一种湿法刻蚀机制造技术

技术编号:19906559 阅读:29 留言:0更新日期:2018-12-26 03:53
本发明专利技术提供一种湿法刻蚀机,包括:刻蚀腔,所述刻蚀腔内设置有多个滚轮,所述滚轮用于承载待刻蚀的基板且通过转动带动所述基板移动;第一喷淋装置,与所述滚轮相对设置,用于向所述基板表面喷淋刻蚀液,使所述基板表面的薄膜层形成预设图案;第二喷淋装置,设置于所述刻蚀腔的刻蚀出口处,用于向所述刻蚀出口喷淋清洗液以溶解所述刻蚀出口处附着的所述刻蚀液;挡板,设置于所述第一喷淋装置与所述第二喷淋装置之间,用于遮挡喷向所述第一喷淋装置一侧的所述清洗液;所述第二喷淋装置分别位于所述刻蚀腔内部与外部,用于从所述刻蚀腔内外两侧共同向所述刻蚀出口处喷淋所述清洗液。

【技术实现步骤摘要】
一种湿法刻蚀机
本专利技术涉及显示面板制造领域,尤其涉及一种湿法刻蚀机。
技术介绍
TFT-LCD等微电路是通过在基板上形成的铝、铝合金、铜及铜合金等导电性金属膜或二氧化硅膜、氮化硅薄膜等绝缘膜上,然后在其表面均匀涂布光刻胶,再通过相应图形的光罩经曝光显影的方式使所光刻胶成现出所需的图形,其次采用湿法或干法蚀刻,将未被光刻胶覆盖的金属或非金属膜刻蚀掉,最后去除不需要的光刻胶等一系列的光刻工程而完成所需的电路。ITO膜层作为公共电极也是TFT-LCD制作过程中的一层,其ITO膜层制作需要PVD成膜,涂布曝光显影,最后湿法刻蚀及剥离光刻胶。目前ITO膜层湿法刻蚀使用的草酸溶液,但草酸溶液易在刻蚀机腔室内壁、刻蚀槽出口等狭小缝隙结晶,从而导致药液的浪费及特别是刻蚀段出口处的结晶可能会划伤基板上膜层,从而影响产品品质。因此,有必要提供一种湿法刻蚀机,以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种湿法刻蚀机,能够改善湿法刻蚀机出口处结晶的现象,大大降低刻蚀液结晶对显示面板品质的影响。为解决上述问题,本专利技术提供的技术方案如下:本专利技术提供一种湿法刻蚀机,包括:刻蚀腔,所述刻蚀腔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种湿法刻蚀机,其特征在于,包括:刻蚀腔,所述刻蚀腔内设置有多个滚轮,所述滚轮用于承载待刻蚀的基板且通过转动带动所述基板移动;第一喷淋装置,与所述滚轮相对的设置于所述刻蚀腔内,用于向所述基板表面喷淋刻蚀液,使所述基板表面的薄膜层形成预设图案;第二喷淋装置,设置于所述刻蚀腔的刻蚀出口处,用于向所述刻蚀出口喷淋清洗液以溶解所述刻蚀出口处附着的所述刻蚀液;挡板,设置于所述第一喷淋装置与所述第二喷淋装置之间,且靠近所述刻蚀出口的位置,用于遮挡所述清洗液防止喷淋至所述第一喷淋装置一侧的所述刻蚀液中;其中,所述第二喷淋装置分别位于所述刻蚀腔内部与所述刻蚀腔外部,用于从所述刻蚀腔内外两侧共同向所述刻蚀出...

【技术特征摘要】
1.一种湿法刻蚀机,其特征在于,包括:刻蚀腔,所述刻蚀腔内设置有多个滚轮,所述滚轮用于承载待刻蚀的基板且通过转动带动所述基板移动;第一喷淋装置,与所述滚轮相对的设置于所述刻蚀腔内,用于向所述基板表面喷淋刻蚀液,使所述基板表面的薄膜层形成预设图案;第二喷淋装置,设置于所述刻蚀腔的刻蚀出口处,用于向所述刻蚀出口喷淋清洗液以溶解所述刻蚀出口处附着的所述刻蚀液;挡板,设置于所述第一喷淋装置与所述第二喷淋装置之间,且靠近所述刻蚀出口的位置,用于遮挡所述清洗液防止喷淋至所述第一喷淋装置一侧的所述刻蚀液中;其中,所述第二喷淋装置分别位于所述刻蚀腔内部与所述刻蚀腔外部,用于从所述刻蚀腔内外两侧共同向所述刻蚀出口处喷淋所述清洗液。2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述挡板包括上挡板与相对设置的下挡板,所述上挡板与所述下挡板在对应所述滚轮的位置存在间隙,用以使所述基板顺利通过所述挡板向所述刻蚀出口移动。3.根据权利要求2所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述下挡板至少靠近所述刻蚀腔底部的一部分向所述刻蚀出口一侧倾斜设置,并沿所述刻蚀腔底部向相邻腔室内延伸,且延伸至所述第二喷淋装置的喷淋范围外。4.根据权利要求3所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述下挡板为槽型,用于容置所述第二喷淋装置喷淋出的所述清洗液,所述下挡板位于所述相邻腔室一侧的底部设置有第...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘俊领
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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