【技术实现步骤摘要】
OLED面板的制作方法与OLED面板
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种OLED面板的制作方法与OLED面板。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay,OLED)显示器件具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示器件的结构一般包括基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的阴极以及夹在阳极与阴极之间的有机功能层,一般包括空穴注入层(HoleInjectionLayer,HIL)、空穴传输层(HoleTransportLayer,HTL)、发光功能层(EmissiveLayer,EL)、电子传输层(ElectronTransportLayer,ETL)及电子注入层(ElectronInjectionLayer,EIL)。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合致发光。OLED显示器件的制作方法通常为,先在基板上形成阳极,在阳极上依次形成有机功能层与阴极。有机功能层的制备方式通常包括真空热蒸镀与溶液成膜两种。所谓溶液成膜即是把所需材料溶解在相应的溶液中形成墨水,再应用成膜设备将该墨水沉积在基板表面,待溶剂挥发后,即可在基板表面形成所需薄膜。溶液成膜的具体方式又可以细分为喷墨打印(Ink-jetPrinting)、连续打印(NozzlePrinting)、滚筒打印(RollerPrinting)、旋转涂布(SpinCoating)等 ...
【技术保护点】
1.一种OLED面板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1、提供TFT基板(10);步骤S2、在TFT基板(10)上形成第一堤坝(20);所述第一堤坝(20)围拢形成第一凹槽(30),所述第一凹槽(30)的宽度自下往上逐渐减小;步骤S3、在TFT基板(10)及第一堤坝(20)上形成第二堤坝(40);所述第二堤坝(40)包括设于第一堤坝(20)上的第一子堤坝(41);所述第一子堤坝(41)围拢形成第二凹槽(50),所述第二凹槽(50)对应位于第一凹槽(30)上方,所述第二凹槽(50)的宽度自下往上逐渐减小;步骤S4、采用溶液成膜的方式在TFT基板(10)上于第二凹槽(50)及第一凹槽(30)内形成OLED功能层(70)。
【技术特征摘要】
1.一种OLED面板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1、提供TFT基板(10);步骤S2、在TFT基板(10)上形成第一堤坝(20);所述第一堤坝(20)围拢形成第一凹槽(30),所述第一凹槽(30)的宽度自下往上逐渐减小;步骤S3、在TFT基板(10)及第一堤坝(20)上形成第二堤坝(40);所述第二堤坝(40)包括设于第一堤坝(20)上的第一子堤坝(41);所述第一子堤坝(41)围拢形成第二凹槽(50),所述第二凹槽(50)对应位于第一凹槽(30)上方,所述第二凹槽(50)的宽度自下往上逐渐减小;步骤S4、采用溶液成膜的方式在TFT基板(10)上于第二凹槽(50)及第一凹槽(30)内形成OLED功能层(70)。2.如权利要求1所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,所述第二堤坝(40)还包括设于TFT基板(10)上且位于第一凹槽(30)内的第二子堤坝(42);所述第二子堤坝(42)具有环状的底面(421)、内侧面(422)及外侧面(423);所述内侧面(422)的底边与底面(421)的内边缘连接,所述内侧面(422)的顶边与外侧面(423)的顶边连接,所述外侧面(423)的底边与底面(421)的外边缘连接;所述外侧面(423)与第一堤坝(20)围拢形成第一凹槽(30)的侧壁接触,所述内侧面(422)围拢形成第三凹槽(60),所述第三凹槽(60)的宽度自下往上逐渐增大。3.如权利要求1所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,所述第一堤坝(20)的材料及第二堤坝(40)的材料均为光阻。4.如权利要求3所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,所述第一堤坝(20)及第二堤坝(40)的材料相同或不同。5.如权利要求2所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,所述步骤S2具体包括:步骤S21、在TFT基板(10)上涂布光阻形成第一堤坝材料层;步骤S22、对所述第一堤坝材料层进行预烘烤;步骤S23、对第一堤坝材料层进行曝光显影制程,形成第一堤坝(20);步骤S24、对第一堤坝(20)进行后烘烤;所述步骤S3具体包括:步骤S31、在TFT基板(10)及第一堤坝(20)上涂布光阻形成第二堤坝材料层;步骤S32、对第二堤坝材料层进行预烘烤;步骤S33、对第二堤坝材料层进行曝光显影制程,形成第二堤坝(40);步骤S34、对第一堤坝(20)及第二堤坝(40)进行后烘烤。6.如权利要求5所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,所述步骤S22中,对第一堤坝材料层进行预烘烤的温度为110-130℃,时间为90-150s;所述步骤S24中,对第一堤坝(20)进行后烘烤的温度为125-135℃,时间为140-150s;所述步骤S32中,...
【专利技术属性】
技术研发人员:林钦遵,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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