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本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：接触栓塞；配线，其与上述接触栓塞电连接；连接图案，其位于上述配线的上部；气隙，其位于相邻的接触栓塞之间，并向相邻的配线之间扩张；及覆盖膜，其位于上述配线及上述连接图案上，以规定上述气隙。...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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