半导体结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体结构，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括第一堆叠结构、贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔结构，所述第一沟道孔结构顶部还形成有半导体层；位于所述基底表面的第二堆叠结构；贯穿所述第二堆叠结构以及部分深度的半导体层的第二沟道孔，位于所述半导体层内的第二沟道孔宽度大于位于所述第二堆叠结构内的第二沟道孔宽度；位于所述第二堆叠结构内的第二沟道孔侧壁表面的第二功能层；位于所述第二功能层表面和所述半导体层内的第二沟道孔内壁的第二沟道层。上述半导体结构的性能提高。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构。
技术介绍
近年来，闪存(FlashMemory)存储器的发展尤为迅速。闪存存储器的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。为了进一步提高闪存存储器的位密度(BitDensity)，同时减少位成本(BitCost)，三维的闪存存储器(3DNAND)技术得到了迅速发展。为了进一步提高3DNAND闪存结构的位密度，双层或多层的沟道孔结构得到应用，多层的沟道孔结构之间通过位于上下层沟道孔结构之间的半导体层，例如多晶硅层，进行电流传输，而所述半导体层在刻蚀上层沟道孔时表面容易产生缺陷，导致半导体层表面的电流传输效果受到影响，从而影响产品的良率，导致产品的可靠性下降。如何提高具有多层沟道孔结构的3DNAND闪存结构的性能，是目前亟待解决的问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种半导体结构，以提高3DNAND闪存结构的性能。为解决上述问题，本技术的技术方案提供一种半导体结构，包括：基底，所述基底包括第一堆叠结构、贯穿所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括第一堆叠结构、贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔结构，所述第一沟道孔结构顶部还形成有半导体层；位于所述基底表面的第二堆叠结构；贯穿所述第二堆叠结构以及部分深度的半导体层的第二沟道孔，位于所述半导体层内的第二沟道孔宽度大于位于所述第二堆叠结构内的第二沟道孔宽度；位于所述第二堆叠结构内的第二沟道孔侧壁表面的第二功能层；位于所述第二功能层表面和所述半导体层内的第二沟道孔内壁的第二沟道层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括第一堆叠结构、贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔结构，所述第一沟道孔结构顶部还形成有半导体层；位于所述基底表面的第二堆叠结构；贯穿所述第二堆叠结构以及部分深度的半导体层的第二沟道孔，位于所述半导体层内的第二沟道孔宽度大于位于所述第二堆叠结构内的第二沟道孔宽度；位于所述第二堆叠结构内的第二沟道孔侧壁表面的第二功能层；位于所述第二功能层表面和所述半导体层内的第二沟道孔内壁的第二沟道层。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二功能层还覆盖位于半导体层内的第二沟道孔侧壁，且所述半导体层内的第二功能层与第二沟道孔侧壁之间还具有氧化层，第二沟道层位于所述第二功能层表面和所述第二沟道孔底部。3.根据权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨号号，王恩博，张勇，陶谦，胡禺石，吕震宇，卢峰，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42