半导体芯片制造技术

本发明专利技术提供一种不依赖于焊料的涂敷量的控制而使凸块高度对齐的半导体芯片。半导体芯片具备：半导体基板，具有主面；第一电极，形成在半导体基板的主面上；第二电极，形成在半导体基板的主面上；第一绝缘层，形成在第一电极的一部分上；第一凸块，形成在第一电极的另一部分以及第一绝缘层上，并且与第一电极电连接；以及第二凸块，形成在第二电极上，并且在半导体基板的主面的俯视下具有比第一凸块的面积大的面积，通过第一绝缘层对半导体基板的主面的法线方向上的从半导体基板的主面到第一凸块的上表面的距离进行调整。

Semiconductor chip

The present invention provides a semiconductor chip that aligns the bumps highly independent of the control of solder coating amount. Semiconductor chips have: a semiconductor substrate with a main surface; a first electrode formed on the main surface of the semiconductor substrate; a second electrode formed on the main surface of the semiconductor substrate; a first insulating layer formed on one part of the first electrode; a first bump formed on another part of the first electrode and on the first insulating layer, and electrically connected with the first electrode; and a second bump. The block is formed on the second electrode and has a larger area than the first bump under the overlook of the main surface of the semiconductor substrate. The distance from the main surface of the semiconductor substrate to the upper surface of the first bump in the normal direction of the main surface of the semiconductor substrate is adjusted by the first insulating layer.

【技术实现步骤摘要】
半导体芯片
本专利技术涉及半导体芯片。
技术介绍
关于将半导体芯片安装到基板的方法之一，有使用了凸块的倒装芯片技术。在倒装芯片技术中，为了防止半导体芯片与基板的连接不良，此外，为了缓解施加于各个凸块的应力而提高连接的可靠性，要求将各个凸块的高度对齐。例如，假若凸块的高度不同，则在将半导体芯片安装到基板时，高度低的凸块不与基板侧的焊盘接触，有可能在半导体芯片与基板的电连接产生不良情况。关于这一点，例如，在专利文献1中公开了如下结构，即，根据形成在半导体基板上的中间层的厚度，按每个凸块调整焊料的涂敷量而改变凸块的体积。根据该结构，因为从半导体器件的表面到凸块的顶点的高度对齐，所以能够避免半导体封装件与基板的连接的不良情况。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-96198号公报在上述的倒装芯片技术中，近年来，为了应对电子设备的小型化以及高密度化，开始采用与焊料凸块相比能够小径化以及窄间距化且散热特性以及电特性也优异的Cu柱凸块。在该Cu柱凸块中，一般来说，通过镀覆施工法连续形成Cu层以及焊料层。因此，焊料的涂敷量被作为基底的Cu层的面积所限制，所以难以像上述的专利文献1所示的那本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体芯片，其特征在于，具备：半导体基板，具有主面；第一电极，形成在所述半导体基板的主面上；第二电极，形成在所述半导体基板的主面上；第一绝缘层，形成在所述第一电极的一部分上；第一凸块，形成在所述第一电极的另一部分以及所述第一绝缘层上，并且与所述第一电极电连接；以及第二凸块，形成在所述第二电极上，并且在所述半导体基板的主面的俯视下具有比所述第一凸块的面积大的面积，形成第一凸块的面比形成第二凸块的面高。

【技术特征摘要】
2017.06.28 JP 2017-126545;2017.12.26 JP 2017-248971.一种半导体芯片，其特征在于，具备：半导体基板，具有主面；第一电极，形成在所述半导体基板的主面上；第二电极，形成在所述半导体基板的主面上；第一绝缘层，形成在所述第一电极的一部分上；第一凸块，形成在所述第一电极的另一部分以及所述第一绝缘层上，并且与所述第一电极电连接；以及第二凸块，形成在所述第二电极上，并且在所述半导体基板的主面的俯视下具有比所述第一凸块的面积大的面积，形成第一凸块的面比形成第二凸块的面高。2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，从所述半导体基板的主面到所述第一凸块的上表面的法线方向上的距离的最大值与从所述半导体基板的主面到所述第二凸块的上表面的法线方向上的距离的最大值相等。3.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片还具备：第一金属层，形成在所述第一电极的所述另一部分以及所述第一绝缘层上；以及第二金属层，形成在所述第二电极上，所述第一凸块形成在所述第一金属层上，所述第二凸块形成在所述第二金属层上。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片还具备：第二绝缘层，形成在所述第二电极的一部分上，并且形成在所述第二凸块下，所述第一绝缘层的法线方向上的厚度比所述第二绝缘层的法线方向上的厚度厚。5.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片还具备：第二绝缘层，形成在所述第二电极的一部分上，并且形成在所述第二凸块下，在所述半导体基板的主面的俯视下，所述第一绝缘层的面积占所述第一凸块的面积的比例大于所述第二绝缘层的面积占所述第二凸块的面积的比例。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片还具备：第三绝缘层，形成在所述第一绝缘层上，并且形成在所述第一凸块下。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片还具备：晶体管，形成在所述半导体基板的主面上，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴田雅博，德田大辅，黑川敦，德矢浩章，梅本康成，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP