The present disclosure relates to semiconductor devices. It is used to improve the signal transmission characteristics of 80 GHz or higher high frequency signals. Semiconductor devices include wiring boards, which have signaling holes and grounding through holes with overlapping parts in the plan.
【技术实现步骤摘要】
半导体装置相关申请的交叉引用于2017年6月26日提交的日本专利申请No.2017-124553的公开(包括说明书、附图和摘要)通过引用整体并入本文。
本专利技术涉及一种半导体装置，并且涉及对适用于例如具有执行80GHz或更高的高频信号的发送/接收的功能的半导体装置有效的技术。
技术介绍
在日本未审查专利公开特开No.2014-175356(专利文献1)中已经描述了一种改善形成在布线板中的贯通孔中的信号传输频带的技术。[相关技术文献][专利文献][专利文献1]日本未审专利公开特开No.2014-175356
技术实现思路
例如，用于自动驾驶的毫米波雷达系统需要开发实现超过80GHz的高频信号的发送/接收的半导体装置。然而，根据本专利技术人的研究，最近已经清楚的是，当在实现超过80GHz的高频信号的发送/接收时使用现有技术的半导体装置中采用的布线板时，信号传输特性在布线板的厚度方向不足。因此期望实现具有能够以更少的损耗传输超过80GHz的高频信号的结构的半导体装置。根据本说明书和附图的描述，本专利技术的其它目的和新颖特征将变得明显。根据本专利技术的一个方面的半导体装置包...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：半导体芯片；和耦合到所述半导体芯片的布线板，其中所述布线板包括：耦合到信号线的信号通孔结构；和耦合到地线的接地通孔结构，以及其中所述信号通孔结构和所述接地通孔结构在平面图中具有相互重叠的部分。
【技术特征摘要】
2017.06.26 JP 2017-1245531.一种半导体装置，包括：半导体芯片；和耦合到所述半导体芯片的布线板，其中所述布线板包括：耦合到信号线的信号通孔结构；和耦合到地线的接地通孔结构，以及其中所述信号通孔结构和所述接地通孔结构在平面图中具有相互重叠的部分。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述布线板包括：配备有所述半导体芯片的第一构建层；位于所述第一构建层的下层中的核心层；和位于所述核心层的下层中的第二构建层，其中所述信号通孔结构包括：形成在所述核心层的表面处的表面连接盘；耦合到所述表面连接盘并穿透所述核心层的信号贯通孔；和电耦合到所述信号贯通孔并且形成在所述第二构建层的背表面处的背表面端子，其中所述接地通孔结构包括：形成在所述核心层的表面处的接地表面图案；和耦合到所述接地表面图案并穿透所述核心层的接地贯通孔，以及其中所述背表面端子和所述接地表面图案在平面图中具有相互重叠的部分。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述接地通孔结构包括电耦合到所述接地贯通孔并且形成在所述第二构建层的所述背表面处的接地背表面图案，其中所述布线板耦合到配备有所述半导体装置的安装板，其中所述安装板具有电耦合到所述信号通孔结构的信号布线图案，以及其中所述接地背表面图案和所述信号布线图案在平面图中具有相互重叠的部分。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述背表面端子在平面图中由所述接地背表面图案部分地围绕。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中电耦合所述半导体芯片和所述信号通孔结构的第一布线结构是在所述第一构建层的表面处形成的，以及其中在平面图中，设置在所述接地背表面图案中的切口部分存在于所述第一布线结构延伸的第一方向上的延伸部上。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述接地背表面图案形成有与所述切口部分连通并且在平面图中部分地围绕所述背表面端子的开口图案，以及其中当所述切口部分在与所述第一方向相交的第二方向上的宽度被定义为W1，并且所述开口图案在所述第二方向上的最大宽度被定义为W2时，建立W1/W2≥0.4的关系。7.根据权利要求4所述的半导体装...
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