硅片清洗装置及其清洗方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种硅片清洗装置，包括：气体产生机构、保护机构、清洗腔体、固定机构和清洗液加注机构；硅片正面向下通过固定机构固定在清洗腔体中，气体产生机构连接保护机构，保护机构位于固定机构下方，保护机构能在清洗腔体中上下移动靠近或远离硅片，气体产生机构通过保护机构向硅片正面输送保护气体，清洗液加注装置设置在硅片上方；清洗腔体中气体产生机构输送保护气体所产生的压力与硅片背面的清洗液所产生的压力形成平衡，清洗液仅存在于硅片背面和硅片侧面，或清洗液仅存在于硅片背面。本发明专利技术还刚开了一种硅片清洗方法。本发明专利技术通过调节保护气体的流量能实现选择性清洗(硅片背面和或硅片侧面)，能提高硅片清洗效率。

【技术实现步骤摘要】
硅片清洗装置及其清洗方法
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种硅片化学清洗时使用的硅片清洗装置。本专利技术还涉及一种硅片化学清洗时使用的硅片清洗方法。
技术介绍
半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。会导致各种缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。随着大规模集成电路的发展,集成度的不断提高,线宽的不断减小,对硅片的质量要求也越来越高,特别是对硅抛光片的表面质量要求越来越严。这主要是因为抛光片表面的颗粒和金属杂质沾污会严重影响器件的质量和成品率,对于线宽为0.35μm的64兆DRAM器件,影响电路的临界颗粒尺寸为0.06μm,抛光片的表面金属杂质沾污应全部小于5×1016at/cm2,抛光片表面大于0.2μm的颗粒数应小于20个/片。在目前的集成电路生产中,由于硅抛光片表面沾污问题,仍有50％以上的材料被损失掉。在硅晶体管和集成电路生产中,几乎每道工序都有硅片清洗的问题,硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响,处理不当,可能使全部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片清洗装置，其特征在于，包括：气体产生机构、保护机构、清洗腔体、固定机构和清洗液加注机构；硅片正面向下通过固定机构固定在清洗腔体中，气体产生机构连接保护机构，保护机构位于固定机构下方，保护机构能在清洗腔体中上下移动靠近或远离硅片，气体产生机构通过保护机构向硅片正面输送保护气体，清洗液加注装置设置在硅片上方；清洗腔体中气体产生机构输送保护气体所产生的压力与硅片背面的清洗液所产生的压力形成平衡，清洗液仅存在于硅片背面和硅片侧面，或清洗液仅存在于硅片背面。

【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗装置，其特征在于，包括：气体产生机构、保护机构、清洗腔体、固定机构和清洗液加注机构；硅片正面向下通过固定机构固定在清洗腔体中，气体产生机构连接保护机构，保护机构位于固定机构下方，保护机构能在清洗腔体中上下移动靠近或远离硅片，气体产生机构通过保护机构向硅片正面输送保护气体，清洗液加注装置设置在硅片上方；清洗腔体中气体产生机构输送保护气体所产生的压力与硅片背面的清洗液所产生的压力形成平衡，清洗液仅存在于硅片背面和硅片侧面，或清洗液仅存在于硅片背面。2.如权利要求1所述硅片清洗装置，其特征在于：保护机构是具有气孔保护盖板。3.如权利要求2所述硅片清洗装置，其特征在于：气孔均匀分布在保护盖板上。4.如权利要求2所述硅片清洗装置，其特征在于：气孔在保护盖板上形成多个同心的气孔环。5.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文燕，李芳，朱也方，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31