有源矩阵稀释源极实现垂直有机发光晶体管制造技术

本发明专利技术提供了关于稀释源极实现垂直有机发光晶体管的各个实施例。在各个实施例中，显示面板包括像素阵列。在一个实施例中，其中，至少一个像素包括开关晶体管以及耦接至所述开关晶体管的驱动晶体管，其中所述驱动晶体管经配置以响应于所述开关晶体管的启动而发光。所述驱动晶体管可以是稀释源极实现垂直有机发光晶体管(DS‑VOLET)。所述开关晶体管可以包括稀释源极实现垂直场效应晶体管(DS‑VFET)。在另一个实施例中，双稀释源极实现垂直场效应晶体管(DS‑VFET)包括第一DS‑VFET，所述第一DS‑VFET耦接至第二DS‑VFET。

Active matrix dilution source for vertical organic light emitting transistors

The present invention provides embodiments of vertical organic light emitting transistors with respect to a dilution source. In each embodiment, the display panel includes a pixel array. In one embodiment, at least one pixel includes a switching transistor and a driving transistor is coupled to the switching transistor, wherein the driving transistor is configured to response to the switching transistor and light-emitting start. The driving transistor can be diluted source to achieve vertical organic light-emitting transistor (DS VOLET). The switching transistor may include a dilution source to achieve vertical field effect transistor (DS VFET). In another embodiment, the double dilution source realizes the vertical field effect transistor (DS VFET) including the first DS VFET, the first DS VFET is coupled to the second DS VFET.

【技术实现步骤摘要】
有源矩阵稀释源极实现垂直有机发光晶体管本申请是申请日为2011年12月7日的PCT国际专利申请PCT/US2011/063745进入中国国家阶段的中国专利申请号201180064181.9、专利技术名称为“有源矩阵稀释源极实现垂直有机发光晶体管”的分案申请。相关申请案的交叉参考本专利技术主张于2010年12月7日提交的序列号为61/420,512的标题为“有源矩阵纳米管实现垂直有机发光晶体管阵列(ACTIVEMATRIXNANOTUBEENABLEDVERTICALORGANICLIGHTEMITTINGTRANSISTORARRAY)”的同时待审的美国临时申请案的在先申请优先权，该临时申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。关于由联邦资助的研发的声明本专利技术得到了美国政府支持且遵守协议ECCS-0824157/00069937，并受到美国国家自然基金会的资助。美国政府享有本专利技术的某些权利。
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技术介绍
为了满足不同的市场需求，显示技术不断地进步。改进的对比度、对观看角度的不敏感性、省电，以及制造成本的降低，成为许多研发活动的推动力。但是，现有显示技术在降低功耗方面的转变常常本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，包括：像素阵列，其中至少一个像素包括：开关晶体管；以及耦接至所述开关晶体管的驱动晶体管，其中所述驱动晶体管经配置以响应于所述开关晶体管的启动而发光，其中所述驱动晶体管为耦接至所述开关晶体管的稀释源极实现垂直有机发光晶体管(DS‑VOLET)。

【技术特征摘要】
2010.12.07 US 61/420,5121.一种显示面板，包括：像素阵列，其中至少一个像素包括：开关晶体管；以及耦接至所述开关晶体管的驱动晶体管，其中所述驱动晶体管经配置以响应于所述开关晶体管的启动而发光，其中所述驱动晶体管为耦接至所述开关晶体管的稀释源极实现垂直有机发光晶体管(DS-VOLET)。2.如权利要求1所述的显示面板，其中所述DS-VOLET包括：基板层；栅电极，所述栅电极定位于所述基板上以用于提供栅极场；源极层，所述源极层包括稀释源极材料；介电层，所述介电层插入于所述栅电极与所述源极层之间，其中所述介电层定位于所述栅电极上；漏极层，其中所述漏极层包括用于注入一种电荷的导体，所述电荷与由所述源极层注入的另一种电荷互补；以及有源层，所述有源层布置在所述源极层与所述漏极层之间，其中所述电荷经组合以生成光子，并且在所述源极层与所述有源层之间的电荷注入由栅极场来调制。3.如权利要求2所述的显示面板，其中所述稀释源极材料包括逾渗性稀释网络。4.如权利要求2所述的显示面板，其中所述稀释源极材料包括低态密度材料。5.如权利要求2所述的显示面板，其中所述稀释源极材料包括石墨烯，所述石墨烯经图案化以具有穿孔。6.如权利要求2所述的显示面板，其中所述稀释源极材料包括碳纳米管稀释网络。7.如权利要求2所述的显示面板，其中所述有源层包括半导体层和发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德鲁·加布里埃尔·林兹勒，米歇尔·奥斯汀·麦卡锡，刘波，
申请(专利权)人：佛罗里达大学研究基金会，
类型：发明
国别省市：美国,US