覆盖膜来规定上述第一气隙的上部面。18.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，各个上述第一气隙包括与上述连接图案重叠的区域及与上述连接图案非重叠的区域，上述非重叠的区域向上述覆盖膜的内部扩张。19.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李南宰，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR