散热基板及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种散热基板及其制备方法，该散热基板包括绝缘基材、嵌设在绝缘基材内的金属导电构件、形成在绝缘基材上表面的图案化导电层和形成在散热基板下表面的金属散热层；金属导电构件的上表面形成有露出于绝缘基材的功率器件安装焊盘，金属导电构件和金属散热层之间设置有陶瓷导热构件。该散热基板能够同时承载功率器件和非功率器件，便于实现小型化，并具有良好散热性能及耐电压性能。该制备方法包括通过热压而成型绝缘基材并将金属导电构件和陶瓷散热构件埋嵌在绝缘基材内的步骤，制备工艺简单，成本低。

Heat dissipation substrate and its preparation method

The invention relates to a heat dissipation base plate and a preparation method thereof. The heat dissipation base plate includes an insulating base material, a metal conductive component embedded in the insulating base material, a patterned conductive layer formed on the surface of the insulating base material and a metal heat dissipation layer formed on the surface of the heat dissipation base plate; a power device installation pad exposed to the insulating base material is formed on the upper surface of the metal conductive component, and a metal conductive structure is formed. Ceramic heat conductive components are arranged between the parts and the metal heat dissipation layer. The heat dissipation substrate can carry both power devices and non-power devices, which is convenient for miniaturization, and has good heat dissipation performance and voltage resistance. The preparation method includes the steps of forming an insulating base material by hot pressing and embedding metal conductive components and ceramic heat dissipating components in the insulating base material. The preparation process is simple and the cost is low.

【技术实现步骤摘要】
散热基板及其制备方法
本专利技术涉及一种散热基板及其制备方法。
技术介绍
例如晶闸管、GTO(门极可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)、MOSFET(电力场效应晶体管)和电力二极管等的半导体功率器件在工作过程中通常会承载较大电流并产生大量热量，为避免热量积聚形成高温而影响其性能，需要由作为其电连接及机械承载基板的散热基板将功率半导体器件所产生的热量及时导出。随着电子/电力产品向轻型转化、小型转化方向发展，越来越多的电子/电力产品中将例如半导体功率器件和例如稳压/整流/滤波器件的非功率器件集中设计在同一散热基板上。例如，中国专利文献CN107079582A公开了一种散热基板及其制造方法，该散热基板包括第一芯层及第二芯层，第一芯层与第二芯层之间连接有粘结层；至少一个陶瓷散热体穿过第一芯层、粘结层及第二芯层，且第一芯层包括厚铜线路区域以及薄铜线路区域，陶瓷散热体穿过厚铜线路区域。通过设置厚铜线路及薄铜线路，该散热基板可以同时安装功率器件和非功率器件。该散热基板的制造方法包括：提供具有第一线路层的第一芯板，提供具有第二线路层的第二芯板，且第一芯板上设有第一通孔，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种散热基板，包括：绝缘基材；金属导电构件，嵌设在所述绝缘基材内；所述金属导电构件的上表面形成有露出于所述绝缘基材的功率器件安装焊盘；陶瓷散热构件，嵌设在所述绝缘基材内；所述陶瓷散热构件相邻于所述金属导电构件的一侧形成有第一连接金属层，所述第一连接金属层与所述导电构件焊接连接；图案化导电层，形成在所述绝缘基材的上表面；所述图案化导电层的上表面与所述器件安装焊盘的上表面平齐设置；金属散热层，形成在所述散热基板的下表面，并与所述陶瓷散热构件导热连接。

【技术特征摘要】
1.一种散热基板，包括：绝缘基材；金属导电构件，嵌设在所述绝缘基材内；所述金属导电构件的上表面形成有露出于所述绝缘基材的功率器件安装焊盘；陶瓷散热构件，嵌设在所述绝缘基材内；所述陶瓷散热构件相邻于所述金属导电构件的一侧形成有第一连接金属层，所述第一连接金属层与所述导电构件焊接连接；图案化导电层，形成在所述绝缘基材的上表面；所述图案化导电层的上表面与所述器件安装焊盘的上表面平齐设置；金属散热层，形成在所述散热基板的下表面，并与所述陶瓷散热构件导热连接。2.如权利要求1所述的散热基板，其中，所述金属导电构件包括金属本体和自所述金属本体向上延伸的一个或多个凸台，所述功率器件安装焊盘形成在所述凸台的上表面。3.如权利要求1所述的散热基板，其中，在所述散热基板的厚度方向上，所述陶瓷散热构件位于所述金属导电构件的轮廓范围内。4.如权利要求1所述的散热基板，其中，所述图案化导电层与所述功率器件安装焊盘之间直接电性连接。5.如权利要求1所述的散热基板，其中，所述功率器件安装焊盘由所述金属导电构件的上表面延伸至所述绝缘基材的上表面。6.如权利要求1所述的散热基板，其中，所述绝缘基材包括多层绝缘介质层和设置在所述多层绝缘介质层之间的粘着层，所述金属导电构件和所述陶瓷散热构件通过粘结材料固定在所述绝缘基材内。7.如权利要求1所述的散热基板，其中，所述陶瓷散热构件为氮化铝、氮化硅或氧化铝...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁绪彬，高卫东，梁可为，林伟健，
申请(专利权)人：乐健科技珠海有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44