显示面板的制造方法及显示面板技术

本发明专利技术公开了一种显示面板的制造方法及显示面板，属于显示技术领域。该方法包括：在基板上依次形成第一像素界定层薄膜、辅助电极薄膜和第二像素界定层薄膜；对形成有第二像素界定层薄膜的基板进行图形化处理，以形成像素界定结构，像素界定结构包括依次叠加的第一像素界定层、辅助电极图形和第二像素界定层。对限定同一子像素区域的辅助电极图形、第一像素界定层和第二像素界定层，该辅助电极图形的目标侧面沿远离该子像素区域的方向凹陷，避免了后续形成的有机发光层附着在该辅助电极图形上，有效的提高了采用该显示面板制造的OLED显示装置的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
显示面板的制造方法及显示面板
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种显示面板的制造方法及显示装置。
技术介绍
目前的有机电致发光(英文：OrganicLight-EmittingDiode简称：OLED)显示装置通常是由阳极层、发光层和阴极层组成，根据发光面不同可分为底发射型OLED显示装置和顶发射型OLED显示装置两种，由于顶发射型OLED显示装置可以获得更大的开口率，近年来成为研究的热点。顶发射型OLED显示装置需要薄且透明的阴极层和能够进行光反射的阳极层增加光的透过率，而薄且透明的阴极层普遍存在电阻值较高，电压降严重的问题。通常在阴极层中距离电源供给地点越远的位置处的电压降越明显，从而导致OLED显示装置有明显的发光不均匀的现象。为了克服OLED显示装置中的阴极层中电压降严重的问题，需要在显示装置中设置辅助电极图形和导电材料，该辅助电极图形与阴极之间可以通过导电材料实现电连接，电源可以为辅助电极图形提供电信号，通过该辅助电极图形和导电材料可以使阴极层中各个位置处的电压相同。在形成OLED显示装置中的阴极层之前，需要通过蒸镀工艺形成有机发光层。在通过蒸镀工艺形成有机发光层的过程中，该有机发光层容易附着在辅助电极图形上，导致后续在形成导电材料后，辅助电极图形与导电材料之间的电连接受到影响，进而导致该OLED显示装置的显示效果较差。
技术实现思路
本申请提供了一种显示面板的制造方法及显示面板，可以解决现有的OLED显示装置的显示效果较差问题。所述技术方案如下：第一方面，提供了一种显示面板的制造方法，所述方法包括：在基板上依次形成第一像素界定层薄膜、辅助电极薄膜和第二像素界定层薄膜；对形成有所述第二像素界定层薄膜的基板进行图形化处理，以形成像素界定结构，所述像素界定结构包括依次叠加的第一像素界定层、辅助电极图形和第二像素界定层；其中，所述像素界定结构在所述基板上限定出多个阵列排布的子像素区域，对于限定同一子像素区域的辅助电极图形、第一像素界定层和第二像素界定层，所述辅助电极图形的目标侧面沿远离所述子像素区域的方向凹陷，所述目标侧面为靠近所述子像素区域的侧面。可选的，所述对形成有所述第二像素界定层薄膜的基板进行图形化处理，以形成像素界定结构，包括：在所述第二像素界定层薄膜上形成光刻胶薄膜；对所述光刻胶薄膜进行曝光处理和显影处理，以形成光刻胶图案；对所述第二像素界定层薄膜进行第一刻蚀处理，以形成带有所述光刻胶图案的第二像素界定层；对所述辅助电极薄膜进行第二刻蚀处理，以形成带有所述光刻胶图案和所述第二像素界定层的辅助电极图形；对所述第一像素界定层薄膜进行第三刻蚀处理，以形成带有所述光刻胶图案、所述第二像素界定层和所述辅助电极图形的第一像素界定层；去除所述光刻胶图案，以形成所述第一像素界定层、所述辅助电极图形和所述第二像素界定层。所述光刻胶薄膜的厚度为2～5微米。可选的，所述对所述第二像素界定层薄膜进行第一刻蚀处理，以形成带有所述光刻胶图案的第二像素界定层，包括：对所述第二像素界定层薄膜进行干法刻蚀处理，以形成带有所述光刻胶图案的第二像素界定层。可选的，所述对所述辅助电极薄膜进行第二刻蚀处理，以形成带有所述光刻胶图案和所述第二像素界定层的辅助电极图形，包括：对所述辅助电极薄膜进行湿法刻蚀处理，以形成带有所述光刻胶图案和所述第二像素界定层的辅助电极图形。可选的，所述对所述第一像素界定层薄膜进行第三刻蚀处理，以形成带有所述光刻胶图案、所述第二像素界定层和所述辅助电极图形的第一像素界定层，包括：对所述第一像素界定层薄膜进行干法刻蚀处理或湿法刻蚀处理，以形成带有所述光刻胶图案、所述第二像素界定层和所述辅助电极图形的第一像素界定层。可选的，所述在基板上依次形成第一像素界定层薄膜、辅助电极薄膜和第二像素界定层薄膜之前，所述方法还包括：在所述基板上形成阳极图形。可选的，所述对形成有所述第二像素界定层薄膜的基板进行图形化处理，以形成第一像素界定层、辅助电极图形和第二像素界定层之后，所述方法还包括：在所述基板中的每个子像素区域中依次形成有机发光层和导电材料；在形成有所述导电材料的基板上形成阴极图形；其中，所述阴极图形与所述辅助电极图形通过所述导电材料电连接。可选的，所述阳极图形的材料包括金属材料。可选的，所述阴极图形的材料包括氧化铟锡ITO。可选的，所述导电材料包括掺杂有金属材料的有机导电溶剂。可选的，所述辅助电极薄膜的材料包括金属材料。可选的，所述基板为设置有多个薄膜晶体管TFT的背板。第二方面，提供了一种显示面板，包括：在基板上设置的像素界定结构，所述像素界定结构包括依次叠加的第一像素界定层、辅助电极图形和第二像素界定层，所述像素界定结构是对在基板上依次形成第一像素界定层薄膜、辅助电极薄膜和第二像素界定层薄膜进行图形化处理后得到的；其中，所述像素界定结构在所述基板上限定出多个阵列排布的子像素区域，其中，对于限定同一子像素区域的辅助电极图形、第一像素界定层和第二像素界定层，所述辅助电极图形的目标侧面沿远离所述子像素区域的方向凹陷，所述目标侧面为靠近所述子像素区域的侧面。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过在基板上依次形成第一像素界定层薄膜、辅助电极薄膜和第二像素界定层薄膜，再对形成有第二像素界定层薄膜的基板进行图形化处理，以形成像素界定结构。该像素界定结构包括依次叠加的第一像素界定层、辅助电极图形和第二像素界定层，对限定同一子像素区域的辅助电极图形、第一像素界定层和第二像素界定层，该辅助电极图形的目标侧面沿远离该子像素区域的方向凹陷，避免了后续形成的有机发光层附着在该辅助电极图形上，使得后续形成的导电材料与辅助电极图形之间的电连接性能较好，有效的提高了采用该显示面板制造的OLED显示装置的显示效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是专利技术人已知的一种OLED显示装置的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程图；图3是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的制造方法的流程图；图4是本专利技术实施例提供的一种形成阳极图形的示意图；图5是本专利技术实施例提供的一种依次形成第一像素界定层薄膜、辅助电极薄膜和第二像素界定层薄膜的示例图；图6是本专利技术实施例提供的一种形成光刻胶薄膜的示例图；图7是本专利技术实施例提供的一种形成光刻胶图案的示意图；图8是本专利技术实施例提供的一种形成带有光刻胶图案的第二像素界定层的示意图；图9是本专利技术实施例提供的一种形成带有光刻胶图案的第二像素界定层的辅助电极图形的示例图；图10是本专利技术实施例提供的另一种形成带有光刻胶图案的第二像素界定层的辅助电极图形的示例图；图11是本专利技术实施例提供的一种形成带有光刻胶图案、第二像素界定层和辅助电极图形的第一像素界定层的示例图；图12是本专利技术实施例提供的另一种形成带有光刻胶图案、第二像素界定层和辅助电极图形的第一像素界定层的示例图；图13是本专利技术实施例提供的一种形成第一像素界定层、辅助电极图形和第二像素界定层的示例图；图14是本专利技术实施例提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上依次形成第一像素界定层薄膜、辅助电极薄膜和第二像素界定层薄膜；对形成有所述第二像素界定层薄膜的基板进行图形化处理，以形成像素界定结构，所述像素界定结构包括依次叠加的第一像素界定层、辅助电极图形和第二像素界定层；其中，所述像素界定结构在所述基板上限定出多个阵列排布的子像素区域，对于限定同一子像素区域的辅助电极图形、第一像素界定层和第二像素界定层，所述辅助电极图形的目标侧面沿远离所述子像素区域的方向凹陷，所述目标侧面为靠近所述子像素区域的侧面。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上依次形成第一像素界定层薄膜、辅助电极薄膜和第二像素界定层薄膜；对形成有所述第二像素界定层薄膜的基板进行图形化处理，以形成像素界定结构，所述像素界定结构包括依次叠加的第一像素界定层、辅助电极图形和第二像素界定层；其中，所述像素界定结构在所述基板上限定出多个阵列排布的子像素区域，对于限定同一子像素区域的辅助电极图形、第一像素界定层和第二像素界定层，所述辅助电极图形的目标侧面沿远离所述子像素区域的方向凹陷，所述目标侧面为靠近所述子像素区域的侧面。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对形成有所述第二像素界定层薄膜的基板进行图形化处理，以形成像素界定结构，包括：在所述第二像素界定层薄膜上形成光刻胶薄膜；对所述光刻胶薄膜进行曝光处理和显影处理，以形成光刻胶图案；对所述第二像素界定层薄膜进行第一刻蚀处理，以形成带有所述光刻胶图案的第二像素界定层；对所述辅助电极薄膜进行第二刻蚀处理，以形成带有所述光刻胶图案和所述第二像素界定层的辅助电极图形；对所述第一像素界定层薄膜进行第三刻蚀处理，以形成带有所述光刻胶图案、所述第二像素界定层和所述辅助电极图形的第一像素界定层；去除所述光刻胶图案，以形成所述第一像素界定层、所述辅助电极图形和所述第二像素界定层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述光刻胶薄膜的厚度为2～5微米。4.根据权利权求2所述的方法，其特征在于，所述对所述第二像素界定层薄膜进行第一刻蚀处理，以形成带有所述光刻胶图案的第二像素界定层，包括：对所述第二像素界定层薄膜进行干法刻蚀处理，以形成带有所述光刻胶图案的第二像素界定层。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述辅助电极薄膜进行第二刻蚀处理，以形成带有所述光刻胶图案和所述第二像素界定层的辅助电极图形，包括：对所述辅助电极薄膜进行湿法刻蚀处理，以形成带有所述光刻胶图案和所述第二像素界定层的辅助电极图形。6.根据权利要求2所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：王东方，苏同上，周斌，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11