The invention discloses an electronic device comprising a redistribution layer pad containing a gap. An electronic device includes a solder ball, a dielectric layer including an opening and a redistribution layer (RDL) including an RDL pad connected with a solder ball. The RDL pad comprises at least one void, which is at least partially located in the transverse outer area of the opening of the dielectric layer of the RDL pad.
【技术实现步骤摘要】
包括包含空隙的再分布层焊盘的电子器件
本公开涉及电子器件和半导体器件。本公开特别地涉及包括焊料球和与焊料球连接的再分布层焊盘的电子器件,该再分布层焊盘包括用于增加球栅阵列(BGA)封装组件的互连可靠性的应力释放结构。
技术介绍
球栅阵列(BGA)是用于永久安装诸如微处理器或其他类型的集成电路的设备的一种类型的半导体芯片封装。作为电子器件的一部分的BGA能够提供比其他封装类型更多的互连引脚,因为原则上电子器件的整个底表面能够用于在其上布置焊料球或焊料凸块。然而,BGA封装组件可能由于所涉及的材料的热膨胀失配以及还由于来自模块中的组件的机械应力加载而经历热机械应力。热机械应力加载可能导致界面和块体材料的疲劳。使用扇出晶圆级封装(例如eWLB(嵌入式晶圆级球栅阵列))技术平台制造的组装BGA封装中的疲劳相关观察的示例是焊料球疲劳、凸块下金属化(UBM)疲劳和再分布层(RDL)疲劳。
技术实现思路
根据本公开的第一方面,一种电子器件包括焊料球、包括开口的电介质层以及包括与焊料球连接的RDL焊盘的再分布层(RDL),RDL焊盘包括在至少一个空隙,该空隙至少部分地设置在RDL焊盘的在电介质层的开口的横向外侧的区域中。根据本公开的第二方面,一种电子器件包括焊料球和与焊料球连接的金属层焊盘,该金属层焊盘包括至少一个空隙,空隙被形成为槽,槽包括沿着圆弧区段布置的细长形式。根据本公开的第三方面,一种半导体器件包括:衬底;设置在衬底上的第一电介质层;设置在第一电介质层上的第一金属层焊盘;设置在第一金属层焊盘上且在第一电介质层上的第二电介质层,第二电介质层包括开口;在第二电介质层的开 ...
【技术保护点】
1.一种电子器件,包括:焊料球;包括开口的电介质层;以及包括与所述焊料球连接的RDL焊盘的再分布层(RDL);所述RDL焊盘包括至少一个空隙,所述空隙至少部分地设置在所述RDL焊盘的在所述电介质层的开口的横向外侧的区域中。
【技术特征摘要】
2017.06.23 DE 102017210654.91.一种电子器件,包括:焊料球;包括开口的电介质层;以及包括与所述焊料球连接的RDL焊盘的再分布层(RDL);所述RDL焊盘包括至少一个空隙,所述空隙至少部分地设置在所述RDL焊盘的在所述电介质层的开口的横向外侧的区域中。2.根据权利要求1所述的电子器件,进一步包括:所述空隙完全设置在所述RDL焊盘的在所述电介质层的开口的横向外侧的区域中。3.根据权利要求1或2所述的电子器件,进一步包括:与所述焊料球连接的凸块下金属(UBM)层焊盘,其中,所述空隙至少部分地设置在所述RDL焊盘的在所述UBM层焊盘的横向外侧的区域中。4.根据权利要求3所述的电子器件,进一步包括:所述空隙完全设置在所述RDL焊盘的在所述UBM层焊盘的横向外侧的区域中。5.根据前述权利要求中的任一项所述的电子器件,进一步包括:所述RDL焊盘在所述RDL焊盘的在所述电介质层的开口的横向内侧的区域中不包括空隙。6.根据前述权利要求中的任一项所述的电子器件,进一步包括:所述空隙被形成为槽,所述槽包括具有长度和宽度的细长形式,其中所述长度大于所述宽度。7.根据权利要求6所述的电子器件,进一步包括:所述槽包括在从5μm至100μm的范围内的宽度。8.根据权利要求6或7所述的电子器件,进一步包括:所述槽沿着圆弧区段布置。9.根据权利要求3或者回引权利要求3的权利要求4至8中的任一项所述的电子器件,进一步包括:所述UBM层焊盘在所述电介质层的开口中设置在所述RDL焊盘上。10.根据前述权利要求中的任一项所述的电子器件,进一步包括:RDL包括连接到所述RDL焊盘的再分布线。11.一种电子器件,包括:焊料球;以及与所述焊料球连接的金属层焊盘,所述金属层焊盘包括至少一个空隙,所述空隙被形成为槽,所述槽包括沿着圆弧区段布置的细长形式。12.根据权利要求11所述的电子器件,进一步包括:连接在所述焊料球和所述金属...
【专利技术属性】
技术研发人员:F阿尔乔尼,R费勒,C盖斯勒,W哈特纳,G豪布纳,T迈尔,MR尼斯纳,M沃吉诺夫斯基,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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