柔性内嵌式触控结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种柔性内嵌式触控结构及其制作方法。本发明专利技术的柔性内嵌式触控结构，包括TFT基板、平坦层、OLED触控层、以及封装层；所述OLED触控层包括阳极层、像素定义层、发光层、以及阴极层；所述阳极层包括数个阳极单元、及数个触控连接线，所述数个触控连接线对应位于所述像素定义层下方；所述阴极层包括数个触控电极，所述数个触控电极分别通过像素定义层上的数个过孔与所述触控连接线相连接，从而构成触控传感器结构；本发明专利技术通过将触控传感器整合进柔性面板当中，能够有效减少面板内贴合次数，减薄面板的整体厚度，增加面板的弯折性，从而提升良率，相对于现有柔性OLED面板，只需改变阴极层及阳极层的图形设计，制作方法简单。

Flexible embedded type touch control structure and manufacturing method thereof

The invention provides a flexible built-in touch control structure and a manufacturing method thereof. Flexible embedded touch the structure of the invention includes a TFT substrate, a flat layer, OLED layer, and touch the OLED encapsulation layer; the touch layer includes an anode layer, a pixel definition layer, a light-emitting layer, and a cathode layer; the anode layer comprises a plurality of anode unit, and a plurality of touch connecting line, the number of a touch on the corresponding connection line below the pixel defining layer; the cathode layer comprises a plurality of touch electrode, the touch electrode respectively through a plurality of through holes and the touch pixel definition layer on the connecting line is connected to a touch sensor structure; the invention by the touch sensor integrated into the flexible the panel, which can effectively reduce the number of joint panel, the overall thickness of the panel, increase the bending property of the panel, so as to enhance the yield, compared with the existing flexible OLED panel, only need to change the cathode The graphic design of the layer and anode layer is simple.

【技术实现步骤摘要】
柔性内嵌式触控结构及其制作方法
本专利技术涉及触控显示
，尤其涉及一种柔性内嵌式触控结构及其制作方法。
技术介绍
随着显示技术的快速发展，触控屏已经普及到人们的日常生活中，举例而言，透过触控屏使用者可直接以手指或触控笔在屏幕上操作程式、输入讯息/文字/图样，省去使用键盘或按键等输入装置的麻烦。实际上，触控屏通常由一感应面板及设置于感应面板后方的显示器组成。电子装置根据使用者在感应面板上所触碰的位置，以及当时显示器所呈现的画面，来判断该次触碰的意涵，并执行相对应的操作结果。目前被广泛应用的电容式触控技术主要有跨桥式电容式触控技术和自容式触控技术。其中，自容式触控屏由制程较单纯的单层自电容的触控电极结构实现，自容式触控屏中，触控电极大多采用正方形(BlockPattern)设计，为了将触控电极与触控侦测芯片连接，会设置与触控电极对应连接的触控信号线，从而将触控信号传递给触控侦测芯片；且为了减小各触控电极之间的电阻差及电容差以保证触控精度，会设置与触控电极对应连接的虚拟触控信号线。而跨桥式电容式触控结构，用以形成触控功能的透明导电层也只有一层，而触控电极大多采用菱形设计，常规的跨桥式电容式触控结构，如图1所示，图中省略基板等结构，以清楚表达桥点结构，触控电极层中设有多列菱形的第一触控电极57、及多行设于第一触控电极57间的菱形的第二触控电极55，每一列第一触控电极57中相邻第一触控电极57则通过同层的第一连接部56相连，为使电信号传出，需将如一行的第二触控电极55串接，于此，需构造跨越第一连接部56的桥体59以连接相邻的第二触控电极55，即形成搭桥结构，另外于搭桥结构的桥点形成电容，需构造绝缘介质，如图1中所示的绝缘层52，以隔离第一连接部56与桥体59。近年来柔性显示器也开始进入市场，但目前的柔性触控产品有以下的缺点：1、仅为一固定形状，无法任意弯折；2、触控功能需要另外贴合触控传感器薄膜，工艺上困难度大幅增加；3、触控传感器的电极材料仍为氧化铟锡(ITO)，弯折性不足。参见图2，其为现有柔性触控结构的示意图，包括：主要由依次层叠的TFT基板1、发光层2及封装层3形成的柔性面板，柔性面板的封装层3上方设置的光学胶层4，光学胶层4上方贴合的触控传感器层5。现有柔性触控结构中，传统全贴合技术会需要许多胶材，多次弯折后会产生剥离(peeling)的状况，造成面板失效。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种柔性内嵌式触控结构，将触控传感器整合进柔性面板当中，能够有效减薄面板的整体厚度，增加面板的弯折性，且制作方法简单。本专利技术的目的还在于提供一种柔性内嵌式触控结构的制作方法，将触控传感器整合进柔性面板当中，能够有效减薄面板的整体厚度，增加面板的弯折性，且制作方法简单。为实现上述目的，本专利技术提供一种柔性内嵌式触控结构，包括：TFT基板、设于TFT基板上平坦层、设于TFT基板及平坦层上的OLED触控层、以及设于OLED触控层上的封装层；所述OLED触控层包括：设于所述TFT基板上的阳极层、设于所述平坦层及阳极层上的像素定义层、设于阳极层上的发光层、以及设于像素定义层及发光层上的阴极层；所述像素定义层在阳极层上围出数个阵列排布的像素开口，所述阳极层包括与所述像素开口对应设置的数个阳极单元、及位于所述像素定义层下方与阳极单元间隔的数个触控连接线，所述发光层设于所述像素开口内；所述像素定义层在所述触控连接线上方设有数个过孔；所述阴极层包括数个触控电极，所述数个触控电极分别通过所述数个过孔与所述触控连接线相连接，从而构成触控传感器结构；所述阴极层覆盖所述数个像素开口，每一像素开口内的发光层、其下方对应的阳极单元、及其上方对应的阴极层共同构成一OLED单元结构。可选地，所述触控传感器结构为跨桥式电容式触控传感器结构，所述数个触控电极包括数个第一触控电极部、位于所述数个第一触控电极部之间的数个第二触控电极部、及用于将相邻两第一触控电极部电连接的数个连接部；所述触控连接线用作跨桥式电容式触控传感器结构中的桥体，用于将相邻两第二触控电极部电连接。所述数个触控电极覆盖所述数个像素开口中的一部分，所述阴极层还包括位于数个触控电极之间的数个补充电极，所述数个补充电极覆盖所述数个像素开口中剩余的一部分；所述第一触控电极部及第二触控电极部均为菱形。可选地，所述触控传感器结构为自容式触控传感器结构，所述触控连接线用作自容式触控传感器结构中的信号线。所述数个触控电极均为长方形，所述数个触控电极覆盖所述数个像素开口。本专利技术还提供一种柔性内嵌式触控结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1、提供一TFT基板，在所述TFT基板上形成一有机材料膜，对所述有机材料膜进行图案化处理，得到平坦层；步骤2、在所述TFT基板及平坦层上沉积形成第一导电层，对所述第一导电层进行图案化处理，得到阳极层，所述阳极层包括数个间隔排布的阳极单元、及设于所述数个阳极单元之间的数个触控连接线；步骤3、在所述平坦层及阳极层上形成一隔离层，对所述隔离层进行图案化处理，得到像素定义层，所述像素定义层在阳极层上对应所述数个阳极单元围出数个阵列排布的像素开口，且所述像素定义层在所述触控连接线上方具有数个过孔；步骤4、在所述像素定义层在所述阳极层上所围出的像素开口内形成发光层；步骤5、提供第一精细掩膜板，以所述第一精细掩膜板为遮蔽层，在所述像素定义层及发光层上蒸镀形成图案化的阴极层，得到包括阳极层、像素定义层、发光层、以及阴极层的OLED触控层；所述阴极层包括数个触控电极，所述数个触控电极分别通过所述数个过孔与所述触控连接线相连接，从而构成触控传感器结构；且所述阴极层覆盖所述数个像素开口，每一像素开口内的发光层、其下方对应的阳极单元、及其上方对应的阴极层共同构成一OLED单元结构；步骤6、在所述像素定义层及阴极层上形成封装层。可选地，所述触控传感器结构为跨桥式电容式触控传感器结构，所述数个触控电极包括数个第一触控电极部、位于所述数个第一触控电极部之间的数个第二触控电极部、及用于将相邻两第一触控电极部电连接的数个连接部；所述触控连接线用作跨桥式电容式触控传感器结构中的桥体，用于将相邻两第二触控电极部电连接。所述数个触控电极覆盖所述数个像素开口中的一部分，所述阴极层还包括位于数个触控电极之间的数个补充电极，所述数个补充电极覆盖所述数个像素开口中剩余的一部分；所述第一触控电极部及第二触控电极部均为菱形。可选地，所述触控传感器结构为自容式触控传感器结构，所述触控连接线用作自容式触控传感器结构中的信号线。所述数个触控电极均为长方形，所述数个触控电极覆盖所述数个像素开口。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的一种柔性内嵌式触控结构，包括TFT基板、平坦层、OLED触控层、以及封装层；所述OLED触控层包括阳极层、像素定义层、发光层、以及阴极层；所述阳极层包括数个阳极单元、及数个触控连接线，所述数个触控连接线对应位于所述像素定义层下方；所述阴极层包括数个触控电极，所述数个触控电极分别通过像素定义层上的数个过孔与所述触控连接线相连接，从而构成触控传感器结构；本专利技术通过将触控传感器整合进柔性面板当中，能够有效减少面板内贴合次数，减薄面板的整体厚度，增加面板的弯折性，从而提升良率，相对于现有柔性OLED面板，只需本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种柔性内嵌式触控结构，其特征在于，包括：TFT基板(10)、设于TFT基板(10)上平坦层(40)、设于TFT基板(10)及平坦层(40)上的OLED触控层(20)、以及设于OLED触控层(20)上的封装层(30)；所述OLED触控层(20)包括：设于所述TFT基板(10)上的阳极层(21)、设于所述平坦层(40)及阳极层(21)上的像素定义层(22)、设于阳极层(21)上的发光层(23)、以及设于像素定义层(22)及发光层(23)上的阴极层(24)；所述像素定义层(22)在阳极层(21)上围出数个阵列排布的像素开口(225)，所述阳极层(21)包括与所述像素开口(225)对应设置的数个阳极单元(211)、及位于所述像素定义层(22)下方与阳极单元(211)间隔的数个触控连接线(212)，所述发光层(23)设于所述像素开口(225)内；所述像素定义层(22)在所述触控连接线(212)上方设有数个过孔(221)；所述阴极层(24)包括数个触控电极(241)，所述数个触控电极(241)分别通过所述数个过孔(221)与所述触控连接线(212)相连接，从而构成触控传感器结构(25)；所述阴极层(24)覆盖所述数个像素开口(225)，每一像素开口(225)内的发光层(23)、其下方对应的阳极单元(211)、及其上方对应的阴极层(24)共同构成一OLED单元结构(D)。...

【技术特征摘要】
1.一种柔性内嵌式触控结构，其特征在于，包括：TFT基板(10)、设于TFT基板(10)上平坦层(40)、设于TFT基板(10)及平坦层(40)上的OLED触控层(20)、以及设于OLED触控层(20)上的封装层(30)；所述OLED触控层(20)包括：设于所述TFT基板(10)上的阳极层(21)、设于所述平坦层(40)及阳极层(21)上的像素定义层(22)、设于阳极层(21)上的发光层(23)、以及设于像素定义层(22)及发光层(23)上的阴极层(24)；所述像素定义层(22)在阳极层(21)上围出数个阵列排布的像素开口(225)，所述阳极层(21)包括与所述像素开口(225)对应设置的数个阳极单元(211)、及位于所述像素定义层(22)下方与阳极单元(211)间隔的数个触控连接线(212)，所述发光层(23)设于所述像素开口(225)内；所述像素定义层(22)在所述触控连接线(212)上方设有数个过孔(221)；所述阴极层(24)包括数个触控电极(241)，所述数个触控电极(241)分别通过所述数个过孔(221)与所述触控连接线(212)相连接，从而构成触控传感器结构(25)；所述阴极层(24)覆盖所述数个像素开口(225)，每一像素开口(225)内的发光层(23)、其下方对应的阳极单元(211)、及其上方对应的阴极层(24)共同构成一OLED单元结构(D)。2.如权利要求1所述的柔性内嵌式触控结构，其特征在于，所述触控传感器结构(25)为跨桥式电容式触控传感器结构，所述数个触控电极(241)包括数个第一触控电极部(2411)、位于所述数个第一触控电极部(2411)之间的数个第二触控电极部(2412)、及用于将相邻两第一触控电极部(2411)电连接的数个连接部(2413)；所述触控连接线(212)用作跨桥式电容式触控传感器结构中的桥体，用于将相邻两第二触控电极部(2412)电连接。3.如权利要求1所述的柔性内嵌式触控结构，其特征在于，所述触控传感器结构(25)为自容式触控传感器结构，所述触控连接线(212)用作自容式触控传感器结构中的信号线。4.如权利要求2所述的柔性内嵌式触控结构，其特征在于，所述数个触控电极(241)覆盖所述数个像素开口(225)中的一部分，所述阴极层(24)还包括位于数个触控电极(241)之间的数个补充电极(242)，所述数个补充电极(242)覆盖所述数个像素开口(225)中剩余的一部分；所述第一触控电极部(2411)及第二触控电极部(2412)均为菱形。5.如权利要求3所述的柔性内嵌式触控结构，其特征在于，所述数个触控电极(241)均为长方形，所述数个触控电极(241)覆盖所述数个像素开口(225)。6.一种柔性内嵌式触控结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一TFT基板(10)，在所述TFT基板(10)上形成一有机材料膜(400)，对所述有机材料膜(400)进行图案化处理，得到平坦层(40)；步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏伟盛，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42