一种湿法刻蚀机制造技术

本发明专利技术提供一种湿法刻蚀机，包括：刻蚀腔，所述刻蚀腔内设置有多个滚轮，所述滚轮用于承载待刻蚀的基板且通过转动带动所述基板移动；第一喷淋装置，与所述滚轮相对设置，用于向所述基板表面喷淋刻蚀液，使所述基板表面的薄膜层形成预设图案；第二喷淋装置，设置于所述刻蚀腔的刻蚀出口处，用于向所述刻蚀出口喷淋清洗液以溶解所述刻蚀出口处附着的所述刻蚀液；挡板，设置于所述第一喷淋装置与所述第二喷淋装置之间，用于遮挡喷向所述第一喷淋装置一侧的所述清洗液；所述第二喷淋装置分别位于所述刻蚀腔内部与外部，用于从所述刻蚀腔内外两侧共同向所述刻蚀出口处喷淋所述清洗液。

【技术实现步骤摘要】
一种湿法刻蚀机
本专利技术涉及显示面板制造领域，尤其涉及一种湿法刻蚀机。
技术介绍
TFT-LCD等微电路是通过在基板上形成的铝、铝合金、铜及铜合金等导电性金属膜或二氧化硅膜、氮化硅薄膜等绝缘膜上，然后在其表面均匀涂布光刻胶，再通过相应图形的光罩经曝光显影的方式使所光刻胶成现出所需的图形，其次采用湿法或干法蚀刻，将未被光刻胶覆盖的金属或非金属膜刻蚀掉，最后去除不需要的光刻胶等一系列的光刻工程而完成所需的电路。ITO膜层作为公共电极也是TFT-LCD制作过程中的一层，其ITO膜层制作需要PVD成膜，涂布曝光显影，最后湿法刻蚀及剥离光刻胶。目前ITO膜层湿法刻蚀使用的草酸溶液，但草酸溶液易在刻蚀机腔室内壁、刻蚀槽出口等狭小缝隙结晶，从而导致药液的浪费及特别是刻蚀段出口处的结晶可能会划伤基板上膜层，从而影响产品品质。因此，有必要提供一种湿法刻蚀机，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种湿法刻蚀机，能够改善湿法刻蚀机出口处结晶的现象，大大降低刻蚀液结晶对显示面板品质的影响。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种湿法刻蚀机，包括：刻蚀腔，所述刻蚀腔内设置有多个滚轮，所述滚轮用于承载待刻蚀的基板且通过转动带动所述基板移动；第一喷淋装置，与所述滚轮相对的设置于所述刻蚀腔内，用于向所述基板表面喷淋刻蚀液，使所述基板表面的薄膜层形成预设图案；第二喷淋装置，设置于所述刻蚀腔的刻蚀出口处，用于向所述刻蚀出口喷淋清洗液以溶解所述刻蚀出口处附着的所述刻蚀液；挡板，设置于所述第一喷淋装置与所述第二喷淋装置之间，且靠近所述刻蚀出口的位置，用于遮挡所述清洗液防止喷淋至所述第一喷淋装置一侧的所述刻蚀液中；其中，所述第二喷淋装置分别位于所述刻蚀腔内部与所述刻蚀腔外部，用于从所述刻蚀腔内外两侧共同向所述刻蚀出口处喷淋所述清洗液。根据本专利技术一优选实施例，所述挡板包括上挡板与相对设置的下挡板，所述上挡板与所述下挡板在对应所述滚轮的位置存在间隙，用以使所述基板顺利通过所述挡板向所述刻蚀出口移动。根据本专利技术一优选实施例，所述下挡板至少靠近所述刻蚀腔底部的一部分向所述刻蚀出口一侧倾斜设置，并沿所述刻蚀腔底部向相邻腔室内延伸，且延伸至所述第二喷淋装置的喷淋范围外。根据本专利技术一优选实施例，所述下挡板为槽型，用于容置所述第二喷淋装置喷淋出的所述清洗液，所述下挡板位于所述相邻腔室一侧的底部设置有第一排水口，所述清洗液经由所述第一排水口排出，所述下挡板上设置有导液管，用于将所述清洗液导流至所述第一排水口。根据本专利技术一优选实施例，所述第二喷淋装置包括喷淋杆以及斜向设置的喷嘴，所述喷淋杆一端固定于所述刻蚀腔的腔体上，另一端连接所述喷嘴，且所述刻蚀出口两侧的所述喷嘴相对设置，用于分别由两侧向所述刻蚀出口喷淋所述清洗液。根据本专利技术一优选实施例，所述喷嘴活动的设置于所述喷淋杆上，用以调整所述喷嘴的倾斜角度以及喷淋范围。根据本专利技术一优选实施例，所述刻蚀液为草酸溶液，所述清洗液为去离子水。根据本专利技术一优选实施例，所述第二喷淋装置包括水刀组件，所述刻蚀出口两侧的所述水刀组件的开口相对设置，用于分别由两侧向所述刻蚀出口喷淋所述去离子水。根据本专利技术一优选实施例，所述刻蚀腔底部为凹槽状，用于容置所述第一喷淋装置喷淋出的所述刻蚀液，且所述刻蚀腔底部设置有第二排水口，所述刻蚀液经由所述第二排水口排出。根据本专利技术一优选实施例，所述刻蚀腔内还包括风刀组件，所述风刀组件设置于所述挡板靠近所述第一喷淋装置的一侧，所述风刀组件一端固定于所述刻蚀腔的腔体上，另一端开口朝向所述所述第一喷淋装置倾斜设置，用于向所述刻蚀腔内排风。本专利技术的有益效果为：本专利技术提供的湿法刻蚀机，通过在刻蚀腔的刻蚀出口内外两侧增设喷淋装置或者水刀组件，可将基板带出的附着于刻蚀出口处的刻蚀液的结晶溶解掉，或者通过闲时对刻蚀出口的冲刷将刻蚀液及时冲走而避免结晶在此处积累，可以避免对基板的膜层的损伤，提高产品品质；同时由于挡板的遮挡作用以及引流作用，可以防止该喷淋装置喷出的去离子水大量进入刻蚀段对刻蚀液造成影响。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的湿法刻蚀机的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术针对现有技术的湿法刻蚀机，由于草酸溶液易在刻蚀机腔室内壁、刻蚀槽出口等狭小缝隙结晶，从而导致刻蚀液的浪费及刻蚀段出口处的结晶可能会划伤基板上膜层，从而影响产品品质的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。参阅图1，为本专利技术实施例提供的湿法刻蚀机的结构示意图，该湿法刻蚀机包括：刻蚀腔10，所述刻蚀腔10内设置有多个滚轮30，多个所述滚轮30排成一排，用于承载待刻蚀的基板40且通过转动带动所述基板40移动；所述基板40表面制备有待刻蚀的薄膜层，所述薄膜层可以为ITO膜层，或者为铝、铜等导电性金属膜层或者二氧化硅膜层等；第一喷淋装置20，与所述滚轮30相对的设置于所述刻蚀腔10内，用于向所述基板40表面喷淋刻蚀液201，使所述基板40表面的所述薄膜层形成预设图案；第二喷淋装置70，设置于所述刻蚀腔10的刻蚀出口103处，用于向所述刻蚀出口103喷淋清洗液703以溶解所述刻蚀出口103处附着的所述刻蚀液201；挡板50，设置于所述第一喷淋装置20与所述第二喷淋装置70之间，且靠近所述刻蚀出口103的位置，用于遮挡所述清洗液703防止喷淋至所述第一喷淋装置20一侧的所述刻蚀液201中，避免对所述刻蚀液201造成影响；风刀组件80，所述风刀组件80设置于所述挡板50靠近所述第一喷淋装置20的一侧，所述风刀组件80一端固定于所述刻蚀腔10的腔体上，另一端开口朝向所述所述第一喷淋装置20倾斜设置，用于向所述刻蚀腔10内排风。其中，所述第二喷淋装置20分别位于所述刻蚀腔10内部与所述刻蚀腔10外部，用于从所述刻蚀腔10内外两侧共同向所述刻蚀出口103处喷淋所述清洗液703。所述基板40从所述刻蚀腔10的刻蚀入口101进入，并由所述滚轮30带动向所述刻蚀出口103的方向移动，在此过程中，所述刻蚀液201喷淋至所述基板40表面进行刻蚀制程；由于所述刻蚀制程的喷淋以及所述基板40需穿过所述刻蚀出口103，使得在所述刻蚀出口103及其附近的位置粘附有所述刻蚀液201。其中，图示的所述第一喷淋装置20分别从所述滚轮30两侧对所述基板40进行喷淋，且所述第一喷淋装置20将所述刻蚀液201均匀的喷淋至所述基板40表面，当然所述第一喷淋装置20也可以从所述基板40的上方进行单侧喷淋；本专利技术不对所述第一喷淋装置20进行限定，其可以为现有技术中的常规设置。所述第二喷淋装置70包括喷淋杆701以及斜向设置的喷嘴702，所述喷淋杆701一端固定于所述刻蚀腔10的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种湿法刻蚀机，其特征在于，包括：刻蚀腔，所述刻蚀腔内设置有多个滚轮，所述滚轮用于承载待刻蚀的基板且通过转动带动所述基板移动；第一喷淋装置，与所述滚轮相对的设置于所述刻蚀腔内，用于向所述基板表面喷淋刻蚀液，使所述基板表面的薄膜层形成预设图案；第二喷淋装置，设置于所述刻蚀腔的刻蚀出口处，用于向所述刻蚀出口喷淋清洗液以溶解所述刻蚀出口处附着的所述刻蚀液；挡板，设置于所述第一喷淋装置与所述第二喷淋装置之间，且靠近所述刻蚀出口的位置，用于遮挡所述清洗液防止喷淋至所述第一喷淋装置一侧的所述刻蚀液中；其中，所述第二喷淋装置分别位于所述刻蚀腔内部与所述刻蚀腔外部，用于从所述刻蚀腔内外两侧共同向所述刻蚀出口处喷淋所述清洗液。

【技术特征摘要】
1.一种湿法刻蚀机，其特征在于，包括：刻蚀腔，所述刻蚀腔内设置有多个滚轮，所述滚轮用于承载待刻蚀的基板且通过转动带动所述基板移动；第一喷淋装置，与所述滚轮相对的设置于所述刻蚀腔内，用于向所述基板表面喷淋刻蚀液，使所述基板表面的薄膜层形成预设图案；第二喷淋装置，设置于所述刻蚀腔的刻蚀出口处，用于向所述刻蚀出口喷淋清洗液以溶解所述刻蚀出口处附着的所述刻蚀液；挡板，设置于所述第一喷淋装置与所述第二喷淋装置之间，且靠近所述刻蚀出口的位置，用于遮挡所述清洗液防止喷淋至所述第一喷淋装置一侧的所述刻蚀液中；其中，所述第二喷淋装置分别位于所述刻蚀腔内部与所述刻蚀腔外部，用于从所述刻蚀腔内外两侧共同向所述刻蚀出口处喷淋所述清洗液。2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述挡板包括上挡板与相对设置的下挡板，所述上挡板与所述下挡板在对应所述滚轮的位置存在间隙，用以使所述基板顺利通过所述挡板向所述刻蚀出口移动。3.根据权利要求2所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述下挡板至少靠近所述刻蚀腔底部的一部分向所述刻蚀出口一侧倾斜设置，并沿所述刻蚀腔底部向相邻腔室内延伸，且延伸至所述第二喷淋装置的喷淋范围外。4.根据权利要求3所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述下挡板为槽型，用于容置所述第二喷淋装置喷淋出的所述清洗液，所述下挡板位于所述相邻腔室一侧的底部设置有第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘俊领，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44