半导体装置、电力变换装置、驱动装置、车辆及升降机制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式涉及半导体装置、电力变换装置、驱动装置、车辆以及升降机。提供能够进行浪涌电压的检测的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1二极管，具有第1阳极和第1阴极，第1阳极电连接于具有第1、第2电极以及第1栅极电极的第1晶体管的第1以及第2电极中的任意一方；第1电阻，具有第1一端以及另一端，第1一端电连接于第1阴极，第1另一端电连接于直流电源的正极；第1电容器，具有第2一端以及另一端，第2另一端电连接于第1阴极；第2电容器，具有第3一端以及另一端，第3一端电连接于直流电源的负极，第3另一端电连接于第1电容器的第2一端；以及第2开关元件，在第2电容器的第3一端与第3另一端之间，与第2电容器并联地电连接。

Semiconductor devices, power conversion devices, driving devices, vehicles and elevators

The embodiment of the invention relates to a semiconductor device, an electric power conversion device, a driving device, a vehicle and a lift. A semiconductor device capable of detecting surge voltage is provided. The semiconductor device of the embodiment includes: a first diode, a first anode and a first cathode, a first anode electrically connected to either of the first and second electrodes of the first transistor with the first and second electrodes and the first gate electrodes; a first resistor, having the first end and the other end, the first end electrically connected to the first cathode, and the first end electrically connected to the positive pole of the DC power supply; A capacitor has the first end and the other end, the second end is electrically connected to the first cathode; the second capacitor has the third end and the other end, the third end is electrically connected to the negative pole of the DC power supply, the third end is electrically connected to the second end of the first capacitor; and the second switching element is electrically connected in parallel with the second capacitor between the third end and the third end of the second capacitor.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置、电力变换装置、驱动装置、车辆及升降机关联申请的引用本申请以日本专利申请2017-124199(申请日：2017年6月26日)为基础，从本申请享受优先的利益。本申请通过参照本申请，包含该申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及半导体装置、电力变换装置、驱动装置、车辆以及升降机。
技术介绍
在以高速进行开关动作的功率晶体管中，例如，有时在关断时产生寄生电感所引起的浪涌电压。当产生浪涌电压时发生栅极绝缘膜的损坏或者发生电路的振荡，所以成为问题。浪涌电压为高电压且在短时间内产生，所以难以检测。
技术实现思路
本专利技术要解决的课题在于提供能够进行浪涌电压的检测的半导体装置。本专利技术的一个方案提供一种半导体装置，具备：第1二极管，具有第1阳极和第1阴极，所述第1阳极电连接于具有第1电极、第2电极以及第1栅极电极的第1晶体管的所述第1电极以及所述第2电极中的任意一方；第1电阻或者第1开关元件，具有第1一端和第1另一端，所述第1一端电连接于所述第1阴极，所述第1另一端电连接于具有正极和负极的直流电源的所述正极；第1电容器，具有第2一端和第2另一端，所述第2另一端电连接于所述第1阴极；第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：第1二极管，具有第1阳极和第1阴极，所述第1阳极电连接于具有第1电极、第2电极以及第1栅极电极的第1晶体管的所述第1电极以及所述第2电极中的任意一方；第1电阻或者第1开关元件，具有第1一端和第1另一端，所述第1一端电连接于所述第1阴极，所述第1另一端电连接于具有正极和负极的直流电源的所述正极；第1电容器，具有第2一端和第2另一端，所述第2另一端电连接于所述第1阴极；第2电容器，具有第3一端和第3另一端，所述第3一端电连接于所述负极，所述第3另一端电连接于所述第1电容器的所述第2一端；以及第2开关元件，在所述第2电容器的所述第3一端与所述第3另一端之间，与所述第2电容器...

【技术特征摘要】
2017.06.26 JP 2017-1241991.一种半导体装置，具备：第1二极管，具有第1阳极和第1阴极，所述第1阳极电连接于具有第1电极、第2电极以及第1栅极电极的第1晶体管的所述第1电极以及所述第2电极中的任意一方；第1电阻或者第1开关元件，具有第1一端和第1另一端，所述第1一端电连接于所述第1阴极，所述第1另一端电连接于具有正极和负极的直流电源的所述正极；第1电容器，具有第2一端和第2另一端，所述第2另一端电连接于所述第1阴极；第2电容器，具有第3一端和第3另一端，所述第3一端电连接于所述负极，所述第3另一端电连接于所述第1电容器的所述第2一端；以及第2开关元件，在所述第2电容器的所述第3一端与所述第3另一端之间，与所述第2电容器并联地电连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还具备采样保持电路，该采样保持电路电连接于所述第1电容器的所述第2一端。3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其中，所述第2电容器的电容比所述第1电容器的电容大。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述第2电容器的电容为所述第1电容器的电容的10倍以上。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述第2开关元件为具有第3电极、第4电极以及第2栅极电极的第2晶体管，所述第3电极电连接于所述负极，所述第4电极电连接于所述第2电容器的所述第3另一端。6.根据权利要求5所述的半导体装置，还具备：第3电容器，具有第4一端和第4另一端，所述第4一端电连接于所述第3电极，所述第4另一端电连接于所述第2栅极电极；第2电阻，具有第5一端和第5另一端，所述第5一端电连接于所述第3电容器的所述第4一端，所述第5另一端电连接于所述第3电容器的所述第4另一端；以及第3电阻，具有第6一端和第6另一端，所述第6一端电连接于所述第2电阻的所述第5另一端，所述第6另一端电连接于所述第1阳极。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还具备第5电容器，该第5电容器电连...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田健太郎，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本,JP